常规电路术语
1、 MOS和BJT的区别：
金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）和双极晶体管（Bipolar Junction Transistor，BJT）是两种不同类型的半导体器件，它们在结构、工作原理和应用方面存在明显的区别。
以下是MOSFET和BJT之间的主要区别：
结构：
MOSFET： MOSFET是一种场效应晶体管，主要由金属栅极、绝缘层和半导体材料构成。栅极电场控制通道中的电荷，从而控制电流流动。
BJT： BJT是一种双极晶体管，主要由两种不同类型的半导体材料（P型和N型）构成，包括发射极、基极和集电极。
工作原理：
MOSFET： MOSFET的工作原理基于栅极电场效应，通过改变栅极电压来控制电子或空穴的通道中的电流。MOSFET通常用于开关和放大电子信号。
BJT： BJT的工作原理基于电子和空穴注入、扩散和漂移，通过控制基极电流来调控发射极和集电极之间的电流。BJT通常用于放大和开关信号，既可以控制电子流，也可以控制空穴流。
控制：
MOSFET： MOSFET通过栅极电压来控制通道中的电流，具有非常高的输入电阻，通常用于低功耗应用。
BJT： BJT通过基极电流来控制发射极和集电极之间的电流，具有相对较低的输入电阻。
电流极性：
MOSFET： MOSFET可以控制电子或空穴的电流，取决于器件类型（N型或P型）。
BJT： BJT通常只能控制一种电荷极性，即电子流或空穴流。
应用：
MOSFET： MOSFET常用于数字电路、功率放大器、开关电路和模拟电路中，特别在集成电路中应用广泛。
BJT： BJT常用于放大器、振荡器、开关电路和高频放大器中，特别在射频和模拟电路中应用广泛。
2、双栅极是什么？
双栅极（Double-Gate）： 传统的晶体管通常有单个栅极，而双栅极晶体管有两个栅极，一个位于上方，一个位于下方。这种结构允许更好地控制电子流，因为它提供了更多的控制点。
上栅极控制：上方栅极可以用来控制电子流，类似于传统的场效应晶体管（FET）。当上栅极施加电压时，它会改变重叠区域的电子通道的导电性，从而控制电流的通断。
下栅极控制：下方栅极则控制电子和空穴之间的注入和传输。这是双极晶体管的特点，因为电子和空穴有不同的电荷性质，下栅极可以调控它们的流动。
3、异质结是什么？
异质结（Heterojunction）： 异质结是两个半导体材料之间的界面，它们的能带结构和电子特性不同。在异质结晶体管中，通常会使用不同的半导体材料来构建不同部分，以实现更好的电子传输性能。
4、电场屏蔽（electric=field screening）是什么？
电场屏蔽：当一个带电粒子被放置在一个带电环境中时，周围的电场会对该粒子施加力。然而，如果存在其他电荷粒子在周围，它们会改变周围的电场分布，从而减弱或屏蔽掉原始电场的一部分。
超position原理： 电场满足叠加原理，即总电场是所有电荷粒子产生的电场的矢量和。这意味着当多个电荷粒子同时存在时，它们的电场会相互叠加。因此，一个粒子受到的总电场是其自身产生的电场与周围其他电荷粒子产生的电场之和。
电场屏蔽效应： 当周围存在其他电荷粒子时，它们会改变电场的分布。负电荷会抑制周围正电荷的电场，而正电荷会抑制周围负电荷的电场。这种相互作用导致在局部区域内，电场的强度降低，或者说被屏蔽掉，因此，一个粒子受到的电场可能比在没有其他电荷的情况下要弱。