flash闪存，可以一种可编程式存储器
flash结构体定义
typedef struct { __IO uint32_t ACR; /*!< FLASH access control register, Address offset: 0x00 */ 访存控制器 __IO uint32_t PDKEYR; /*!< FLASH power down key register, Address offset: 0x04 */ __IO uint32_t KEYR; /*!< FLASH key register, Address offset: 0x08 */ __IO uint32_t OPTKEYR; /*!< FLASH option key register, Address offset: 0x0C */ __IO uint32_t SR; /*!< FLASH status register, Address offset: 0x10 */ 状态寄存器 __IO uint32_t CR; /*!< FLASH control register, Address offset: 0x14 */ __IO uint32_t ECCR; /*!< FLASH ECC register, Address offset: 0x18 */ __IO uint32_t RESERVED1; /*!< Reserved1, Address offset: 0x1C */ __IO uint32_t OPTR; /*!< FLASH option register, Address offset: 0x20 */ __IO uint32_t PCROP1SR; /*!< FLASH bank1 PCROP start address register, Address offset: 0x24 */ __IO uint32_t PCROP1ER; /*!< FLASH bank1 PCROP end address register, Address offset: 0x28 */ __IO uint32_t WRP1AR; /*!< FLASH bank1 WRP area A address register, Address offset: 0x2C */ __IO uint32_t WRP1BR; /*!< FLASH bank1 WRP area B address register, Address offset: 0x30 */ } FLASH_TypeDef;
核心api:
flash_init, flash_erase, flash_write, flash_read_logic
//包含头文件 #include "flash.h" #include "string.h" #if(USE_BIOS_FLASH==0)//1代表函数继承自BIOS，0代表使用自带函数 //=================内部调用函数声明===================================== //====================================================================== //函数名称：flash_write_DoubleWord //函数返回：0-成功 1-失败 //参数说明：addr：目标地址，要求为4的倍数且大于Flash首地址 // （例如：0x08000004，Flash首地址为0x08000000） // data：写入的双字 //功能概要：Flash双字写入操作 //====================================================================== uint8_t flash_write_DoubleWord(uint32_t addr,uint32_t data_l,uint32_t data_h); //====================================================================== //函数名称：flash_Best //函数返回：0-成功 1-失败 //参数说明：sect:待写入扇区号 // offset:待写入数据位置的偏移地址 // N：待写入数据字节数 // buf:待写入数据的首地址 //功能概要：首位地址都对齐的情况下的数据写入 //====================================================================== uint8_t flash_Best(uint16_t sect,uint16_t offset,uint16_t N,uint8_t *buf); //====================================================================== //====================================================================== //=================外部接口函数========================================= //====================================================================== //函数名称：flash_init //函数返回：无 //参数说明：无 //功能概要：初始化flash模块 //编程来源：暂无 //====================================================================== void flash_init(void) { //（1）清除之前的编程导致的所有错误标志位 FLASH->SR &= 0xFFFFFFUL; //（2）解锁Flash控制寄存器(CR) if((FLASH->CR & FLASH_CR_LOCK) != 0U) { FLASH->KEYR = (uint32_t)FLASH_KEY1; FLASH->KEYR = (uint32_t)FLASH_KEY2; } //（3）等待解锁操作成功 while((FLASH->CR & FLASH_CR_LOCK) != 0U); //（4）等待之前最后一个flash操作完成 while( (FLASH->SR & FLASH_SR_BSY) != 0U); //（5）清数据缓冲区
/*
#define FLASH_ACR_DCEN_Pos (10U)
