1、产品概述
MxSMIO™双工系列不仅提供单I/O，还提供具有双传输速率（DTR）模式操作的四I/O接口，可提供高达400MHz的快速数据传输速率，使其成为业界最快的串行闪存。MXSMIO™双工系列提供64MB至128MB的密度，并在引导扇区上提供独立的块锁定保护。
串行闪存正在以相同的密度迅速取代并行闪存成为代码存储市场。上图清楚地显示了迁移到串行闪存设备的优势。对于并行互连，存在具有16条数据总线和19条地址总线线路的38个外部连接，而SPI总线接口仅具有4个互连信号。不仅简化了版图，而且SPI总线接口也减小了控制芯片的尺寸。例如，在ODD应用中，控制器尺寸从QFP240减小到QFP208引脚封装，并且基于这种减小的布线不仅减小了印刷电路板的尺寸，还减小了EMI和串扰。
（NOR）MX66L1G45GXDI-08G、MX66L1G45GMI-08G、MX66LM1G45GXDI00串行闪存器件 —— 明佳达
2、器件参数
① MX66LM1G45GXDI00 IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 24CSPBGA
存储器类型：非易失
存储器格式：闪存
技术：FLASH - NOR
存储容量：1Gb
存储器组织：128M x 8
存储器接口：SPI - 四 I/O，DTR
时钟频率：133 MHz
写周期时间 - 字，页：40µs，750µs
电压 - 供电：2.7V ~ 3.6V
工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：24-TBGA
供应商器件封装：24-CSPBGA（6x8）
基本产品编号：MX66LM1
② MX66L1G45GMI-08G IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 16SOP
存储器类型：非易失
存储器格式：闪存
技术：FLASH - NOR
存储容量：1Gb
存储器组织：128M x 8
存储器接口：SPI - 四 I/O，DTR
时钟频率：166 MHz
写周期时间 - 字，页：60µs，3ms
电压 - 供电：2.7V ~ 3.6V
工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）
供应商器件封装：16-SOP
基本产品编号：MX66L1
③ MX66L1G45GXDI-08G IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 24CSPBGA
存储器类型：非易失
存储器格式：闪存
技术：FLASH - NOR
存储容量：1Gb
存储器组织：128M x 8
存储器接口：SPI - 四 I/O，DTR
时钟频率：166 MHz
写周期时间 - 字，页：60µs，3ms
电压 - 供电：2.7V ~ 3.6V
工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：24-TBGA
供应商器件封装：24-CSPBGA（6x8）
基本产品编号：MX66L1
3、MXSMIO™系列应用包括：
• 光盘驱动器
• 数字电视
• DVD播放器
• 无线局域网
• 打印机
• 摄像头模块
• 键盘控制器
一些不同的应用将使用新一代“ MxSMIOTM闪存系列”作为其主流NOR闪存，如UWB、GE-PON、PLC、DSL机顶盒、高速服务器、PC主板、笔记本电脑、图形卡、HDD、电子词典、调制解调器等。
4、特点
• 读取性能与并行闪存相当
• 系统启动时间更短
• 布局简化
• 串线较少
• 更低的功耗
• 减少引脚数（控制器或ASIC芯片）
• 减少代码执行的RAM缓冲区大小（从串行闪存直接访问）
• 降低系统BOM成本
5、封装
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