50R

编辑-Z IPA50R190CE参数描述： 型号：IPA50R190CE 持续漏极电流：24.8A 脉冲漏极电流：63A 栅极-源极电压：20V 功耗：32W 操作和储存温度：-40~150℃ 连续二极管正向电流：8.1A 漏源击穿电压：500V 栅极阈值电压：3V 零栅极电压漏极电流：1uA 漏极 ......

编辑：ll IPA50R190CE-ASEMI代理英飞凌MOS管IPA50R190CE 型号：IPA50R190CE 品牌：Infineon(英飞凌) 封装：TO-220F 最大漏源电流：24.8A 漏源击穿电压：500V RDS（ON）Max：0.19Ω 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管 芯 ......