半导体工艺
- 制造Well和反型层：在衬底上制造Well和反型层，这是半导体制造的基础步骤。
- 氧化：在半导体表面形成一层氧化膜，作为掩蔽层或绝缘层。
- 掺杂：通过物理或化学方法将杂质注入半导体中，以控制导电性能。
- 制作二氧化硅（SiO2）：在CMOS制造流程中，制作二氧化硅的方法有多种，如热氧化、化学气相沉积等。
- 制作栅极：在SiO2上制作多晶硅栅极，并对其进行掺杂和刻蚀等处理。
- 制造互连层：在栅极上制造互连层，以实现电路的互连。
- 制造接触孔和布线：通过刻蚀和沉积等工艺，制作接触孔和布线。
- 封装：将芯片封装在半导体封装壳中，以保护芯片免受环境影响。