芯片制造金属化分析

发布时间 2023-10-03 05:49:17作者: 吴建明wujianming
芯片制造金属化分析
CMOS:标准金属化

 铜金属化

 连接尖峰

 钛的应用

 接触过程的演变

 金属CVD舱室

 钨籽层和大块层

 CVD PVD和CVD TiN层

 预清洁Ti/TiN PVD

 PVD固体材料

CVD气体或蒸汽

 热蒸发

 电子束蒸发器

 溅射

 动量转移将使表面原子脱离直流二极管溅射

 磁控溅射示意图

 带护罩的PVD室

 PVD系统

 预清洁过程

 TiN的三个应用

 电化学镀铜

 化学添加剂在自下而上填充中的作用

 通过填充进行电化学电镀

 铜CVD