高压 效应10n65 asemi
R语言建立和可视化混合效应模型mixed effect model|附代码数据
全文下载链接：http://tecdat.cn/?p=20631 最近我们被客户要求撰写关于混合效应模型的研究报告，包括一些图形和统计输出 我们已经学习了如何处理混合效应模型。本文的重点是如何建立和_可视化_ 混合效应模型的结果 设置 本文使用数据集，用于探索草食动物种群对珊瑚覆盖的影响。 knit ......
R语言用线性混合效应（多水平/层次/嵌套）模型分析声调高低与礼貌态度的关系|附代码数据
全文下载链接：http://tecdat.cn/?p=23681 最近我们被客户要求撰写关于线性混合效应的研究报告，包括一些图形和统计输出。 线性混合效应模型与我们已经知道的线性模型有什么不同 （ 点击文末“阅读原文”获取完整代码数据******** ） ？ 线性混合模型（有时被称为 "多层次模型 ......
ASEMI肖特基二极管MBR40200PT参数和作用详解
编辑-Z 肖特基二极管MBR40200PT是一种高效的电子元件，广泛应用于电源管理和功率控制领域。它具有低导通压降和快速恢复特性，能够在高频率和高温环境下稳定工作。 MBR40200PT采用了肖特基结构，该结构是由一个金属与一个半导体材料接触而形成的。这种结构具有正向电压低、反向漏电流小和快速恢复速 ......
深入探究ASEMI肖特基二极管MBR60100PT的材质
编辑-Z 在电子零件领域中，肖特基二极管MBR60100PT因其出色的性能和广泛的应用而显得尤为关键。理解其材质不仅有助于我们深入理解其运作原理，也有助于我们做出更合适的电子设计。那么，肖特基二极管MBR60100PT是什么材质呢? 首先，我们来解析一下什么是肖特基二极管。在电子元件中，二极管是一个 ......
y电容和高压瓷片电容区别对比
多外观上来看，Y电容和高压瓷片电容非常像，有人甚至这样认为，所谓的Y电容，也就是多了个认证的瓷片电容，事实上真的是这样的吗？Y电容和瓷片电容有区别吗？到底有哪些区别？今天KYET小编就来为大家详细讲解一下。 Y电容确实也属于高压瓷片电容： y电容也就是常见的安规电容器的一种，也可以叫做安全电容。指用 ......
CL08-RG210-ASEMI高压二极管CL08-RG210
编辑：ll CL08-RG210-ASEMI高压二极管CL08-RG210 型号：CL08-RG210 品牌：ASEMI 封装： 恢复时间：80ns 正向电流：0.5A 反向耐压：8000V 反向重复峰值电压：8.0 反正峰值电流：20 芯片个数：1 引脚数量：2 类型：高压二极管、轴向二极管 特性 ......
一个古老的高压限流电路分析
网络上找到吉时利的Model 486和487的图纸，这里只分析一下高压电源部分的输出电路，截图如下，主要分析红框内部的电路。红框外部主要就是控制信号和供电电路，以及DAC。电源设计的挺有意思的，需要低压电路稳定后，高压才可以输出，且高压部分用的软启动方式，避免上电就有高压输出。这些工程上考虑的设计细 ......
KBL610-ASEMI整流桥KBL610参数、规格、尺寸
编辑：ll KBL610-ASEMI整流桥KBL610参数、规格、尺寸 型号：KBL610 品牌：ASEMI 芯片个数：4 封装：KBL-4 恢复时间：＞50ns 工作温度：-55°C~150°C 浪涌电流：200A 正向电流：6A 反向耐压：1000V 正向压降：1.10V 引脚数量：4 KBL6 ......
MBR60100PT-ASEMI肖特基二极管MBR60100PT参数
编辑：ll MBR60100PT-ASEMI肖特基二极管MBR60100PT参数 型号：MBR60100PT 品牌：ASEMI 封装：TO-247 恢复时间：＞50ns 正向电流：60A 反向耐压：100V 芯片个数：2 引脚数量：3 类型：肖特基、插件肖特基二极管 特性：低耐压、高效率 浪涌电流： ......
MBR40200PT-ASEMI肖特基MBR40200PT参数、规格、尺寸
编辑：ll MBR40200PT-ASEMI肖特基MBR40200PT参数、规格、尺寸 型号：MBR40200PT 品牌：ASEMI 芯片个数：2 封装：TO-247 恢复时间：＞50ns 工作温度：-65°C~175°C 浪涌电流：350A 正向电流：40A 反向耐压：200V 正向压降：0.8V ......
