spw c3-asemi asemi 47

ASEMI代理海矽美SFP6002, 快恢复二极管SFP6002封装

编辑-Z SFP6002参数描述: 型号:SFP6002 封装:TO-247-AB 最大反向重复峰值电压VRRM:200V 平均整流正向电流IF:60A 反向恢复时间TRR:≤30nS 正向峰值浪涌电流IFSM:450×2A 工作接点温度TJ:-40~150℃ 储存温度TSTG:-40~150℃ 典 ......
二极管 6002 SFP ASEMI

pytest + yaml 框架 -47.parameters参数化支持笛卡尔积

# 前言 v1.3.8 版本对 parameters 参数化格式重新做了定义,支持笛卡尔积了。当然以前旧版本的格式还是继续兼容。 # parameters 参数化 新版本对 parameters 参数化重新做了定义,简化了步骤,更加清晰简洁. 1.只有一个变量需要参数化的情况 test_p1.yml ......
parameters 框架 参数 pytest yaml

代码随想录算法训练营第二十四天| 491.递增子序列 46.全排列 47.全排列 II

491.递增子序列 此题的难点: 1,前提需要保留原有顺序 2,保证递增 3,保证去重 注意: 去重一定要有set的同时保证有顺序 代码: 1 void findSubsequences_trackBack(vector<int>& nums, int startIndex, vector<int> ......
随想录 训练营 序列 随想 算法

ASEMI代理海矽美SFP6012, 快恢复二极管SFP6012规格

编辑-Z SFP6012参数描述: 型号:SFP6012 最大反向重复峰值电压VRRM:1200V 平均整流正向电流IF:60A 反向恢复时间TRR:≤75nS 正向峰值浪涌电流IFSM:300×2A 工作接点温度TJ:-40~175℃ 储存温度TSTG:-40~175℃ 典型热阻RθJC:0.5℃ ......
二极管 6012 SFP 规格 ASEMI

解析ASEMI代理海矽美快恢复二极管SFP6012A的性能与应用

编辑-Z 在电子元件领域,快恢复二极管是一种重要的半导体器件,它在电路中起到关键的保护和控制作用。今天,我们将重点介绍一款优秀的快恢复二极管——SFP6012A,深入探讨其性能特点和应用领域。 一、SFP6012A快恢复二极管的性能特点 SFP6012A是一款高性能的快恢复二极管,具有以下显著特点: ......
二极管 性能 ASEMI 6012A 6012

SFP6002-ASEMI代理海矽美快恢复二极管SFP6002

编辑:ll SFP6002-ASEMI代理海矽美快恢复二极管SFP6002 型号:SFP6002 品牌:MHCHXM(海矽美) 封装:TO-247AB 恢复时间:≤30ns 正向电流:60A 反向耐压:200V 芯片个数:双芯片 引脚数量:3 类型:快恢复二极管 特性:快恢复、大电流 浪涌电流:45 ......
二极管 6002 SFP ASEMI

47.静态变量什么时候初始化?

## 47.静态变量什么时候初始化? 1. 初始化只有一次,但是可以多次赋值,在主程序之前,编译器已经为其分配好了内存。 2. 静态局部变量和全局变量一样,数据都存放在全局区域,所以在主程序之前,编译器已经为其分配好了内存,但在C和C++中静态局部变量的初始化节点又有点不太一样。在C中,初始化发生在 ......
变量 静态 时候 47

ASEMI代理海矽美SFP3012, 快恢复二极管SFP3012参数

编辑-Z SFP3012参数描述: 型号:SFP3012 最大反向重复峰值电压VRRM:1200V 平均整流正向电流IF:30A 反向恢复时间TRR:≤65nS 正向峰值浪涌电流IFSM:160×2A 工作接点温度TJ:-40~175℃ 储存温度TSTG:-40~175℃ 典型热阻RθJC:0.5℃ ......
二极管 3012 SFP 参数 ASEMI

理解ASEMI代理海矽美快恢复二极管SFP3012A的性能与应用

编辑-Z 在电子元件领域,快恢复二极管SFP3012A是一种重要的半导体器件,它在电路设计中扮演着至关重要的角色。本文将深入探讨SFP3012A的性能特点和应用领域,帮助读者更好地理解和使用这种二极管。 一、SFP3012A的性能特点 快恢复二极管SFP3012A具有许多优秀的性能特点。首先,它具有 ......
二极管 性能 ASEMI 3012A 3012

SFP6012-ASEMI代理MHCHXM(海矽美)二极管SFP6012

编辑:ll SFP6012-ASEMI代理MHCHXM(海矽美)二极管SFP6012 型号:SFP6012 品牌:MHCHXM(海矽美) 封装:TO-247AB 恢复时间:≤75ns 正向电流:30A 反向耐压:1200V 芯片个数:双芯片 引脚数量:3 类型:快恢复二极管 特性:快恢复、大电流 浪 ......
二极管 6012 SFP MHCHXM ASEMI

