三星固态硬盘总结
三星产品列表
年代 | 颗粒 | 消费级产品 | 制程 | 企业级产品 | oem产品 |
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2012 | 平面2D | 840Pro,840Evo | 21nm | ||
2015 | 平面2D | 19nm | Sm951 | ||
2013 | 第一代V-NAND 24层 | 845dc pro,845dc evo | |||
2014 | 第二代V-NAND 32层 | 850Pro,850Evo | 40nm | Sm863,pm863,sm865 | |
2015 | 第三代V-NAND 48层 | sm863a,pm863a,sm865a | Sm961 | ||
2016 | 第四代V-NAND 64/72层 | 860Pro,860Evo | Sm883,pm883,883dct,863dct | ||
2018 | 第五代V-NAND 92/96层 | 970 Pro,870Pro,870Evo,870 QVO | Pm897,pm893 | ||
2019 | 第六代V-NAND 128/136层 | 980 Pro | Pm9A1 | ||
2021 | 第七代V-NAND 176层 | 990 Pro | |||
2022 | 第八代V-NAND 236层 |
850pro/evo有32层、48层
860evo有S4(64层)、S5(92层)
970ep横跨S4(64层)、S5(92层)、S6(136层),PM981横跨S3(48层)、S4(64层)、S5(92层);
980pro也有S5(92层)、S6(136层)
3D Nand相比于2D颗粒优点
寿命长
三星3D NAND采用了多层堆叠的闪存单元。与传统的2D NAND相比,3D NAND采用了多层堆叠的闪存单元,这可以大大提高存储密度。具体来说,三星的3D NAND技术采用了64层、96层甚至更多的闪存单元,这就使得每个芯片的存储容量更大。由于每个芯片的存储容量更大,因此系统需要使用更少的闪存芯片来存储同样数量的数据,这会减少每个芯片上的写入次数,从而延长其使用寿命。
MLC与TLC优缺点
tlc电压相对于同样颗粒的mlc产品电压高
比如sm863为5V1.8A,pm863为5V1.9A
sm883为5V1.1A,pm883为5V1.8A
840pro为5V1.5A,840为5V1.7A
总结
只收集m2,SATA接口的,方便闲鱼上面捡垃圾,对于半高PCI-E卡,U2接口,m2 110的等产品未收集,上述的垃圾不想捡。