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编辑：ll 4N65-ASEMI小功率N沟道MOS管4N65 型号：4N65 品牌：ASEMI 封装：TO-220F 连续漏极电流(Id)：4A 漏源电压(Vdss)：650V 功率(Pd)：50W 芯片个数：2 引脚数量：3 类型：插件、高压MOS管 特性：N沟道MOS管、高压MOS管 导通内阻R ......

编辑-Z 在电子元件领域，MOS管是一种重要的半导体器件，它在电子设备中起着至关重要的作用。今天，我们将重点介绍一款特别的MOS管——IXFH4N100Q，探讨其性能特点和应用领域。 首先，让我们了解一下什么是MOS管。MOS管，全称为金属氧化物半导体场效应晶体管，是一种广泛应用于电子设备中的半导体 ......

编辑-Z IXFH4N100Q参数描述： 型号：IXFH4N100Q VDSS：1000V VDGR：1000V VGS：±20 ID25：4A IDM：16A PD：150W TJ，Tstg：-55 to +150℃ Weight：6g VGS(th)：5V IGSS：±100 nA IDSS：5 ......

编辑：ll IXFH4N100Q-ASEMI代理艾赛斯MOS管IXFH4N100Q 型号：IXFH4N100Q 品牌：IXYS/艾赛斯 封装：TO-247 最大漏源电流：4A 漏源击穿电压：1000V RDS（ON）Max：3Ω 引脚数量：3 工作温度：-55℃~150℃ 沟道类型：N沟道MOS管、 ......

编辑：ll 4N60-ASEMI高压N沟道MOS管4N60 型号：4N60 品牌：ASEMI 封装：TO-220 最大漏源电流：4A 漏源击穿电压：600V RDS（ON）Max：2.5Ω 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管 芯片尺寸：MIL 漏电流： 恢复时间：5ns 芯片材质： 封装尺寸：如 ......