TI 33063芯片DC-DC升压电路设计

发布时间 2023-11-09 09:43:43作者: come_on_hands

 

如datasheet参考设计电路图,本设计使用锂电池3.7V升压至5V,计算各电容电阻值

计算参数如下:

 分别

1、是Vsat芯片内部三极管饱和电压,如下图,因为是升压电路,所以Vsat取值0.45V

2、VF是二极管压降,这里选用1N5819W,压降为0.9V。

3、Vin=3.7V~5V,这里设计取值4.5V。

4、Vout=5V

5、Iout这里设计1A电流

6、Vripple是电源开关频率,这里设计常用值100KHz,即10us

需要计算的参数如下表:

 1、ton/toff = (5+0.9-4.5)/(4.5-0.45)=0.34567

2、ton+toff = 10us ,(DCDC和LDO电路设计上有一个非常大的区别就是DCDC电路包含电感,而LDO电路则没有电感,如果这里的开关频率取值高,那么电感值小,但是损耗也更大。如果这里的开关频率取值低,那么需要的电感值就大,这有点类似于运放的增益带宽积,是一个平衡问题,看具体设计而选择不同的值,所以取一个常用值100k。)

3、toff = 10us / (0.34567 + 1) = 7.43us

4、ton = 10 - 7.43 = 2.77us

5、CT = 40pF x 2.77s =110pF

6、IPK = 2 x 1(0.34567+1) =2.7A

7、RSC = 0.3/2.7A  = 0.11欧

8、L(min) = (4.5 - 0.45) / 2.7A x 2.77us = 4.155uH

9、Co = 9 x 1A x 2.77us / 10us =250uF

10、Vout = 5V =1.25(1+30K/10K)