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10n65
10N65-ASEMI高压场效应MOS管10N65
编辑:ll 10N65-ASEMI高压场效应MOS管10N65 型号:10N65 品牌:ASEMI 封装:TO-220 最大漏源电流:10A 漏源击穿电压:650V RDS(ON)Max:0.9Ω 引脚数量:3 沟道类型:N沟道MOS管 芯片尺寸:MIL 漏电流: 恢复时间:5ns 芯片材质: 封装 ......
高压
效应
10N65
ASEMI
10
更新时间 2023-03-23
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