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IMBF
ASEMI代理英飞凌MOS管IMBF170R1K0M1中文资料
编辑-Z IMBF170R1K0M1参数: 漏源电压:1700V 直流漏极电流:5.2A 功率耗散:68W 工作结温:-55~175℃ 储存温度:-55~150℃ 漏极源导通状态电阻:1000mΩ 栅极-源极阈值电压:4.5V 输入电容:275pF MOS管IMBF170R1K0M1是一款高性能的N ......
资料
ASEMI
170R
IMBF
170
更新时间 2023-06-05
IMBF170R1K0M1-ASEMI代理英飞凌高压MOS管IMBF170R1K0M1
编辑:ll IMBF170R1K0M1-ASEMI代理英飞凌MOS管IMBF170R1K0M1 型号:IMBF170R1K0M1 品牌:英飞凌 封装:TO-263 最大漏源电流:31A 漏源击穿电压:600V RDS(ON)Max:99mΩ 引脚数量:3 特点 革命性的半导体材料-碳化硅 针对飞回拓 ......
IMBF
高压
170
ASEMI
0M
更新时间 2023-06-03
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