干法刻蚀与湿法刻蚀

干法刻蚀高能离子与材料表面的相互作用

湿法刻蚀主要基于溶液中的化学反应

掺杂方法

热扩散、离子注入

扩散系数

快速退火

晶体缺陷修复：在半导体制造过程中，快速退火可帮助修复由于离子注入、沉积或蚀刻等步骤引入的晶体缺陷。通过高温快速退火，晶体中的缺陷可以重新排列和修复，从而提高晶体质量和电学性能。
激活掺杂离子：快速退火可用于激活和扩散掺杂离子。在离子注入后，通过快速加热样品至高温并快速冷却，掺杂离子可以在晶体中进行有效的扩散，从而形成所需的电学特性。

阴阳光刻胶

阳性光刻胶在光照后会发生化学变化，使得光刻胶的暴露部分变得可溶解，从而形成图案。阴性光刻胶则是在光照后，未受到光照的部分会变得可溶解，形成图案。

光刻机种类

光刻半径

焦深和数值孔径的平方成反比。这意味着，为了获得更小的特性尺寸，需要使用更大的数值孔径，焦深将会变小，从而导致对焦更为困难。
解决办法：增大NA（更大的数值孔径、增大光刻胶对焦偏差的容忍范围）、减小波长（发展新型光源、DUV to EUV（13.5nm)）、增大K（相移掩模）

OPC

OPC是光刻修正（Optical Proximity Correction）的缩写，是一种在光刻工艺中用于改善图形形状和尺寸的技术。
优点：
提高图形准确性：OPC技术通过对光刻图形进行修正，能够有效地提高图形的形状和尺寸的准确性。这对于微电子制造来说至关重要，可以帮助确保电路的功能和性能符合设计要求。
提高光刻过程容差：OPC技术可以增加光刻过程中的对焦容差范围，也就是DOF。这使得光刻胶对焦偏差的容忍度更大，降低了光刻过程中对对焦精度的要求，提高了工艺的可靠性和稳定性。
适应复杂结构：随着芯片尺寸的减小和复杂性的增加，光刻工艺需要应对更加复杂的结构。OPC技术能够根据不同的设计要求和工艺需求，灵活地进行优化和修正，使得光刻图形能够更好地适应复杂的结构。
缺点：
增加工艺复杂性：OPC技术需要对光刻图形进行额外的计算和修正，这增加了工艺的复杂性和计算量。这要求有专门的软件和算法支持，并可能增加芯片制造过程中的时间和成本。
可能引入新的制造问题：尽管OPC技术可以改善图形的形状和尺寸，但有时候可能会引入新的制造问题。这可能包括光刻图形在修正过程中出现的奇点、边缘偏差或者光刻胶的不均匀性等问题。
依赖模型准确性：OPC技术的有效性取决于模型的准确性。如果模型与实际工艺不匹配或者参数不准确，修正后的图形可能仍然无法满足要求。因此，建立准确的模型和对其进行校准是关键的，但也需要额外的工作和资源投入。

epi层

外延层用于提供更清洁的层设备形成并防止“闩锁”CMOS晶体管。

槽刻蚀

分为4个步骤:
①隔离氧化层;
硅与氮化物的应力消除层，抗蚀剂
②氮化物淀积;
掩膜层，抛光停止层
③第三层掩膜(浅槽隔离);
④ＳＴＩ槽刻蚀,
离子刻蚀
⑤去除光刻胶
氧等离子体
⑥CVD氧化层
防止晶体管互相干扰
⑦cmp
化学抛光
⑧h3po4去除氮化物，HF去除氧化层

牺牲氧化物层：一种薄的氧化物层生长以捕获硅中的缺陷表面

门氧化层：纯度高，薄。作为晶体管的电介质

1.低温氧化
2.惰性气体稀释O2

LDD

低掺杂扩散（Low Dose Diffusion）的缩写。
在LDD中，掺杂的过程被分为两个阶段：首先是LDD区域的低掺杂，然后是高掺杂的源和漏区域。低掺杂区域的目的是在源和漏之间形成一个渐变的掺杂剖面，在高电场情况下减弱电子和空穴的散射效应。
通过LDD技术，可以减小热效应，减少隧穿的电子数，减少电场。这有助于提高MOS器件的性能、可靠性和稳定性。

TIP

N_TIP用砷离子，P_TIP用BF2。作用：阻碍热电子效应。

RIE：离子刻蚀

Self-Aligned Silicide：自对准硅化物技术。

首先在整个晶片表面上沉积一层金属（通常是钨、钛、铚等），然后进行一个热处理步骤。热处理过程中，金属会与晶片表面上的硅发生反应，形成金属硅化物。通过适当的处理条件和控制，通常可以实现硅化物反应限定在源漏和栅极区域。硅化物具有低电阻性能，可以降低电阻并提高器件的性能。

TiSi2在硅化物与金属之间形成欧姆接触。

欧姆接触与肖特基接触

欧姆接触是一种低电阻的接触结构，可以让电流以欧姆接触方式流过。在欧姆接触中，金属电极与半导体材料之间形成良好的能带匹配，使得电流能够顺利地通过，而不会发生明显的反射和散射。欧姆接触的特点是电流随电压的增加而线性增加，且接触电阻较低。
肖特基接触则是一种特殊的接触结构，它由半导体材料与金属之间的异质结构组成。肖特基接触中，金属与半导体之间存在一个肖特基势垒，这个势垒可以阻碍电流的流动。肖特基接触的特点是对于正向偏置情况下的电流流动较好，但在反向偏置时电流流动会受到较大阻碍。肖特基接触具有整流特性，可以用于制作二极管等器件。