SFP6012A-ASEMI代理海矽美快恢复二极管SFP6012A

编辑:ll SFP6012A-ASEMI代理海矽美快恢复二极管SFP6012A 型号:SFP6012A 品牌:MHCHXM(海矽美) 芯片个数:单芯片 封装:TO-247 恢复时间:≤100ns 工作温度:-40°C~175°C 浪涌电流:500A*1 正向电流:30A 反向耐压:1200V 正向压 ......
二极管 6012 SFP A-ASEMI 6012A

SFP3012A-ASEMI代理海矽美快恢复二极管SFP3012A

编辑:ll SFP3012A-ASEMI代理海矽美快恢复二极管SFP3012A 型号:SFP3012A 品牌:MHCHXM(海矽美) 芯片个数:单芯片 封装:TO-247 恢复时间:≤75ns 工作温度:-40°C~175°C 浪涌电流:300A*1 正向电流:30A 反向耐压:1200V 正向压降 ......
二极管 3012 SFP A-ASEMI 3012A

SFP3012-ASEMI代理MHCHXM(海矽美)快恢复二极管SFP3012

编辑:ll SFP3012-ASEMI代理MHCHXM(海矽美)二极管SFP3012 型号:SFP3012 品牌:MHCHXM(海矽美) 封装:TO-247AB 恢复时间:≤65ns 正向电流:30A 反向耐压:1200V 芯片个数:双芯片 引脚数量:3 类型:快恢复二极管 特性:快恢复、大电流 浪 ......
二极管 3012 SFP MHCHXM ASEMI

ASEMI代理光宝光耦LTV-155E:特性、应用与优势

编辑-Z 在电子设备的设计和制造过程中,光耦合器是一种至关重要的组件。它们在电路中起到隔离作用,防止电流反向流动,从而保护设备免受损坏。其中,光耦LTV-155E是一款广受欢迎的光耦合器,以其卓越的性能和可靠的稳定性赢得了工程师们的青睐。本文将深入探讨光耦LTV-155E的特性、应用以及其带来的优势 ......
特性 优势 ASEMI 155 LTV

ASEMI代理光宝光耦LTV-6341的应用与性能分析

编辑-Z 本文将全面深入地探讨光耦LTV-6341的应用与性能。首先,我们将介绍光耦LTV-6341的基本概念和工作原理,然后,我们将详细分析其在电子设备中的应用,接着,我们将对其性能进行深入的分析,最后,我们将对光耦LTV-6341的未来发展进行预测。 1、光耦LTV-6341的基本概念和工作原理 ......
性能分析 性能 ASEMI 6341 LTV

ASEMI代理英飞凌TLD2314EL高效能的LED驱动器

编辑-Z 在当今的照明市场中,LED驱动器的需求正在迅速增长。这是因为LED驱动器不仅能提供稳定的电流,保证LED灯的正常工作,而且还能有效地延长LED灯的使用寿命。在众多的LED驱动器中,TLD2314EL无疑是一款表现出色的产品。本文将详细介绍TLD2314EL的特性和优势。 TLD2314EL ......
驱动器 ASEMI 2314 TLD LED

ASEMI代理艾赛斯MOS管IXFH4N100Q的性能与应用

编辑-Z 在电子元件领域,MOS管是一种重要的半导体器件,它在电子设备中起着至关重要的作用。今天,我们将重点介绍一款特别的MOS管——IXFH4N100Q,探讨其性能特点和应用领域。 首先,让我们了解一下什么是MOS管。MOS管,全称为金属氧化物半导体场效应晶体管,是一种广泛应用于电子设备中的半导体 ......
性能 ASEMI IXFH4 100Q IXFH

ASEMI代理ST可控硅BTA41封装,BTA41图片

编辑-Z BTA41参数描述: 型号:BTA41 封装:TO-3P RMS导通电流IT(RMS):40A 非重复浪涌峰值导通电流ITSM:420A 峰值栅极电流IGM:8A 平均栅极功耗PG:1W 存储接点温度范围Tstg:-40 to +150℃ 工作接点温度范围Tj:-40 to +125℃ V ......
可控硅 BTA 图片 ASEMI 41

ASEMI代理ST可控硅BTA16的工作原理与应用分析

编辑-Z 本文将对可控硅BTA16的工作原理与应用进行详细的分析。首先,我们将介绍可控硅BTA16的基本概念和工作原理,然后,我们将探讨其在电力电子设备中的应用,接着,我们将分析其在电力调节中的作用,最后,我们将讨论其在电力系统保护中的应用。全文将从理论和实践两个方面,全面解析可控硅BTA16的工作 ......
可控硅 原理 ASEMI BTA 16

ASEMI代理NXP可控硅BT139-600E参数,BT139-600E规格

编辑-Z BT139-600E参数描述: 型号:BT139-600E 断态重复峰值电压VDRM:600V RMS导通电流IT(RMS):16A 非重复峰值导通电流ITSM:155A 峰值栅极电流IGM:2A 峰值栅极功率PGM:5W 储存温度Tstg:-40~ 150℃ 结点温度Tj:125℃ 栅极 ......
可控硅 139 600 规格 参数

