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33063
TI 33063芯片DC-DC升压电路设计
如datasheet参考设计电路图,本设计使用锂电池3.7V升压至5V,计算各电容电阻值 计算参数如下: 分别 1、是Vsat芯片内部三极管饱和电压,如下图,因为是升压电路,所以Vsat取值0.45V 2、VF是二极管压降,这里选用1N5819W,压降为0.9V。 3、Vin=3.7V~5V,这里设 ......
电路设计
电路
芯片
33063
DC-DC
更新时间 2023-11-09
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