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在tON期间，MOSFET导通，输出电容器为负载供电。
在tOFF期间，MOSFET关断，变压器原边的能量开始传递到副边侧，开始为输出电容器充电及为负载供电。
如上图所示，反激变换器有两种工作模式，具体是工作在什么模式由原边的Lp决定，或者说是看流过原边电感的电流决定。
DCM断续模式：原边电流从零开始上升的三角波。
CCM连续模式：原边电流从某一非零值上升的侧梯形波。
工作CCM模式时，输出电压与负载电流无关。
工作DCM模式时，输出电压受负载影响，为了控制电压恒定，占空比必须随着负载电流的变化而变化。
昨天的内容实际上讲过这两种模式不是固定的。
不同模式下反激变压器的设计原则
断续和连续是在一些负载的情况下，当负载变得较大时，断续模式也会变成连续模式，而正常负载都是连续模式的电源，在负载较小时，也可能会变成断续模式。
CCM模式下，输出电压与输入电压关系满足Vout=DVin，也是我们常说的等匝比守恒。
DCM模式下，满足的实际上是恒功率，计算时不能简单的套用Vout=DVin，中间还有一段“死区”时间。
连续模式（CCM）
优点：初级峰值电流相对较小，但会叠加较大的直流成分，需要增加气隙以防止变压器饱和；
占空比跟输出的电流大小无关，故适合于负载电流变化较大的场合；
对次级输出的电容要求相对较低，有利于降低电容的容量于体积。
缺点：次级整流二极管存在反向恢复的问题，从而引起发热与EMI（电磁干扰）问题；
反馈补偿复杂，存在右半面零点的问题；
需要较大的磁芯于较多的初级匝数。
断续模式（DCM）
优点：初级开关管开通前，次级整流二极管就已经关闭，所以不存在反向恢复的问题；
反馈补偿容易，不存在右半面零点的问题，所以负载电流突变引起的瞬态响应更快，动态好，过冲也不会太高。
缺点：所有功率元器件承受的峰值电流都比较大，电流的有效值也大，在一定程度上会影响电路的效率；大的di/dt会带来EMI（电磁干扰）问题；
因为占空比跟输出的电流大小有关，要得到稳定的输出，必定有个最小负载的问题；
对次级输出的电容要求也更高，否则会有很大的波纹问题。
效率：在DCM模式下，由于二极管上没有反向恢复损耗且MOSFET为软导通，其效率要高于CCM模式。但如果占空比太小，则为原边电感充电的电流将非常高，这会降低变换器的整体效率。
变压器：至于变压器的尺寸，由于DCM模式需要的电感器较小，因此从理论上讲，它可以使用较小的变压器。但是，由于原边和副边电流的尖峰增加，因此变压器线规也必须加大。可以提高DCM模式下的开关频率，从而应用更小的变压器。
调整率：至于系统调整率和稳定性，DCM模式中的反激拓扑比CCM模式中的反激拓扑更易补偿。这是因为当变换器以CCM模式运行时，会出现不确定的右半平面零点（RHPZ），它会在较低频率上引入不稳定性。DCM模式则将RHPZ推到了更高的频率上，使环路更易补偿，因此可以提供比CCM更快的瞬态响应。此外，当占空比大于0.5时，CCM反激变换器可能会产生次谐波振荡，这意味着需要进行斜率补偿。
EMI：由于DCM模式会对电感器完全充电和放电，因此逻辑上其原边电流纹波要比CCM模式下大很多。电流纹波将产生一个可变信号，由于原边电流回路中不同组件类似天线的行为，该信号随后被传播，并产生显著的电磁干扰（EMI）。
另一方面，DCM反激变换器还实现了零电流开关（ZCS），这减少了整流二极管的反向恢复，从而提高了能源效率。但这种软开关会影响效率并对EMI产生重大影响，因为它必须使用快速恢复二极管来减少能量损耗，但这会在副边产生非常尖锐的电压尖峰，引起振铃，并可能导致高频差模噪声。