Memory Bist

发布时间 2023-10-29 14:48:33作者: Icer_Newer
  • SRAMC主要是对SRAM进行控制
  • 对于SRAM的逻辑,根据地址将数据存储到SRAM中,然后根据地址将SRAM中的数据读取出来
    如何测试Memory,生产工艺原因造成的问题,采用DFT或者Bist测试方法
  • DFT - 在代码中加入测试逻辑,之后通过这部分逻辑对芯片进行测试

What is manufacturing test?

  • 芯片在FAB生产之后,会有错误,通过ATE基台进行测试,打入信号,检查输出信号是否正确

What is a physical defect?

  • 物理缺陷(失效) - 与门、或门、非门、线路出现问题,晶体管常开或者是氧化层开洞
  • short Circuit - 短路
  • open Circuit - 开路
  • DFT - 可观测性和可控性,覆盖率比较高的时候,可以认为所有的寄存器都被观测到

CMOS Inverter Layout

  • 红色的是金属层

Stuck-at fault model

  • SA1 - 短接到1,或非门短接到1,输出都是0
  • SA1 - 与门短接到地,不管输入如何变化,输出都是0
  • 对于Standcesll,通过插入的Scan chain,输出错误表示芯片有问题

Soc中的DFT和BIST

  • 一个Soc中有很多memory,通过IO连在一起进行测试是不可行的,对于布线压力很大。
  • 对Memory进行测试,借助读写逻辑,借助状态机,设置一个模块嵌在memory中,进行测试。

含DFT设计的流程

  • 不插入扫描链的寄存器都是普通的寄存器,插入扫描链之后的寄存器都被替换为插入扫描链的寄存器
  • 插入DFT逻辑在寄存器之前加mux,通过mux进行function mode和test mode进行选择
  • DFT也是一种设计,添加mux会增加面积

嵌入式Memory的测试方法

  • CPU进行测试,需要一个Memory一个Memory进行测试,效率比较低
  • CPU在测试Memory,因为Memory的的深度不同,软件复用性差

MBIST概述


MBIST架构


MBIST实现与EDA工具

  • 通常MBIST逻辑由EDA工具生成

March算法


  • 复杂度主要是时间复杂度

March算法的硬件实现