可控硅
可控硅(晶闸管)选型参数
电流1. 额定通态电流(IT)即最大稳定工作电流,俗称电流。常用可控硅的IT一般为一安到几十安。耐压2. 反向重复峰值电压(VRRM)或断态重复峰值电压(VDRM),俗称耐压。常用可控硅的VRRM/VDRM一般为几百伏到一千伏。触发电流3. 控制极触发电流(IGT),俗称触发电流。常用可控硅的IGT ......
ASEMI代理ST可控硅BTA41封装,BTA41图片
编辑-Z BTA41参数描述: 型号:BTA41 封装:TO-3P RMS导通电流IT(RMS):40A 非重复浪涌峰值导通电流ITSM:420A 峰值栅极电流IGM:8A 平均栅极功耗PG:1W 存储接点温度范围Tstg:-40 to +150℃ 工作接点温度范围Tj:-40 to +125℃ V ......
ASEMI代理ST可控硅BTA16的工作原理与应用分析
编辑-Z 本文将对可控硅BTA16的工作原理与应用进行详细的分析。首先,我们将介绍可控硅BTA16的基本概念和工作原理,然后,我们将探讨其在电力电子设备中的应用,接着,我们将分析其在电力调节中的作用,最后,我们将讨论其在电力系统保护中的应用。全文将从理论和实践两个方面,全面解析可控硅BTA16的工作 ......
ASEMI代理NXP可控硅BT139-600E参数,BT139-600E规格
编辑-Z BT139-600E参数描述: 型号:BT139-600E 断态重复峰值电压VDRM:600V RMS导通电流IT(RMS):16A 非重复峰值导通电流ITSM:155A 峰值栅极电流IGM:2A 峰值栅极功率PGM:5W 储存温度Tstg:-40~ 150℃ 结点温度Tj:125℃ 栅极 ......
ASEMI代理NXP高压三端双向可控硅BT139-800E综合指南
编辑-Z BT139-800E是一种高压三端双向可控硅开关,近年来由于其卓越的性能和多功能性而广受欢迎。这种强大的半导体器件广泛应用于各种应用,包括电机控制、照明控制和温度调节。 BT139-800E的特点 1.高压能力:BT139-800E设计用于处理高压,最大重复关断状态电压(VDRM)为800 ......
BTA41-ASEMI代理意法双向可控硅BTA41
编辑:ll BTA41-ASEMI代理意法双向可控硅BTA41 型号:BT139-800E 品牌:ST/意法 封装:TO-3P 工作温度:-40°C~150°C BTA41描述: BTA41、BTA40和BTB41有电源包可供选择,适用于一般目的交流开关。当与尺寸合适的散热器一起使用时,BTA40、 ......
BTA16-ASEMI代理意法原装可控硅BTA16
编辑:ll BTA16-ASEMI代理意法原装可控硅BTA16 型号:BTA41 品牌:ST/意法 封装:TO-220 正向电流:16A 反向电压:600V 引脚数量:3 类型:双向可控硅 特性:双向可控硅、意法原装可控硅 工作温度:-40°C~150°C 封装尺寸:如图 BTA16产品描述: BT ......
BT139-800E-ASEMI代理恩智浦双向可控硅BT139-800E
编辑:ll BT139-800E-ASEMI代理恩智浦双向可控硅BT139-800E 型号:BT139-800E 品牌:NXP/恩智浦 封装:TO-220 BT139-800E产品特性: 电压性能最高可达800伏平面钝化电压的坚固性和可靠性60Hz半周期内,浪涌性能高达140A在所有四个象限触发 B ......
BT139-600E-ASEMI代理恩智浦原装可控硅BT139-600E
编辑:ll BT139-600E-ASEMI代理恩智浦原装可控硅BT139-600E 型号:BT139-600E 品牌:NXP/恩智浦 封装:TO-220 正向电流:16A 反向电压:600V 引脚数量:3 类型:双向可控硅 特性:双向可控硅、恩智浦原装可控硅 工作温度:-40°C~150°C 封装 ......
ABB IGCT 5SHY3545L0020 可控硅 5SHY系列可控硅都有货
ABB IGCT 5SHY3545L0020 可控硅 5SHY系列可控硅都有货 ABB IGCT 5SHY3545L0020 可控硅 5SHY系列可控硅都有货 任何复杂SCADA系统设计的很大一部分都涉及匹配连接设备之间的协议和通信参数。大约有 200 个这样的实时用户层和应用程序协议。其中包括专有 ......
