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实战案例 | 双束聚焦离子束（DB-FIB）和透射电子显微镜（TEM）在芯片失效分析中的组合应用

在做HTGB（高温栅偏测试）项目时，出现了Pass die漏电较小，Fail die IGSS漏电过大 (＞200nA) 的情况。需要对漏电大的芯片进行复测，同时定位漏电所在的位置（热点Hot spot）。之后再利用FIB/TEM对漏电位置进行微观结构/成分分析，找到漏电点所在的膜层；最后基于电镜分 ......
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