三星固态硬盘总结

发布时间 2023-03-27 00:36:34作者: hongdada

三星固态硬盘总结

三星产品列表

年代 颗粒 消费级产品 制程 企业级产品 oem产品
2012 平面2D 840Pro,840Evo 21nm
2015 平面2D 19nm Sm951
2013 第一代V-NAND 24层 845dc pro,845dc evo
2014 第二代V-NAND 32层 850Pro,850Evo 40nm Sm863,pm863,sm865
2015 第三代V-NAND 48层 sm863a,pm863a,sm865a Sm961
2016 第四代V-NAND 64/72层 860Pro,860Evo Sm883,pm883,883dct,863dct
2018 第五代V-NAND 92/96层 970 Pro,870Pro,870Evo,870 QVO Pm897,pm893
2019 第六代V-NAND 128/136层 980 Pro Pm9A1
2021 第七代V-NAND 176层 990 Pro
2022 第八代V-NAND 236层

850pro/evo有32层、48层

860evo有S4(64层)、S5(92层)

970ep横跨S4(64层)、S5(92层)、S6(136层),PM981横跨S3(48层)、S4(64层)、S5(92层);

980pro也有S5(92层)、S6(136层)

3D Nand相比于2D颗粒优点

寿命长

三星3D NAND采用了多层堆叠的闪存单元。与传统的2D NAND相比,3D NAND采用了多层堆叠的闪存单元,这可以大大提高存储密度。具体来说,三星的3D NAND技术采用了64层、96层甚至更多的闪存单元,这就使得每个芯片的存储容量更大。由于每个芯片的存储容量更大,因此系统需要使用更少的闪存芯片来存储同样数量的数据,这会减少每个芯片上的写入次数,从而延长其使用寿命。

MLC与TLC优缺点

tlc电压相对于同样颗粒的mlc产品电压高

比如sm863为5V1.8A,pm863为5V1.9A

sm883为5V1.1A,pm883为5V1.8A

840pro为5V1.5A,840为5V1.7A

总结

只收集m2,SATA接口的,方便闲鱼上面捡垃圾,对于半高PCI-E卡,U2接口,m2 110的等产品未收集,上述的垃圾不想捡。