ICEE-Power-功率半导体: IGBT和SiC 栅极驱动器

发布时间 2023-12-10 15:36:59作者: abaelhe

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IGBT 和 SiC 电源开关基础知识
IGBT 和 SiC 电源开关有哪些市场和应用?
高效的电源转换在很大程度上由系统使用的功率半导体器件确定。
由于功率器件技术不断改进,大功率应用的效率越来越高并且尺寸越来越小。
包括 IGBT 和 SiC MOSFET,它们有高额定电压值、大电流额定值以及低导通和开关损耗,非常适合大功率应用。

具体而言,总线电压大于 400V 的应用要求器件电压 额定值大于 650V,以留有足够的裕度。
包括工业电机驱动器、电动汽车/混合动力汽车(EV/HEV)、牵引逆变器和可再生能源光伏逆变器的应用,
具有几千瓦 (kW) 到一兆瓦 (MW) 甚至更高的功率水平。
SiC MOSFET 和 IGBT 的应用具有相似的功率水平,但随着频率的增加而产生差异,如图 1 所示。
SiC MOSFET 在功率因数校正电源、光伏逆变器、EV/HEV 的DC-DC、EV的牵引逆变器、电机驱动器和铁路上变得越来越常见
而 IGBT 在电机驱动器(交流电机),不间断电源 (UPS)、集中式和串式光伏逆变器以及牵引逆变器 EV/HEV 很常见。