ASEMI代理NXP高压三端双向可控硅BT139-800E综合指南

编辑-Z BT139-800E是一种高压三端双向可控硅开关,近年来由于其卓越的性能和多功能性而广受欢迎。这种强大的半导体器件广泛应用于各种应用,包括电机控制、照明控制和温度调节。 BT139-800E的特点 1.高压能力:BT139-800E设计用于处理高压,最大重复关断状态电压(VDRM)为800 ......
可控硅 双向 高压 指南 ASEMI

LTV-61L-ASEMI代理台湾光宝高速光耦LTV-61L

编辑:ll LTV-61L-ASEMI代理台湾光宝高速光耦LTV-61L 型号:LTV-61L 品牌:台湾光宝 封装:LSOP-6 引脚数量:6 类型:光耦 特性:台湾光宝、IGBT驱动器、储能专用光耦\高速光耦 封装尺寸:如图 工作温度:-40°C~105°C 特性: CMOS输出,负逻辑缓冲器输 ......
LTV L-ASEMI 高速 ASEMI 61

ASEMI快恢复二极管MUR20100DCR的性能与应用

编辑-Z 本文主要介绍了MUR20100DCR二极管的性能与应用。我们将对MUR20100DCR二极管的基本性能、不同领域的应用和优势与不足进行分析。 1、MUR20100DCR二极管的基本性能 MUR20100DCR二极管是一种高性能的超快速二极管,具有高电压、高电流和低漏电流等特点。它采用了先进 ......
二极管 性能 ASEMI 20100 MUR

MUR20100DC-ASEMI快恢复二极管MUR20100DC

编辑-Z MUR20100DC在TO-263封装里采用的2个芯片,其尺寸都是102MIL,是一款共阴极快恢复对管。MUR20100DC的浪涌电流Ifsm为200A,漏电流(Ir)为10uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。MUR20100DC采用抗冲击硅芯片材质,里面有2颗芯片组成。MUR ......
20100 二极管 MUR DC-ASEMI ASEMI

LTV-60L-ASEMI代理台湾光宝储能专用光耦LTV-60L

编辑:ll LTV-60L-ASEMI代理台湾光宝储能专用光耦LTV-60L 型号:LTV-60L 品牌:台湾光宝 封装:LSOP-6 工作温度:-40°C~105°C LTV-60L特性: LTV-60L系列由高效AlGaAs发光二极管和高速光学探测器组成。此设计提供光耦的输入侧和输出侧之间具有良 ......
LTV L-ASEMI ASEMI 60

LTV-50L-ASEMI代理台湾光宝高速光耦LTV-50L

编辑:ll LTV-50L-ASEMI代理台湾光宝高速光耦LTV-50L 型号:LTV-50L 品牌:台湾光宝 封装:LSOP-6 引脚数量:6 类型:光耦 特性:台湾光宝、IGBT驱动器、储能专用光耦\高速光耦 封装尺寸:如图 工作温度:-55°C~100°C LTV-50L描述: LTV-50L ......
LTV L-ASEMI 高速 ASEMI 50

文心一言 VS 讯飞星火 VS chatgpt (47)-- 算法导论6.1 5题

# 五、一个已排好序的数组是一个最小堆吗? ## 文心一言: 一个已排好序的数组不一定是一个最小堆。最小堆是一种特殊的二叉树,它满足以下性质:对于任意节点 x,其父节点 y 的值都小于等于 x 的值。而一个已排好序的数组只是一个有序数组,它满足任意的元素都是按从小到大的顺序排列的,但并不一定满足最小 ......
文心 导论 算法 chatgpt VS

ASEMI快恢复二极管MUR80100PT功能和应用实用指南

编辑-Z MUR80100PT是一种高性能、超快恢复二极管,设计用于各种应用,包括电源、逆变器和电机控制系统。本文将提供一个全面的指南,以了解MUR80100PT的特点和应用,以及它在提高电子设备的效率和可靠性方面的重要性。 MUR80100PT的特点 1.超快恢复时间:MUR80100PT拥有仅3 ......
二极管 功能 指南 ASEMI 80100

MUR80120PT-ASEMI快恢复二极管MUR80120PT

编辑-Z MUR80120PT在TO-247封装里采用的2个芯片,其尺寸都是140MIL,是一款高耐压大电流快恢复二极管。MUR80120PT的浪涌电流Ifsm为600A,漏电流(Ir)为10uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。MUR80120PT采用抗冲击硅芯片材质,里面有2颗芯片组成 ......
80120 二极管 MUR PT-ASEMI ASEMI

LTV-M601-ASEMI代理台湾光宝储能专用光耦LTV-M601

编辑:ll LTV-M601-ASEMI代理台湾光宝储能专用光耦LTV-M601 型号:LTV-M601 品牌:台湾光宝 封装:SOP-5 工作温度:-40°C~85°C LTV-M601特性: LTV-M601系列由高效AlGaAs发光二极管和高速光学探测器组成。这是独一无二的该设计提供了最大的交 ......
LTV-M LTV 601 ASEMI