二极管506 ds-asemi asemi
R7S721031VCFP#AA1-ASEMI代理瑞萨芯片R7S721031VCFP#AA1
编辑：ll R7S721031VCFP#AA1-ASEMI代理瑞萨芯片R7S721031VCFP#AA1 型号：R7S721031VCFP#AA1 品牌：瑞萨（Renesas) 封装：LQFP-208 R7S721031VCFP#AA1特性： CPU：Cortex-A9核心，最高400MHz 电压： ......
ASEMI-1N5819二极管的参数
编辑-Z 1N5819是一种Schottky二极管，常用于功率电子设备中。它具有以下几个主要参数： 1. 电压容忍度（VRRM）：1N5819的电压容忍度是40伏（V）。这意味着它可以在最大电压为40伏的情况下正常工作。 2. 最大工作电流（IO）：1N5819的最大工作电流为1安（A）。这表示它可 ......
ASEMI二极管1N4148（T4）的用途和使用建议
编辑-Z 二极管是一种常见的电子元件，其中1N4148（T4）是一款广泛使用的快恢复二极管。它具有快速的开关特性和高反向阻挡能力，适用于多种电子应用。本文将介绍1N4148（T4）的特点、用途和如何正确使用该二极管。 1. 特点： 1N4148（T4）二极管具有以下主要特点： 快速恢复时间：该二极管 ......
R7S721021VCFP#AA0-ASEMI代理瑞萨电源IC
编辑：ll R7S721021VCFP#AA0-ASEMI代理瑞萨电源IC 型号：R7S721021VCFP#AA0 品牌：瑞萨（Renesas) 封装：LQFP-32 类型：LED驱动、汽车芯片 R7S721021VCFP#AA0产品概述 R7S721021VCFP#AA0采用Arm®Cortex ......
1N4148型号开关二极管的简单介绍
1N4148型号开关二极管是一种高速开关二极管，常用于电路中的信号检测、电压限制、防反向等应用。 其工作原理基于PN结的特性。当正向偏置时，电子从N区向P区流动，同时空穴从P区向N区流动，使得PN结区域的厚度减小，形成导电通路；当反向偏置时，由于电子和空穴受到PN结区域强烈的耗尽电场作用，难以流动， ......
ASEMI整流桥GBU816的原理和应用
编辑-Z 摘要：整流桥GBU816是一种用于将交流电转换为直流电的电子元器件。本文将从原理、结构、应用以及优点等四个方面对整流桥GBU816进行详细的阐述。 1、整流桥GBU816的原理 整流桥GBU816由四个二极管组成，分别连接在一个桥形电路中。当输入交流电通过整流桥时，上下两个二极管分别进行导 ......
ASEMI逆变器专用整流桥GBU814规格，GBU814大小
编辑-Z GBU814参数描述： 型号：GBU814 最大峰值反向电压(VRRM)：1400V 平均整流正向电流(IF)：8A 正向浪涌电流(IFSM)：200A 工作接点温度和储存温度(TJ, Tstg)：-55 to +150℃ 最大热阻(RθJC)：2.2℃/W 正向电压(VF)：1.1V 最 ......
ASEMI肖特基模块MBR400100CT功能应用介绍
编辑-Z 肖特基模块MBR400100CT是一款高性能半导体器件，常用于电源和开关电路中。该模块采用肖特基二极管技术，具有低导通压降和高速开关特性，适合在高频率和高温环境下使用。 肖特基二极管是基于金属-半导体接触的特殊结构的二极管。与传统PN结二极管相比，肖特基二极管具有更低的正向压降和较快的开关 ......
为什么说ASEMI-GBU812是新能源专用整流桥
编辑-Z GBU812是一种新能源专用整流桥，它在新能源领域扮演着重要的角色。下面是关于为什么说GBU812是新能源专用整流桥的几个原因： 首先，GBU812采用了新能源技术，具有高效能、低功耗和环保等特点。在新能源领域，特别是太阳能和风能发电领域，GBU812可以将直流输出电压进行变换和整流，以满 ......
GBU816-ASEMI功率整流器件GBU816
编辑：ll GBU816-ASEMI功率整流器件GBU816 型号：GBU816 品牌：ASEMI 芯片个数：4 封装：GBU-4 恢复时间：＞50ns 工作温度：-55°C~150°C 浪涌电流：200A 正向电流：8A 反向耐压：1600V 正向压降：1.10V 引脚数量：4 GBU816特性： ......
