6012a二极管sfp规格

MBR60100PT-ASEMI肖特基二极管MBR60100PT参数

编辑:ll MBR60100PT-ASEMI肖特基二极管MBR60100PT参数 型号:MBR60100PT 品牌:ASEMI 封装:TO-247 恢复时间:>50ns 正向电流:60A 反向耐压:100V 芯片个数:2 引脚数量:3 类型:肖特基、插件肖特基二极管 特性:低耐压、高效率 浪涌电流: ......
60100 二极管 MBR PT-ASEMI 参数

MBR40200PT-ASEMI肖特基MBR40200PT参数、规格、尺寸

编辑:ll MBR40200PT-ASEMI肖特基MBR40200PT参数、规格、尺寸 型号:MBR40200PT 品牌:ASEMI 芯片个数:2 封装:TO-247 恢复时间:>50ns 工作温度:-65°C~175°C 浪涌电流:350A 正向电流:40A 反向耐压:200V 正向压降:0.8V ......
40200 MBR PT-ASEMI 尺寸 规格

MBR20200CT-ASEMI肖特基MBR20200CT参数、规格、尺寸

编辑:ll MBR20200CT-ASEMI肖特基MBR20200CT参数、规格、尺寸 型号:MBR20200CT 品牌:ASEMI 封装:TO-220 恢复时间:>50ns 正向电流:20A 反向耐压:200V 芯片个数:2 引脚数量:3 类型:肖特基、插件肖特基二极管 特性:低耐压、高效率 浪涌 ......
20200 MBR CT-ASEMI 尺寸 规格

MBR20100CT-ASEMI肖特基MBR20100CT参数、规格、尺寸

编辑:ll MBR20100CT-ASEMI肖特基MBR20100CT参数、规格、尺寸 型号:MBR20100CT 品牌:ASEMI 芯片个数:2 封装:TO-220 恢复时间:>50ns 工作温度:-65°C~175°C 浪涌电流:150A 正向电流:10A 反向耐压:100V 正向压降:0.8V ......
20100 MBR CT-ASEMI 尺寸 规格

MBR10200CT-ASEMI肖特基MBR10200CT参数、规格、尺寸

编辑:ll MBR10200CT-ASEMI肖特基MBR10200CT参数、规格、尺寸 型号:MBR10200CT 品牌:ASEMI 封装:TO-220 恢复时间:>50ns 正向电流:10A 反向耐压:200V 芯片个数:2 引脚数量:3 类型:肖特基、插件肖特基二极管 特性:低耐压、高效率 浪涌 ......
10200 MBR CT-ASEMI 尺寸 规格

MBR10100CT-ASEMI肖特基二极管MBR10100CT

编辑:ll MBR10100CT-ASEMI肖特基二极管MBR10100CT 型号:MBR10100CT 品牌:ASEMI 芯片个数:2 封装:TO-220 恢复时间:>50ns 工作温度:-65°C~175°C 浪涌电流:150A 正向电流:10A 反向耐压:100V 正向压降:0.8V 引脚数量 ......
10100 二极管 MBR CT-ASEMI ASEMI

规格数据处理

const data = [ { productSpecsName: '内存', specificationBindingDTOList: [{ sttrValue: '128' }, { sttrValue: '258' }] }, { productSpecsName: '颜色', specif ......
数据处理 规格 数据

ASEMI整流桥GBU610参数,GBU610规格

编辑-Z GBU610参数描述: 型号:GBU610 最大直流反向电压VR:1000V 最大工作峰值反向电压VRWM:700V 最大平均正向电流IF:6A 非重复正向浪涌电流IFSM:175A 操作和储存温度范围TJ ,TSTG:-55 to 150℃ 正向电压VF:1.1V 最大反向泄漏电流IRM ......
整流桥 610 GBU 规格 参数

ASEMI快恢复二极管MURD560的更换方法

编辑-Z 二极管MURD560是一种高速整流二极管,常见于电源电路和电机驱动器中。如果MURD560出现故障,需要进行修复或更换,以下是一些常见的方法: 1. 使用万用表测试二极管的正向导通电压和反向漏电流,确认是否正常。如果测量结果表明二极管正常,可以考虑检查其他元件或电路。 2. 使用烙铁将MU ......
二极管 方法 ASEMI MURD 560

ASEMI快恢复二极管SF506DS参数,SF506DS封装

编辑-Z SF506DS参数描述: 型号:SF506DS 最大直流反向电压VR:600V 最大工作峰值反向电压VRWM:420V 最大平均正向电流IF:5A 非重复正向浪涌电流IFSM:150A 操作和储存温度范围TJ ,TSTG:-55 to 150℃ 正向电压VF:1.7V 最大反向泄漏电流IR ......
二极管 506 参数 ASEMI SF

