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IKW25N120T2-ASEMI代理英飞凌IGBT管IKW25N120T2
型号：IKW25N120T2
品牌：ASEMI
封装：TO-247
特性：IGBT管
正向电流：25A
反向耐压：1200V
引脚数量：3
芯片个数：1
包装方式：3000pcs/盘
特点：大功率IGBT管
工作温度：-40℃~175℃
第二代1200 V应用提供：
-非常紧的参数分布
-高强度，温度稳定性能
由于正温度系数，易于并联
在VCE（sat）中
低电磁干扰
低栅极电荷
非常软、快速恢复反并联发射极控制的HE二极管
ASEMI代理英飞凌IKW25N120T2整流桥是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力，能够持续保证了IKW25N120T2整流桥的最大漏源电流25A，漏源击穿电压1200V.
