TLC

slc（单层存储单元）理论擦写次数10万次，mlc（双层存储单元）3000-10000次；tlc（三层存储单元）500-1000次；qlc（四层存储单元）仅仅150次 1、生产成本上 slc＞mlc＞tlc＞qlc2、读写速度上 slc＞mlc＞tlc＞qlc 3、在使用寿命上 slc＞mlc＞tl ......

提到QLC闪存，几乎没多少人待见它，性能、可靠性比其他闪存都要差不少，以致于对比之下TLC都成香饽饽了，但是技术也是在发展的，有着Intel血统的Solidigm推出的第四代QLC闪存已经刮目相看。 Solidigm是SK海力士收购Intel闪存业务之后成立的合资公司，独立运营，技术体系源于之前的I ......