ASEMI快恢复二极管S1FD40A180H参数,S1FD40A180H应用

编辑-Z S1FD40A180H参数描述: 型号:S1FD40A180H 最大直流反向电压VR:1800V 最大工作峰值反向电压VRWM:1440V 最大平均正向电流IF:40A 非重复正向浪涌电流IFSM:500A 操作和储存温度范围TJ ,TSTG:-55 to 150℃ 正向电压VF:1.6V ......
二极管 180H A180 1FD 180

MURD560-ASEMI超快恢复二极管MURD560

编辑:ll MURD560-ASEMI超快恢复二极管MURD560 型号:MURD560 品牌:ASEMI 封装:TO-252 正向电流:5A 反向电压:600V 引线数量:3 芯片个数:1 芯片尺寸:74MIL 漏电流:10ua 恢复时间:35ns 浪涌电流:150mA 芯片材质: 正向电压:1. ......
二极管 MURD 560 ASEMI

SF506DS-ASEMI超快恢复二极管SF506DS

编辑:ll SF506DS-ASEMI超快恢复二极管SF506DS 型号:SF506DS 品牌:ASEMI 封装:TO-252 特性:贴片、快恢复二极管 正向电流:5A 反向耐压:600V 恢复时间:35ns 引脚数量:3 芯片个数:1 芯片尺寸:84MIL 浪涌电流:150A 漏电流:10ua 工 ......
二极管 506 DS-ASEMI ASEMI SF

1N4148(T4)-ASEMI贴片开关二极管1N4148(T4)

编辑:ll 1N4148(T4)-ASEMI贴片开关二极管1N4148(T4) 型号:1N4148(T4) 品牌:ASEMI 封装:SOD-123 正向电流:150mA 反向电压:100V 引线数量:2 芯片个数:1 芯片尺寸:102MIL 漏电流:10ua 恢复时间: 浪涌电流:300mA 芯片材 ......
1N4148 N4148 贴片 二极管 4148

S1FD40A180H-ASEMI快恢复二极管S1FD40A180H

编辑:ll S1FD40A180H-ASEMI快恢复二极管S1FD40A180H 型号:S1FD40A180H 品牌:ASEMI 封装:TO-247 特性:大功率、快恢复二极管 正向电流:40A 反向耐压:1800V 恢复时间:<300ns 引脚数量:3 芯片个数:1 芯片尺寸:110MIL 浪涌电 ......
二极管 1FD 180 H-ASEMI ASEMI

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前端 规格 页面 商品 html

ASEMI-1N5819二极管的参数

编辑-Z 1N5819是一种Schottky二极管,常用于功率电子设备中。它具有以下几个主要参数: 1. 电压容忍度(VRRM):1N5819的电压容忍度是40伏(V)。这意味着它可以在最大电压为40伏的情况下正常工作。 2. 最大工作电流(IO):1N5819的最大工作电流为1安(A)。这表示它可 ......
二极管 参数 ASEMI 5819 1N

ASEMI二极管1N4148(T4)的用途和使用建议

编辑-Z 二极管是一种常见的电子元件,其中1N4148(T4)是一款广泛使用的快恢复二极管。它具有快速的开关特性和高反向阻挡能力,适用于多种电子应用。本文将介绍1N4148(T4)的特点、用途和如何正确使用该二极管。 1. 特点: 1N4148(T4)二极管具有以下主要特点: 快速恢复时间:该二极管 ......
二极管 用途 建议 1N4148 ASEMI

两通道SFP+和单通道QSFP+万兆光纤子卡

概要 QT7426C是一款基于FMC标准的两通道SFP+和单通道QSFP+万兆光纤子卡模块。板卡符合VITA57.1标准,可作为一个理想的IO模块通过FMC(HPC)耦合至FPGA的吉比特收发器(MGT)。该FMC子卡与基于Xilinx FPGA载卡配合,可快速搭建起高速光纤通信的验证平台,可广泛适 ......
光纤 通道 QSFP SFP

15个常用化纤面料和7个纯棉面料图片、类型、特点、规格、应用

15种常用化纤类面料 1、涤塔夫、塔夫绸,涤平纺、涤丝纺 平纹组织: 涤纶 主要有:170T、190 T、210 T、240 T、260 T、300 T、320 T、400 T 用途:一般做里料 拓展学习: 面料T数是什么? T为单位英寸经纬密度和,如190 T就是经纬密度和是190(实际一般不到1 ......
面料 化纤面料 纯棉 化纤 规格