ASEMI单向可控硅BT169D参数,BT169D规格,BT169D大小
编辑-Z 单向可控硅BT169D参数: 型号:BT169D 断态重复峰值电压VDRM:600V 平均通电电流IT(AV):0.6A R.M.S通电电流IT(RMS):0.8A 通态浪涌电流ITSM:10A 平均栅极功耗PG(AV):0.1W 峰值门功率耗散PGM:0.5W 工作接点温度Tj:-40~ ......
ASEMI代理KY可控硅BT169的工作原理及应用领域
编辑-Z 本文主要介绍了可控硅BT169的工作原理及其在各个领域的用。首先,我们将详细阐述可控硅BT169的工作原理,包括结构特点、工作过程等;其次,我们将探讨可控硅BT169在家用电器、工业控制、电力电子等领域的应用。 1、可控硅BT169的工作原理 可控硅BT169是一种三端双向可控硅,具有结构 ......
ASEMI单向可控硅BT151参数,BT151封装,BT151体积
编辑-Z 单向可控硅BT151参数: 型号:BT151 存储接点温度范围Tstg:-40~150℃ 工作接点温度范围Tj:-40~125℃ 断态重复峰值电压VDRM:650V 重复峰值反向电压VRRM:650V RMS导通电流IT(RMS):12A 非重复浪涌峰值导通电流ITSM:120A 峰值栅极 ......
ASEMI双向可控硅BT137性能特点, BT137应用及购买指南
编辑-Z 本文将详细介绍可控硅BT137的性能特点、应用领域以及购买时需要注意的事项,帮助您更好地了解和选择BT137可控硅。 一、BT137可控硅简介 可控硅(Silicon Controlled Rectifier,简称SCR)是一种四层三端半导体器件,具有高功率、高压、高温等优点,广泛应用于各 ......
BT169D-ASEMI单向可控硅BT169D参数、尺寸、规格
编辑:ll BT169D-ASEMI单向可控硅BT169D参数、尺寸、规格 型号:BT169D 品牌:ASEMI 封装:TO-92 正向电流:0.8A 反向电压:600V 引脚数量:3 芯片个数:1 芯片尺寸: 漏电流:>10ua 恢复时间: 浪涌电流:30A 包装方式:盘装 封装尺寸:如图 特性: ......
BT169-ASEMI代理KY控制器单向向可控硅BT169
编辑:ll BT169-ASEMI代理KY控制器单向向可控硅BT169 型号:BT169 品牌:ASEMI 封装:TO-92 特性:可控硅 正向电流:1A 反向耐压:600V 引脚数量:3 芯片个数:1 包装方式:3000pcs/盘 浪涌电流:40A 特点:单向可控硅 工作温度:-40℃~150℃ ......
ASEMI代理长电可控硅BT136参数,BT136规格,BT136说明
编辑-Z 长电可控硅BT136参数: 型号:BT136 RMS通态电流IT(RMS):6A 非重复浪涌峰值导通电流ITSM:25A 峰值栅极电流IGM:2A 平均栅极功耗PG(AV):0.5W 存储接点温度范围Tstg:-40 to +150℃ 工作接点温度范围Tj:-40 to +125℃ 额定重 ......
ASEMI代理长电可控硅BT134的工作原理,BT134的应用领域
编辑-Z 本文将对可控硅BT134的工作原理及应用领域进行详细阐述。首先,我们将介绍可控硅BT134的基本概念和工作原理;其次,我们将探讨可控硅BT134在电力电子领域的应用;接着,我们将分析可控硅BT134在家用电器中的应用;最后,我们将讨论可控硅BT134在工业自动化领域的应用。 1、可控硅BT ......
BT151-ASEMI单向可控硅BT151参数、尺寸、规格
编辑:ll BT151-ASEMI单向可控硅BT151参数、尺寸、规格 型号:BT151 品牌:ASEMI 封装:TO-252 正向电流:12A 反向电压:650V 引脚数量:3 芯片个数:1 芯片尺寸: 漏电流:>10ua 恢复时间: 浪涌电流:30A 包装方式:盘装 封装尺寸:如图 特性:单向可 ......
