ASEMI单向可控硅BT151参数,BT151封装,BT151体积

发布时间 2023-05-29 16:44:33作者: 强元芯

编辑-Z

单向可控硅BT151参数:

型号:BT151

存储接点温度范围Tstg:-40~150℃

工作接点温度范围Tj:-40~125℃

断态重复峰值电压VDRM:650V

重复峰值反向电压VRRM:650V

RMS导通电流IT(RMS):12A

非重复浪涌峰值导通电流ITSM:120A

峰值栅极电流IGM:2A

平均栅极功耗PG(AV):0.5W

峰值栅极功率PGM:5W

IGT:4mA

VGT:0.75V

VTM:1.75V

 

 

BT151封装体积:

封装:TO-252

总长度:10.4mm

本体长度:6.3mm

宽度:6.8mm

高度:2.4mm

脚间距:4.77mm

 

 

BT151说明:

BT151系列可控硅整流器具有很高的承受大电流冲击负载的能力,提供了高dv/dt速率和较强的抗电磁干扰能力。特别推荐用于固态继电器、摩托车、充电器、T型工具等。