GBU814-ASEMI功率整流器件GBU814
编辑：ll GBU814-ASEMI功率整流器件GBU814 型号：GBU814 品牌：ASEMI 封装：GBU-4 恢复时间：＞50ns 正向电流：8A 反向耐压：1400V 芯片个数：4 引脚数量：4 类型：整流桥、功率整流器件 特性：功率整流器件、高耐压整流桥 浪涌电流：200A 正向压降：1 ......
ASEMI快恢复二极管APT80DQ60BG特点应用
编辑-Z APT80DQ60BG参数描述： 型号：APT80DQ60BG 最大峰值反向电压(VRRM)：600V 最大直流阻断电压VR(DC)：600V 平均整流正向电流(IF)：80A 非重复峰值浪涌电流(IFSM)：600A 工作接点温度和储存温度(TJ, Tstg)：-55 to +150℃ ......
ASEMI-APT80DQ40BG二极管快速恢复特性及应用
编辑-Z 本文主要介绍了APT80DQ40BG二极管的快速恢复特性以及应用。首先，对该二极管的结构和工作原理进行了简要介绍。接着，详细阐述了其快速恢复特性及其在电源、逆变器和电动汽车等领域的应用。最后，对APT80DQ40BG二极管的优点和未来发展进行了总结归纳。 1、APT80DQ40BG二极管的 ......
GBU812-ASEMI逆变器专用整流桥GBU812
编辑：ll GBU812-ASEMI逆变器专用整流桥GBU812 型号：GBU812 品牌：ASEMI 芯片个数：4 封装：GBU-4 恢复时间：＞50ns 工作温度：-55°C~150°C 浪涌电流：200A 正向电流：8A 反向耐压：1200V 正向压降：1.10V 引脚数量：4 GBU812特 ......
MBR400100CT-ASEMI肖特基模块400A 100V
编辑：ll MBR400100CT-ASEMI肖特基模块400A 100V 型号：MBR400100CT 品牌：ASEMI 封装：M2 恢复时间：＞50ns 正向电流：400A 反向耐压：100V 芯片个数：2 引脚数量：2 类型：肖特基模块 特性：肖特基模块、大功率肖特基 浪涌电流：3300A 正 ......
APT80DQ60BG-ASEMI新能源功率器件APT80DQ60BG
编辑：ll APT80DQ60BG-ASEMI新能源功率器件APT80DQ60BG 型号：APT80DQ60BG 品牌：ASEMI 芯片个数：2 封装：TO-3P 恢复时间：＞50ns 工作温度：-55°C~150°C 浪涌电流：600A 正向电流：80A 反向耐压：200V 正向压降：1.30V ......
三极管与 MOS 管开关特性
### 1、三极管 基极 b（base），发射极 e（emitter），集电极 c（collector） b 端作为控制端： * NPN 型三极管：高电平导通，低电平关断。 * PNP 型三极管：高电平关断，低电平导通。 ### 2、MOS 管 ......
APT80DQ40BG-ASEMI低功耗半导体APT80DQ40BG
编辑：ll APT80DQ40BG-ASEMI低功耗半导体APT80DQ40BG 型号：APT80DQ40BG 品牌：ASEMI 封装：TO-3P 恢复时间：＞50ns 正向电流：80A 反向耐压：400V 芯片个数：2 引脚数量：3 类型：快恢复二极管 特性：插件快恢复二极管、大功率、低功耗半导体 ......
深度研究：ASEMI快恢复二极管APT60DQ20BG
编辑-Z 在众多电子元件中，快恢复二极管APT60DQ20BG因其独特属性和广泛应用，吸引了广大电子爱好者和工程师的目光。本文将为您进行全面、深入的剖析。 首先，我们需要理解APT60DQ20BG是什么。APT60DQ20BG是一种快恢复二极管。二极管作为一个电子元器件，具有允许电流仅在一个方向下流 ......
ASEMI快恢复二极管APT80DQ20BG封装尺寸
编辑-Z APT80DQ20BG参数描述： 型号：APT80DQ20BG 最大峰值反向电压(VRRM)：200V 最大直流阻断电压VR(DC)：200V 平均整流正向电流(IF)：80A 非重复峰值浪涌电流(IFSM)：600A 工作接点温度和储存温度(TJ, Tstg)：-55 to +150℃ ......
