IPB

编辑-Z IPB64N25S3-20参数描述： 型号：IPB64N25S3-20 持续漏极电流：64A 脉冲漏极电流：256A 雪崩电流，单脉冲：27A 栅极-源极电压：±20V 功率耗散：300W 操作和储存温度：-55 to +175℃ 漏源击穿电压：250V 栅极阈值电压：3V 零栅极电压漏极 ......

编辑：ll IPB60R099CP-ASEMI代理英飞凌高压MOS管IPB60R099CP 型号：IPB60R099CP 品牌：英飞凌 封装：TO-263 最大漏源电流：31A 漏源击穿电压：600V RDS（ON）Max：99mΩ 引脚数量：3 芯片个数： 沟道类型：N沟道MOS管、高压MOS管 ......

编辑：ll IPB60R950C6-ASEMI代理英飞凌高压MOS管IPB60R950C6 型号：IPB60R950C6 品牌：Infineon(英飞凌) 封装：TO-263 最大漏源电流：12A 漏源击穿电压：600V RDS（ON）Max：0.95Ω 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管 芯片 ......