IPA50R190CE-ASEMI代理英飞凌MOS管IPA50R190CE

发布时间 2023-06-03 11:33:45作者: ASEMI首芯

编辑:ll

IPA50R190CE-ASEMI代理英飞凌MOSIPA50R190CE

型号:IPA50R190CE

品牌:Infineon(英飞凌)

封装:TO-220F

最大漏源电流:24.8A

漏源击穿电压:500V

RDSONMax0.19Ω

引脚数量:3

沟道类型:N沟道MOS

芯片尺寸:MIL

漏电流:

恢复时间:5ns

芯片材质:

封装尺寸:如图

特性:高压MOS管、N沟道MOS

工作结温-40℃~150

IPA50R190CE场效应管

IPA50R190CE的电性参数:最大漏源电流24.8A;漏源击穿电压500V

IPA50R190CE应用:

适用于高频开关和同步整流、适配器、照明、服务器.