MBR20200CT-ASEMI肖特基MBR20200CT参数、规格、尺寸
编辑：ll MBR20200CT-ASEMI肖特基MBR20200CT参数、规格、尺寸 型号：MBR20200CT 品牌：ASEMI 封装：TO-220 恢复时间：＞50ns 正向电流：20A 反向耐压：200V 芯片个数：2 引脚数量：3 类型：肖特基、插件肖特基二极管 特性：低耐压、高效率 浪涌 ......
与普通探头相比，高压差分探头的参数含义和测试方法有什么不同
电源测试中大多数电压测试是浮地测试，需要用差分探头测试。 很多初级工程师在用多个探头进行电源测量时，刚开机电源产品就“炸机”，甚至示波器也发生损坏。 这是因为示波器探头之间是共地的，在同时测量电源原边和副边的时候，如果用一根探头接原边的地，另一根探头接副边的地，相当于把电源的原边和副边的地短路在一起 ......
MBR20100CT-ASEMI肖特基MBR20100CT参数、规格、尺寸
编辑：ll MBR20100CT-ASEMI肖特基MBR20100CT参数、规格、尺寸 型号：MBR20100CT 品牌：ASEMI 芯片个数：2 封装：TO-220 恢复时间：＞50ns 工作温度：-65°C~175°C 浪涌电流：150A 正向电流：10A 反向耐压：100V 正向压降：0.8V ......
MBR10200CT-ASEMI肖特基MBR10200CT参数、规格、尺寸
编辑：ll MBR10200CT-ASEMI肖特基MBR10200CT参数、规格、尺寸 型号：MBR10200CT 品牌：ASEMI 封装：TO-220 恢复时间：＞50ns 正向电流：10A 反向耐压：200V 芯片个数：2 引脚数量：3 类型：肖特基、插件肖特基二极管 特性：低耐压、高效率 浪涌 ......
R语言面板数据回归：含时间固定效应混合模型分析交通死亡率、酒驾法和啤酒税
全文链接：https://tecdat.cn/?p=33874 原文出处：拓端数据部落公众号 面板数据回归可以缓解省略变量偏误的问题，特别是当没有既与感兴趣的回归变量相关又与依赖变量相关的变量信息时，并且这些变量在时间或实体维度上是恒定的。 当客户有面板数据可用时，可以使用面板回归方法来改善多元回归 ......
ASEMI整流桥GBJ2510参数：拆析其关键性能特点
编辑-Z 在众多的电力电子元件中，GBJ2510整流桥以其高效能和可靠性赢得了工业领域的广泛认可。这款设备是在电力系统、直流电源等一系列设备中不可或缺的组件。本文将详细反析GBJ2510整流桥参数的关键性能特点，以帮助用户更加全面地理解和使用这种电子设备。 首先，需要注意的是GBJ2510整流桥的最 ......
ASEMI解读KBL610整流桥的使用说明及操作指南
编辑-Z KBL610整流桥是一种功率电子元件，它在电力系统、电力电子设备中有着广泛的应用。然而，对于初次接触或者专业人士来说，明确使用说明和操作更是关键。那么，让我们一起来详解KBL610整流桥的使用说明及操作指南。 KBL610整流桥简介： KBL610整流桥是一种四端单向导通器件，工作原理是改 ......
MBR10100CT-ASEMI肖特基二极管MBR10100CT
编辑：ll MBR10100CT-ASEMI肖特基二极管MBR10100CT 型号：MBR10100CT 品牌：ASEMI 芯片个数：2 封装：TO-220 恢复时间：＞50ns 工作温度：-65°C~175°C 浪涌电流：150A 正向电流：10A 反向耐压：100V 正向压降：0.8V 引脚数量 ......
GBJ5010-ASEMI电源控制柜专用GBJ5010
编辑：ll GBJ5010-ASEMI电源控制柜专用GBJ5010 型号：GBJ5010 品牌：ASEMI 封装：GBJ-4 恢复时间：＞50ns 正向电流：50A 反向耐压：1000V 芯片个数：4 引脚数量：4 类型：整流桥、功率整流器件 特性：功率整流器件、高性能整流桥 浪涌电流：400A 正 ......
