动态随机存取内存W631GG6NB15I、W631GG6NB-15、W631GG6NB-12、W631GG6NB12I 1Gb DDR3 SDRAM

发布时间 2023-10-23 17:12:33作者: mingjiada

简介

W631GG6NB是1G位DDR3 SDRAM,组织为8,388,608字,8个存储体,16位。该器件可实现高达2133 MT/s(DDR3-2133)的高速传输速率,适用于各种应用。该设备分为以下速度等级:-09、-11、-12、-15、09I、11I、12I、15I、09J、11J、12J和15J。

其中-12、12i和12J速度等级符合DDR3-1600(11-11-11)规范(12i工业级保证支持-40°C≤TCASE≤95°C,12J工业增强级保证支持-40°C≤TCASE≤105°C)。而-15、15i和15J速度等级符合DDR3-1333(9-9-9)规范(15i工业级保证支持-40°C≤TCASE≤95°C,15J工业增强型保证支持-40°C≤TCASE≤105°C)。

器件规格

1、W631GG6NB12I存储器 IC DRAM 1GBIT SSTL 15 96VFBGA
存储器类型:易失
存储器格式:DRAM
技术:SDRAM - DDR3
存储容量:1Gb
存储器组织:64M x 16
存储器接口:SSTL_15
时钟频率:800 MHz
写周期时间 - 字,页:15ns
访问时间:20 ns
电压 - 供电:1.425V ~ 1.575V
工作温度:-40°C ~ 95°C(TC)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:96-VFBGA
供应商器件封装:96-VFBGA(7.5x13)

2、W631GG6NB-12 IC DRAM 1GBIT SSTL 15 96VFBGA
存储器类型:易失
存储器格式:DRAM
技术:SDRAM - DDR3
存储容量:1Gb
存储器组织:64M x 16
存储器接口:SSTL_15
时钟频率:800 MHz
写周期时间 - 字,页:15ns
访问时间:20 ns
电压 - 供电:1.425V ~ 1.575V
工作温度:0°C ~ 95°C(TC)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:96-VFBGA
供应商器件封装:96-VFBGA(7.5x13)

3、W631GG6NB-15 IC DRAM 1GBIT SSTL 15 96VFBGA
存储器类型:易失
存储器格式:DRAM
技术:SDRAM - DDR3
存储容量:1Gb
存储器组织:64M x 16
存储器接口:SSTL_15
时钟频率:667 MHz
写周期时间 - 字,页:15ns
访问时间:20 ns
电压 - 供电:1.425V ~ 1.575V
工作温度:0°C ~ 95°C(TC)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:96-VFBGA
供应商器件封装:96-VFBGA(7.5x13)

4、W631GG6NB15I IC DRAM 1GBIT SSTL 15 96VFBGA
存储器类型:易失
存储器格式:DRAM
技术:SDRAM - DDR3
存储容量:1Gb
存储器组织:64M x 16
存储器接口:SSTL_15
时钟频率:667 MHz
写周期时间 - 字,页:15ns
访问时间:20 ns
电压 - 供电:1.4V ~ 1.6V
工作温度:-40°C ~ 95°C(TC)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:96-VFBGA
供应商器件封装:96-VFBGA(7.5x13)
基本产品编号:W631GG6NB

(明佳达)动态随机存取内存W631GG6NB15I、W631GG6NB-15、W631GG6NB-12、W631GG6NB12I 1Gb DDR3 SDRAM

功能框图

 

封装

 

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