电阻负载
大信号分析
深线性区，晶体管等效为线性电阻，阻值为·Ron·，为·1/gm·
Vds和Vgs-Vth相等的情况
小信号分析
大小信号分析的增益相同
考虑沟道调制效应，大信号下的增益公式不好计算，小信号模型可以直接计算出增益
gm和输入有关，因此引入了非线性
如果是理想电流源负载
电阻负载CS放大器设计参数的制约关系
那设计CSamp时，需要考虑哪些参数？
采用二极管负载
大信号分析
小信号分析
M2管一定存在体效应，VBS2直接有电压差，不等于0
（PMOS不存在体效应，P管都在各自的well里面，只需要把他们的源端和衬底接起来就行，NMOS的衬底都是接在一起的，默认接地）
PMOS负载
弱函数（根号）
输出电压摆幅非常小
输入电压摆幅非常小