BT137-ASEMI双向可控硅BT134参数、尺寸、规格
编辑:ll BT137-ASEMI双向可控硅BT134参数、尺寸、规格 型号:BT137 品牌:ASEMI 封装:TO-220 特性:可控硅 正向电流:8A 反向耐压:600V 引脚数量:3 芯片个数:1 包装方式:3000pcs/盘 浪涌电流:40A 特点:双向可控硅 工作温度:-40℃~150℃ ......
ASEMI代理韦达可控硅2P4M参数,2P4M图片,2P4M大小
编辑-Z 韦达可控硅2P4M参数: 型号:2P4M 断态重复峰值电压VDRM:600V 重复峰值反向电压VRRM:600V RMS导通电流IT(RMS):2A 非重复浪涌峰值导通电流ITSM:20A 平均栅极功耗PG(AV):0.1W 峰值栅极功率PGM:0.5W IGT:50μA VGT:0.6V ......
ASEMI代理韩景元可控硅C106M参数,C106M封装,C106M尺寸
编辑-Z 韩景元可控硅C106M参数: 型号:C106M 断态重复峰值电压VDRM:600V 通态电流IT(RMS):4A 通态浪涌电流ITSM:30A 平均栅极功耗PG(AV):0.2W 峰值门功率耗散PGM:1W 工作接点温度Tj:-40~125℃ 储存温度TSTG:-40~150℃ 断态重复峰 ......
BT136-ASEMI代理长电原装双向可控硅BT136
编辑:ll BT136-ASEMI代理长电原装双向可控硅BT136 型号:2P4M 品牌:长电\CJ 封装:TO-220 正向电流:6A 反向电压:800V 引脚数量:3 芯片个数:1 芯片尺寸: 漏电流:>10ua 恢复时间: 浪涌电流:30A 包装方式:盘装 封装尺寸:如图 特性:单向可控硅 工 ......
BT134-ASEMI代理长电原装双向可控硅BT134
编辑:ll BT134-ASEMI代理长电原装双向可控硅BT134 型号:BT134 品牌:长电\CJ 封装:TO-126 特性:可控硅 正向电流:4A 反向耐压:600V 引脚数量:3 芯片个数:1 包装方式:3000pcs/盘 浪涌电流:40A 特点:单向可控硅 工作温度:-40℃~150℃ B ......
ASEMI代理长电MCR100-6可控硅的性能与应用分析
编辑-Z 本文主要介绍了新型MCR100-6晶闸管的性能与应用。首先,从晶闸管的基本原理和结构出发,分析了MCR100-6晶闸管的性能特点;其次,探讨了MCR100-6晶闸管在各种电子电路中的应用;最后,对MCR100-6晶闸管的发展前景进行了展望。 1、MCR100-6晶闸管的基本原理和结构 MC ......
ASEMI代理韩景元可控硅BT131规格,BT131大小,BT131体积
编辑-Z 韩景元可控硅BT131参数: 型号:BT131 断态重复峰值电压VDRM:600-800V 通态电流IT(RMS):1A 通态浪涌电流ITSM:12A 平均栅极功耗PG(AV):0.3W 峰值栅极电流IGM:1.2A 工作接点温度Tj:-40~125℃ 储存温度TSTG:-40~150℃ ......
2P4M-ASEMI代理伟达原装单向可控硅2P4M
编辑:ll 2P4M-ASEMI代理伟达原装单向可控硅2P4M 型号:2P4M 品牌:韦达\WEIDA 封装:TO-252 正向电流:2A 反向电压:600V 引脚数量:3 芯片个数:1 芯片尺寸: 漏电流:>10ua 恢复时间: 浪涌电流:30A 包装方式:盘装 封装尺寸:如图 特性:单向可控硅 ......
BT131-ASEMI代理KY原装双向可控硅BT131
编辑:ll BT131-ASEMI代理KY原装双向可控硅BT131 型号:BT131 品牌:韩景元\KY 封装:TO-92 特性:可控硅 正向电流:1A 反向耐压:600V 触发电压: 0.62~0.8 V 引脚数量:3 芯片个数:1 包装方式:3000pcs/盘 浪涌电流:40A 特点:单向可控硅 ......
ASEMI代理长电可控硅MCR100-8特征,MCR100-8应用
编辑-Z 长电可控硅MCR100-8参数: 型号:MCR100-8 VDRM/VRRM:600V IT(RMS):0.8A 结点温度Tj:-40~125℃ 储存温度Tstg:-55 ~ 150℃ 通态电压VTM:1.7V 栅极触发电压VGT:0.8V 正向或反向阻断电流峰值:10µA 保持电流IH: ......