高压

编辑：ll 20N60-ASEMI高压N沟道MOS管20N60 型号：20N60 品牌：ASEMI 封装：TO-220 最大漏源电流：20A 漏源击穿电压：600V RDS（ON）Max：0.42Ω 引脚数量：3 芯片个数： 沟道类型：N沟道MOS管、高压MOS管 漏电流：ua 特性：N沟道MOS管 ......

编辑：ll 10N65-ASEMI高压场效应MOS管10N65 型号：10N65 品牌：ASEMI 封装：TO-220 最大漏源电流：10A 漏源击穿电压：650V RDS（ON）Max：0.9Ω 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管 芯片尺寸：MIL 漏电流： 恢复时间：5ns 芯片材质： 封装 ......

编辑：ll 4N60-ASEMI高压N沟道MOS管4N60 型号：4N60 品牌：ASEMI 封装：TO-220 最大漏源电流：4A 漏源击穿电压：600V RDS（ON）Max：2.5Ω 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管 芯片尺寸：MIL 漏电流： 恢复时间：5ns 芯片材质： 封装尺寸：如 ......