#define FLASH_ACR_DCEN_Msk (0x1UL << FLASH_ACR_DCEN_Pos) /*!< 0x00000400 */ （DataCacheEnable，数据缓存使能位）
*/
FLASH->ACR &= ~FLASH_ACR_DCEN_Msk; //（6）清闪存即时编程位 FLASH->CR &= ~FLASH_CR_PG_Msk; } //====================================================================== //函数名称：flash_erase //函数返回：函数执行执行状态：0=正常；1=异常。 //参数说明：sect：目标扇区号（范围取决于实际芯片，例如 STM32L433:0~127,每扇区2KB; //功能概要：擦除flash存储器的sect扇区 //编程参考：STM32L4Rxxx芯片手册3.3.6主存储器擦除顺序 //====================================================================== uint8_t flash_erase(uint16_t sect) { //（1）等待之前最后一个flash操作完成 while( (FLASH->SR & FLASH_SR_BSY) != 0U); //（2）清除之前的编程导致的所有错误标志位 FLASH->SR &= 0xFFFFFFUL; //（3）清闪存即时编程位，将 PER 位置 1，并选择要擦除的页 (PNB)和相关存储区 (BKER) FLASH->CR &= ~FLASH_CR_PG; FLASH->CR |= FLASH_CR_PER; FLASH->CR &= ~FLASH_CR_PNB; FLASH->CR |= (uint32_t)(sect << 3u); //（4）将 FLASH_CR 寄存器中的 STRT 位置 1，开始扇区擦除 FLASH->CR |= FLASH_CR_STRT; //（5）等待 FLASH_SR 寄存器中的 BSY 位清零，等待擦除操作完成 while( (FLASH->SR & FLASH_SR_BSY) != 0U); FLASH->CR &= ~FLASH_CR_PER; return 0; //成功返回 } //====================================================================== //函数名称：flash_write //函数返回：函数执行状态：0=正常；1=异常。 //参数说明：sect：扇区号（范围取决于实际芯片，例如 STM32L433:0~127,每扇区2KB） // offset:写入扇区内部偏移地址（0~2044，要求为0,4,8,12，......） // N：写入字节数目（4~2048,要求为4,8,12,......） // buf：源数据缓冲区首地址 //功能概要：将buf开始的N字节写入到flash存储器的sect扇区的 offset处 //编程参考：暂无 //======================================================================= uint8_t flash_write(uint16_t sect,uint16_t offset,uint16_t N,uint8_t *buf) { //（1）定义变量 uint16_t i; //（2）清除之前的编程导致的所有错误标志位 FLASH->SR &= 0xFFFFFFUL; //（3.1）写入字节数后会跨扇区 if(offset+N>MCU_SECTORSIZE) { //（3.1.1）先写入第一个扇区 flash_write(sect,offset,MCU_SECTORSIZE-offset,buf); //（3.1.2）再写入第二个扇区 flash_write(sect+1,0,N-(MCU_SECTORSIZE-offset),buf+(MCU_SECTORSIZE-offset)); } //（3.2）写入字节数不会跨扇区 else { uint8_t data[MCU_SECTORSIZE]; //存储当前扇区的全部值 flash_read_logic(data,sect,0,MCU_SECTORSIZE); //将当前扇区的全部值读入数组中 //将要写入的数据依照对应位置写入数组中 for(i = 0;i<N;i++) { data[offset+i] = buf[i]; } //擦除扇区 flash_erase(sect); //将数组写入扇区 flash_Best(sect,0,MCU_SECTORSIZE,data); } //（4）等待写入操作完成 while( (FLASH->SR & FLASH_SR_BSY) != 0U); return 0; //成功执行 } //========================================================================== //函数名称：flash_write_physical //函数返回：函数执行状态：0=正常；非0=异常。 //参数说明： addr：目标地址，要求为4的倍数且大于Flash首地址 // （例如：0x08000004，Flash首地址为0x08000000） // cnt：写入字节数目（8~512） // buf：源数据缓冲区首地址 //功能概要：flash写入操作 //编程参考：暂无 //========================================================================== uint8_t flash_write_physical(uint32_t addr,uint16_t N,uint8_t buf[]) { //（1）定义变量。