1N4148型号开关二极管的简单介绍

1N4148型号开关二极管是一种高速开关二极管,常用于电路中的信号检测、电压限制、防反向等应用。 其工作原理基于PN结的特性。当正向偏置时,电子从N区向P区流动,同时空穴从P区向N区流动,使得PN结区域的厚度减小,形成导电通路;当反向偏置时,由于电子和空穴受到PN结区域强烈的耗尽电场作用,难以流动, ......
二极管 型号 1N4148 N4148 4148

老年病评估系统及其项目需求规格书

1.1 目的 通过本文档定义老年病能力评估系统的需求,方便系统编写者与系统使用者使用。 1.2 背景 a. 开发软件系统名称:老年病能力评估系统 b. 系统提出者:刘少石 系统开发者:刘少石 c. 软件系统应用范围、用户:需要老年病能力评估的公司、医生。需要接受养老服务的老年人。 d. 产生该系统需 ......
老年病 规格 需求 项目 系统

Js-sku商品规格【电商】

## 直接上代码片段 ``` const options = [{ title: "颜色", values: ["红色", "蓝色", "绿色"] }, { title: "尺寸", values: ["S", "M", "L"] }, { title: "材质", values: ["棉", "丝 ......
规格 商品 Js-sku sku Js

2023-08-31 js 笛卡尔积之商品规格组合

假设我们的商品规格数据为: let arr = [ { name: '材质', value: ['花岗岩','玄武岩'], }, { name: '体积', value: ['10克'], }, { name: '颜色', value: ['白色'], }, ]; 我们想要的最终数据: [['花岗岩 ......
规格 商品 2023 08 31

ASEMI逆变器专用整流桥GBU814规格,GBU814大小

编辑-Z GBU814参数描述: 型号:GBU814 最大峰值反向电压(VRRM):1400V 平均整流正向电流(IF):8A 正向浪涌电流(IFSM):200A 工作接点温度和储存温度(TJ, Tstg):-55 to +150℃ 最大热阻(RθJC):2.2℃/W 正向电压(VF):1.1V 最 ......
整流桥 逆变器 814 GBU 规格

ASEMI快恢复二极管APT80DQ60BG特点应用

编辑-Z APT80DQ60BG参数描述: 型号:APT80DQ60BG 最大峰值反向电压(VRRM):600V 最大直流阻断电压VR(DC):600V 平均整流正向电流(IF):80A 非重复峰值浪涌电流(IFSM):600A 工作接点温度和储存温度(TJ, Tstg):-55 to +150℃ ......
二极管 特点 ASEMI APT 80

ASEMI-APT80DQ40BG二极管快速恢复特性及应用

编辑-Z 本文主要介绍了APT80DQ40BG二极管的快速恢复特性以及应用。首先,对该二极管的结构和工作原理进行了简要介绍。接着,详细阐述了其快速恢复特性及其在电源、逆变器和电动汽车等领域的应用。最后,对APT80DQ40BG二极管的优点和未来发展进行了总结归纳。 1、APT80DQ40BG二极管的 ......
二极管 ASEMI-APT 特性 ASEMI APT

三极管与 MOS 管开关特性

### 1、三极管 基极 b(base),发射极 e(emitter),集电极 c(collector) b 端作为控制端: * NPN 型三极管:高电平导通,低电平关断。 * PNP 型三极管:高电平关断,低电平导通。 ### 2、MOS 管 ......
三极管 特性 MOS

深度研究:ASEMI快恢复二极管APT60DQ20BG

编辑-Z 在众多电子元件中,快恢复二极管APT60DQ20BG因其独特属性和广泛应用,吸引了广大电子爱好者和工程师的目光。本文将为您进行全面、深入的剖析。 首先,我们需要理解APT60DQ20BG是什么。APT60DQ20BG是一种快恢复二极管。二极管作为一个电子元器件,具有允许电流仅在一个方向下流 ......
二极管 深度 ASEMI APT 60

ASEMI快恢复二极管APT80DQ20BG封装尺寸

编辑-Z APT80DQ20BG参数描述: 型号:APT80DQ20BG 最大峰值反向电压(VRRM):200V 最大直流阻断电压VR(DC):200V 平均整流正向电流(IF):80A 非重复峰值浪涌电流(IFSM):600A 工作接点温度和储存温度(TJ, Tstg):-55 to +150℃ ......
二极管 尺寸 ASEMI APT 80