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放大器
使用gm/ID方法设计二级运算放大器
1 设计指标 运算放大器采用图1所示的电路结构,电路中的电流源均采用共源共栅结构,可以获得较高的共模抑制比和电流复制精度。其性能指标为增益带宽积GBW=100MHz,负载电容CL=2pF。本设计采用的工艺库中NMOS的最小沟道长度为0.5μm,PMOS的最小沟道长度为0.55μm。 图1 二级运算放 ......
运算放大器
放大器
方法
gm
ID
更新时间 2023-03-22
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