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Q-ASEMI
IXFH4N100Q-ASEMI代理艾赛斯MOS管IXFH4N100Q
编辑:ll IXFH4N100Q-ASEMI代理艾赛斯MOS管IXFH4N100Q 型号:IXFH4N100Q 品牌:IXYS/艾赛斯 封装:TO-247 最大漏源电流:4A 漏源击穿电压:1000V RDS(ON)Max:3Ω 引脚数量:3 工作温度:-55℃~150℃ 沟道类型:N沟道MOS管、 ......
IXFH4
IXFH
100
Q-ASEMI
IXFH4N
更新时间 2023-06-10
共1篇 :1/1页
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