SNP间的上位效应
传统的全基因组关联分析（GWAS）计算的是单个SNP与表型的相关性，除此之外，我们还可以进行SNP之间的互作效应与表型的相关性分析。 上位效应的公式为：Y ~ b0 + b1.A + b2.B + b3.AB + e Y为表型，A和B分别为两个变异位点，在GWAS中通常指SNP，如果b3为显著，则说 ......
GBJ3510-ASEMI电源控制柜专用GBJ3510
编辑：ll GBJ3510-ASEMI电源控制柜专用GBJ3510 型号：GBJ3510 品牌：ASEMI 芯片个数：4 封装：GBJ-4 恢复时间：＞50ns 工作温度：-55°C~150°C 浪涌电流：350A 正向电流：35A 反向耐压：1000V 正向压降：1.05V 引脚数量：4 GBJ3 ......
GBJ2510-ASEMI电源控制柜专用GBJ2510
编辑：ll GBJ2510-ASEMI电源控制柜专用GBJ2510 型号：GBJ2510 品牌：ASEMI 封装：GBJ-4 恢复时间：＞50ns 正向电流：25A 反向耐压：1000V 芯片个数：4 引脚数量：4 类型：整流桥、功率整流器件 特性：功率整流器件、高性能整流桥 浪涌电流：350A 正 ......
GBJ1510-ASEMI超薄占比空间小GBJ1510
编辑：ll GBJ1510-ASEMI超薄占比空间小GBJ1510 型号：GBJ1510 品牌：ASEMI 芯片个数：4 封装：GBJ-4 恢复时间：＞50ns 工作温度：-55°C~150°C 浪涌电流：240A 正向电流：15A 反向耐压：1000V 正向压降：1.05V 引脚数量：4 GBJ1 ......
KBL610-ASEMI内置4颗84MIL芯片KBL610
编辑：ll KBL610-ASEMI内置4颗84MIL芯片KBL610 型号：KBL610 品牌：ASEMI 封装：KBL-4 恢复时间：＞50ns 正向电流：6A 反向耐压：1000V 芯片个数：4 引脚数量：4 类型：整流桥、功率整流器件 特性：功率整流器件、高性能整流桥 浪涌电流：200A 正 ......
标准加性遗传效应模型
首先，从“遗传效应”开始说起。 想象一下，你有一堆乐高积木，每块都有它特定的颜色和形状。如果你要建一个小房子，每块乐高的选择都会影响房子的最终外观。 同样地，每个生物体都由许多基因组成，每个基因都对这个生物的某些特性有所影响。这种影响我们称之为“遗传效应”。 现在，进入“加性遗传效应”： 加性遗传效 ......
KBL410-ASEMI智能LED照明灯具KBL410
编辑：ll KBL410-ASEMI智能LED照明灯具KBL410 型号：KBL410 品牌：ASEMI 芯片个数：4 封装：KBL-4 恢复时间：＞50ns 工作温度：-55°C~150°C 浪涌电流：200A 正向电流：4A 反向耐压：1000V 正向压降：1.10V 引脚数量：4 KBL410 ......
KBL406-ASEMI小功率开关电源KBL406
编辑：ll KBL406-ASEMI小功率开关电源KBL406 型号：KBL406 品牌：ASEMI 封装：KBL-4 恢复时间：＞50ns 正向电流：4A 反向耐压：600V 芯片个数：4 引脚数量：4 类型：整流桥、功率整流器件 特性：功率整流器件、高性能整流桥 浪涌电流：200A 正向压降：1 ......
ASEMI整流桥KBU808整流后输出电压
编辑-Z 整流器在电子电路中扮演着十分关键的角色，对于电压的处理起着决定性作用。KBU808，作为集成的桥式整流器，因其稳定性及高效性而受到广泛使用。在本文中，我们将详细讨论KBU808整流器的输出电压及其相关的应用。 一、KBU808整流器概述： KBU808整流器主要用于将交流电转换为直流电，以 ......
ASEMI整流桥GBU810参数，GBU810封装
编辑-Z GBU810参数描述： 型号：GBU810 最大直流反向电压VR：1000V 最大工作峰值反向电压VRWM：700V 最大平均正向电流IF：8A 非重复正向浪涌电流IFSM：200A 操作和储存温度范围TJ ,TSTG：-55 to 150℃ 正向电压VF：1.1V 最大反向泄漏电流IRM ......