FQL

编辑-Z FQL40N50参数描述： 型号：FQL40N50 漏源电压VDSS：500V 漏极电流ID：40A 漏极电流-脉冲IDM：160A 栅极-源极电压VGSS：±30V 功耗PD：460W 操作和储存温度范围TJ, TSTG：-55 to +150℃ 零栅极电压漏极电流IDSS：1uA 栅极 ......

编辑：ll FQL40N50-ASEMI代理安森美原装MOS管FQL40N50 型号：FQL40N50 品牌：ON/安森美 封装：TO-264 最大漏源电流：40A 漏源击穿电压：500V RDS（ON）Max：110mΩ 引脚数量：3 工作温度：-55℃~150℃ 沟道类型：N沟道MOS管、高压M ......