sect-扇区号，offset-扇区地址 uint16_t sect; //扇区号 uint16_t offset; // 偏移地址 //（2）变量赋值，将物理地址转换为逻辑地址（扇区和偏移量） sect = (addr-MCU_FLASH_ADDR_START)/MCU_SECTORSIZE; offset = addr-(sect*MCU_SECTORSIZE)-MCU_FLASH_ADDR_START; //（3）调用写入函数写入数据 flash_write(sect,offset,N,buf); //（4）等待写入操作完成 while( (FLASH->SR & FLASH_SR_BSY) != 0U); return 0; //成功执行 } //====================================================================== //函数名称：flash_read_logic //函数返回：无 //参数说明：dest：读出数据存放处（传地址，目的是带出所读数据，RAM区） // sect：扇区号（范围取决于实际芯片，例如 STM32L433:0~127,每扇区2KB） // offset:扇区内部偏移地址（0~2024，要求为0,4,8,12，......） // N：读字节数目（4~2048,要求为4,8,12,......）// //功能概要：读取flash存储器的sect扇区的 offset处开始的N字节，到RAM区dest处 //编程参考：暂无 //======================================================================= void flash_read_logic(uint8_t *dest,uint16_t sect,uint16_t offset,uint16_t N) { //（1）定义变量。src-读取的数据的地址 uint8_t *src; //（2）变量赋值。通过扇区号和偏移量计算出逻辑地址 src=(uint8_t *)(FLASH_BASE+sect*FLASH_PAGE_SIZE+offset); //（3）读出数据 memcpy(dest,src,N); } //====================================================================== //函数名称：flash_read_physical //函数返回：无 //参数说明：dest：读出数据存放处（传地址，目的是带出所读数据，RAM区） // addr：目标地址，要求为4的倍数（例如：0x00000004） // N：读字节数目（0~1020,要求为4，8,12,......） //功能概要：读取flash指定地址的内容 //编程参考：暂无 //====================================================================== void flash_read_physical(uint8_t *dest,uint32_t addr,uint16_t N) { //（1）定义变量。src-读取的数据的地址 uint8_t *src; //（2）变量赋值。直接使用物理地址 src=(uint8_t *)addr; //（3）读出数据 memcpy(dest,src,N); } //====================================================================== //函数名称：flash_protect //函数返回：无 //参数说明：M：待保护的扇区号 //功能概要：flash保护操作 //编程参考：暂无 //====================================================================== void flash_protect(uint8_t M) { //（1）定义变量。temp-配置所用值 uint32_t temp; //（2）变量赋值。 temp = M|((M+1)<<16); //（3）对保护区进行锁定 if((FLASH->CR & FLASH_CR_OPTLOCK) != 0U) { FLASH->OPTKEYR = (uint32_t)FLASH_OPTKEY1; FLASH->OPTKEYR = (uint32_t)FLASH_OPTKEY2; } //（4）等待锁定成功 while((FLASH->CR & FLASH_CR_OPTLOCK) != 0U); //（5）等待 FLASH_SR 寄存器中的 BSY 位清零，等待擦除操作完成 while( (FLASH->SR & FLASH_SR_BSY) != 0U); //（6）配置相关寄存器 FLASH->WRP1AR &= 0x0; FLASH->WRP1AR |= temp; FLASH->CR |= FLASH_CR_OPTSTRT; //（7）等待 FLASH_SR 寄存器中的 BSY 位清零，等待擦除操作完成 while( (FLASH->SR & FLASH_SR_BSY) != 0U); FLASH->CR &= ~FLASH_CR_OPTSTRT; } //====================================================================== //函数名称：flash_unprotect //函数返回：无 //参数说明：M：待解保护的扇区号 //功能概要：flash解保护操作 //说明： //编程参考：暂无 //====================================================================== void flash_unprotect(uint8_t M) { //（1）定义变量。temp-配置所用值 uint32_t temp; //（2）变量赋值。 temp = 0xff00ffff; //（3）对保护区进行锁定 if((FLASH->CR & FLASH_CR_OPTLOCK) != 0U) { FLASH->OPTKEYR = (uint32_t)FLASH_OPTKEY1; FLASH->OPTKEYR = (uint32_t)FLASH_OPTKEY2; } //（4）等待 FLASH_SR 寄存器中的 BSY 位清零，等待操作完成 while( (FLASH->SR & FLASH_SR_BSY) != 0U); //（5）配置相关寄存器 FLASH->WRP1AR &= 0x0; FLASH->WRP1AR |= temp; FLASH->CR |= FLASH_CR_OPTSTRT; //（6）等待 FLASH_SR 寄存器中的 BSY 位清零，等待操作完成 while( (FLASH->SR & FLASH_SR_BSY) != 0U); FLASH->CR &= ~FLASH_CR_OPTSTRT; } //====================================================================== //函数名称：flash_isempty //函数返回：1=目标区域为空；0=目标区域非空。 //参数说明：所要探测的flash区域初始地址 //功能概要：flash判空操作 //编程来源：暂无 //====================================================================== uint8_t flash_isempty(uint16_t sect,uint16_t N) { //（1）定义变量flag-操作成功标志，src-目标地址，dest[]-暂存数据 uint16_t i,flag; uint8_t dest[N]; uint8_t *src; //（2）变量赋值并读取数据 flag = 1; src=(uint8_t *)(FLASH_BASE+sect*FLASH_PAGE_SIZE); memcpy(dest,src,N); //（3）判断区域内数据是否为空 for(i = 0; i<N; i++) //遍历区域内字节 { if(dest[i]!=0xff) //非空 { flag=0; break; } } return flag; } //======================================================================== //函数名称：flashCtl_isSectorProtected //函数返回：1=扇区被保护；0=扇区未被保护 //参数说明：所要检测的扇区 //功能概要：判断flash扇区是否被保护 //编程参考：暂无 //========================================================================= uint8_t flash_isSectorProtected(uint16_t sect) { //（1）定义变量。STRT-扇区开始号，END-扇区结束号，temp-暂存值 uint8_t STRT,END; uint32_t temp; //（2）查看扇区是否被保护 temp = FLASH->WRP1AR; STRT = temp; END = temp>>16; if(sect>=STRT && sect<END) return 1; //（3）查看扇区是否被保护 temp = FLASH->WRP1BR; STRT = temp; END = temp>>16; if(sect>=STRT && sect<END) return 1; return 0; } //----------------------以下为内部函数存放处---------------------------- //====================================================================== //函数名称：flash_write_DoubleWord //函数返回：0-成功 1-失败 //参数说明：addr：目标地址，要求为4的倍数且大于Flash首地址 // （例如：0x08000004，Flash首地址为0x08000000） // data：写入的双字 //功能概要：Flash双字写入操作（STM32L433每次只能实现双字写入，先写低位字，再写高位字） //编程参考：暂无 //====================================================================== uint8_t flash_write_DoubleWord(uint32_t addr,uint32_t data_l,uint32_t data_h) { //（1）清数据缓冲区 if((FLASH->ACR & FLASH_ACR_DCEN) != 0U) { FLASH->ACR &= ~FLASH_ACR_DCEN; } //（2）使能Flash即时编程 FLASH->CR |= FLASH_CR_PG; //（3.1）先写入低位字 *(__IO uint32_t*)addr = data_l; //（3.2）再写入高位字 *(__IO uint32_t*)(addr+4U) = data_h; //（4）禁止Flash即时编程 FLASH->CR &= ~FLASH_CR_PG; return 0; //返回成功 } #endif //====================================================================== //函数名称：flash_Best //函数返回：0-成功 1-失败 //参数说明：sect:待写入扇区号 // offset:待写入数据位置的偏移地址 // N：待写入数据字节数 // buf:待写入数据的首地址 //功能概要：首位地址都对齐的情况下的数据写入 //编程参考：暂无 //====================================================================== uint8_t flash_Best(uint16_t sect,uint16_t offset,uint16_t N,uint8_t *buf) { //（1）定义变量。temp_l,temp_h,addr,i uint32_t temp_l,temp_h; uint32_t addr; uint16_t i; //（2）等待 FLASH_SR 寄存器中的 BSY 位清零，等待操作完成 while( (FLASH->SR & FLASH_SR_BSY) != 0U); //（3）计算双字写入绝对地址 addr = (uint32_t)(FLASH_BASE+sect*FLASH_PAGE_SIZE+offset); //（4）循环写入双字，每8个数写一次 for(i = 0; i < N; i+=8) { //（4.1）低位字赋值 temp_l = (uint32_t)((buf[i])|(buf[i+1]<<8)|(buf[i+2]<<16)|(buf[i+3]<<24)); //（4.2）高位字赋值 temp_h = (uint32_t)((buf[i+4])|(buf[i+5]<<8)|(buf[i+6]<<16)|(buf[i+7]<<24)); //（4.3）在绝对地址(addr+i)，实现双字写入 flash_write_DoubleWord((addr+i),temp_l,temp_h); } //（5）等待 FLASH_SR 寄存器中的 BSY 位清零，等待操作完成 while( (FLASH->SR & FLASH_SR_BSY) != 0U); return 0; }