沟道

编辑：ll 4N65-ASEMI小功率N沟道MOS管4N65 型号：4N65 品牌：ASEMI 封装：TO-220F 连续漏极电流(Id)：4A 漏源电压(Vdss)：650V 功率(Pd)：50W 芯片个数：2 引脚数量：3 类型：插件、高压MOS管 特性：N沟道MOS管、高压MOS管 导通内阻R ......

编辑：ll 50N65-ASEMI高压N沟道MOS管50N65 型号：50N65 品牌：ASEMI 封装：TO-247 连续漏极电流(Id)：50A 漏源电压(Vdss)：650V 功率(Pd)：388W 芯片个数：2 引脚数量：3 类型：插件、高压MOS管 特性：N沟道MOS管、高压MOS管 RD ......

编辑：ll AO3401-ASEMI低压N沟道AO3401参数、规格、尺寸 型号：AO3401 品牌：ASEMI 连续漏极电流(Id)：4.2A 漏源电压(Vdss)：30V 功率(Pd)：700mW 芯片个数：1 封装：SOT-23 工作温度：-50°C~150°C 引脚数量：3 类型：P沟道、低 ......

编辑：ll 20N60-ASEMI高压N沟道MOS管20N60 型号：20N60 品牌：ASEMI 封装：TO-220 最大漏源电流：20A 漏源击穿电压：600V RDS（ON）Max：0.42Ω 引脚数量：3 芯片个数： 沟道类型：N沟道MOS管、高压MOS管 漏电流：ua 特性：N沟道MOS管 ......

编辑：ll 4N60-ASEMI高压N沟道MOS管4N60 型号：4N60 品牌：ASEMI 封装：TO-220 最大漏源电流：4A 漏源击穿电压：600V RDS（ON）Max：2.5Ω 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管 芯片尺寸：MIL 漏电流： 恢复时间：5ns 芯片材质： 封装尺寸：如 ......