编辑：ll
7N65-ASEMI高压NPN型MOS管7N65
型号：7N65
品牌：ASEMI
连续漏极电流(Id)：4A
漏源电压(Vdss)：650V
栅极阈值电压：±30V
单脉冲雪崩能量：150mJ
集电极电流（脉冲）：8A
导通内阻RDS(on)：1.3Ω
功率(Pd)：50W
芯片个数：1
封装：TO-220F
工作温度：-55°C~150°C
引脚数量：3
类型：插件塑封二极管、高压MOS管
7N65描述：
采用先进的沟槽技术，提供出色的RDS（ON）、低栅极电荷和低至1.8V的栅极电压操作。该器件适用于负载开关应用。
7N65应用领域
PWM应用
负载开关
电源管理
开关电源