APT80DQ20BG-ASEMI快恢复二极管APT80DQ20BG
编辑：ll APT80DQ20BG-ASEMI快恢复二极管APT80DQ20BG 型号：APT80DQ20BG 品牌：ASEMI 芯片个数：2 封装：TO-3P 恢复时间：＞50ns 工作温度：-55°C~150°C 浪涌电流：200A 正向电流：80A 反向耐压：200V 正向压降：1.10V 引 ......
APT60DQ20BG-ASEMI新能源功率器件APT60DQ20BG
编辑：ll APT60DQ20BG-ASEMI新能源功率器件APT60DQ20BG 型号：APT60DQ20BG 品牌：ASEMI 封装：TO-3P 恢复时间：＞50ns 正向电流：60A 反向耐压：200V 芯片个数：2 引脚数量：3 类型：快恢复二极管 特性：插件快恢复二极管、大功率 浪涌电流： ......
ASEMI新能源专用整流桥GBU816参数，GBU816封装
编辑-Z GBU816参数描述： 型号：GBU816 最大峰值反向电压(VRRM)：1600V 平均整流正向电流(IF)：8A 正向浪涌电流(IFSM)：200A 工作接点温度和储存温度(TJ, Tstg)：-55 to +150℃ 最大热阻(RθJC)：2.2℃/W 正向电压(VF)：1.1V 最 ......
ASEMI整流桥KBP210和2W10能代换吗
编辑-Z 在电子世界中，整流桥是最常见和最重要的组件之一。它是将交流电转换为直流电的重要设备。在这篇文章中，我们将深入了解两款常见的整流桥：KBP210和2W10，以及它们是否可以互换使用。 首先，我们需要关注的是这两种整流桥的主要特性和参数。KBP210和2W10都是单相全波桥式整流器。它们都可以 ......
GBU816-ASEMI新能源专用整流桥GBU816
编辑：ll GBU816-ASEMI新能源专用整流桥GBU816 型号：GBU816 品牌：ASEMI 封装：GBU-4 恢复时间：＞50ns 正向电流：8A 反向耐压：1600V 芯片个数：4 引脚数量：4 类型：整流桥 特性：插件桥堆、薄体整流桥 浪涌电流：200A 正向压降：1.10V 封装尺 ......
ASEMI探索整流桥GBU814的独特优势和应用领域
编辑-Z 整流桥GBU814在众多电子元件中独树一帜，可在多种设备中发挥其重要作用。作为一款集高效性能和可靠稳定性于一身的整流桥，GBU814已在全球范围内赢得了广泛的好评。在这篇文章中，我们将详细介绍GBU814整流桥的优势和应用领域。 让我们首先解析一下GBU814的特性。GBU814不仅拥有高 ......
ASEMI逆变器专用整流桥GBU812参数，GBU812规格
编辑-Z GBU812参数描述： 型号：GBU812 最大峰值反向电压(VRRM)：1200V 平均整流正向电流(IF)：8A 正向浪涌电流(IFSM)：200A 工作接点温度和储存温度(TJ, Tstg)：-55 to +150℃ 最大热阻(RθJC)：2.2℃/W 正向电压(VF)：1.1V 最 ......
GBU814-ASEMI逆变器专用整流桥GBU814
编辑：ll GBU814-ASEMI逆变器专用整流桥GBU814 型号：GBU814 品牌：ASEMI 芯片个数：1 封装：GBU-4 恢复时间：＞50ns 工作温度：-55°C~150°C 浪涌电流：200A 正向电流：8A 反向耐压：1400V 正向压降：1.10V 引脚数量：4 GBU814特 ......
GBU812-ASEMI新能源专用整流桥GBU812
编辑：ll GBU812-ASEMI新能源专用整流桥GBU812 型号：GBU812 品牌：ASEMI 封装：GBU-4 恢复时间：＞50ns 正向电流：80A 反向耐压：1200V 芯片个数：4 引脚数量：4 类型：整流桥 特性：插件桥堆、薄体整流桥 浪涌电流：200A 正向压降：1.10V 封装 ......