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SPA17N80C3-ASEMI代理英飞凌MOS管SPA17N80C3
型号：SPA17N80C3
品牌：Infineon(英飞凌)
封装：TO-220F
最大漏源电流：17A
漏源击穿电压：800V
RDS（ON）Max：0.29Ω
引脚数量：3
特点
新的革命性高压技术
全球最佳RDS（上）
在TO 220中
超低栅极电荷
周期性雪崩额定值
极限dv/dt额定值
超低有效电容
提高了跨导
沟道类型：N沟道MOS管、高压MOS管
特性：N沟道MOS管、场效应管
工作温度：-55℃~150℃
备受欢迎的SPA17N80C3 MOS管
ASEMI代理英飞凌品牌SPA17N80C3是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力，能够持续保证了SPA17N80C3的最大漏源电流17A，漏源击穿电压800V.
•细节体现差距
SPA17N80C3,ASEMI代理英飞凌MOS管，工艺芯片，工艺制造，该产品稳定性高，抗冲击能力强。
SPA17N80C3具体参数为：最大漏源电流：17A，漏源击穿电压：800V，反向恢复时间： ns，封装：TO-220F
