NS32F407XX 器件基于高性能的 ARM Cortex-M4 32位 RISC 内核，工作频率高达 168MHz。Cortex-M4 内核带有单精度浮点运算单元(FPU)，支持所有 ARM 单精度数据处理指令和数据类型。它还具有一组DSP指令和提高应用安全性的一个存储器保护单元(MPU)。
NS32F407XX 器件集成了高速嵌入式存储器( Flash存储器和 SRAM的容量分别高达 1M字节和 192K字节)和高达 4K字节的后备 SRAM，以及大量连至2条APB总线、3条AHB总线和1个32位多AHB总线矩阵的增强型I/O与外设。
所有型号均带有3个12位 ADC、2个 DAC、1个低功耗 RTC、12个通用16位定时器(包括2个用于电机控制的PWM定时器)、2个通用32位定时器。一个真随机数生成器（RNG），它们还带有标准与高级通信接口。
NS32F407XX 器件的工作温度范围是-40+105°C，供电电压范围是1.83.6V。当设备工作在0~70°的
温度范围内，若使用外部供电监控器，则供电电压可低至1.7V（请参考第3.17.2章节：内部复位OFF）。该系列提供了一套全面的节能模式，可实现低功耗应用设计。NS32F407XX系列提供、从64引脚至176引脚的各种封装的而设备。所包括的外设因所选的器件而异。
NS32F407XX 器件的工作温度范围是-40+105°C，供电电压范围是1.83.6V。当设备工作在0~70°的
温度范围内，若使用外部供电监控器，则供电电压可低至1.7V（请参考第3.17.2章节：内部复位OFF）。该系列提供了一套全面的节能模式，可实现低功耗应用设计。NS32F407XX系列提供、从64引脚至176引脚的各种封装的而设备。所包括的外设因所选的器件而异。
1.LQFP100封装，只有FSMC Bank1或Bank2可用。Bank1只能通过片选信号NE1以复用模式支持NOR/PSRAM 存储器。Bank2只能通过片选信号NE2支持16位或8位NAND Flash。
2.SI2和SPI3接口可以在SPI模式和I2S音频模式这两种工作方式之间灵活切换。
3.当器件工作于低温度范围，并使用了外部供电监控器时，可达到1.7V的VDD/VDDA最小值。
系统之间的全兼容性
完全软硬件兼容STM32F407VET6 STM32F407VGT6 STM32F407ZGT6 STM32F407IGT6
完全软硬件兼容STM32F407VET6 STM32F407VGT6 STM32F407ZGT6 STM32F407IGT6