CMOS

CD74HC4067高速CMOS16通道模拟多路复用器实践

咱们在玩arduino或stm32、esp8266时,有时会遇到板子模拟口不够用的情况,这个时候CD74HC4067就派上用场了,它可以将16路数字/模拟信号通过4数字+1模拟=5口来读取。 ......
复用器 通道 高速 4067 CMOS

Win7主板CMOS电池没电导致开机时间问题

在shell:startup文件夹下面新建bat文件,内容如下: @echo off net stop w32time net start w32time w32tm /config /manualpeerlist:"time.nist.gov" /syncfromflags:manual /rel ......
主板 电池 时间 问题 Win7

专为低光性能而设计AR0134CSSC00SPCA0-DRBR、AR0134CSSC00SPCA0-DPBR、AR0134CSSM00SPCA0-DPBR CMOS 图像传感器

AR0134CS是一款1/3英寸120万像素CMOS数字图像传感器,它专为低光性能而设计,并配有全局快门,可准确捕捉移动场景。 ......
SPCA0 SPCA0-DPBR 0134 SPCA CSSC

光学成像系统 Part I V - CMOS光电结构再探 (二)

# 一、光学结构 ## 1. CMOS子结构解析: + **OCMA(On-Chip Microlens Array):** 用于汇聚光线; + **OCCFA(On-Chip Color Filter Array):** 用于采集彩色信息; + **LS(Light Shield):** 用于防止 ......
光学 光电 结构 系统 Part

CMOS到触发器

1. CMOS晶体管简介 金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-Semiconductor)结构的晶体管简称MOS晶体管,有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路,而由PMOS管和NMOS管共同构成的互补型MOS集成电路即为 CMOS-IC( Comple ......
触发器 CMOS

光学成像系统 Part IV - CMOS光电转换特性 (二)

# CMOS光电转换特性 ## 1. 量子效率和响应率 -PHOTOCONVERSION CHARACTERISTICS 总量子效率(Overall quantum efficiency, QE) 指入射光子转成像素电荷的效率,由下式给出: $$ \begin{align*} QE(\lambda) ......
光学 光电 特性 系统 Part

数字电路基础(6)——CMOS的动态特性

> 上面的文章介绍完了CMOS门电路的基本构造,但我们分析的时候,给电路的输入信号都是不变的,展示的是门电路在稳定时候的特性,现在我们要把输入信号变成动态变化的信号,观察CMOS电路在动态变化时候的特性。 > > 另外,本小节涉及到模拟的特性,本来是应该拿着实物的逻辑门芯片搭电路用示波器观察波形的, ......
电路 特性 数字 基础 动态

数字电路基础(5)——CMOS基本电路

> 上文《数字电路基础——逻辑门电路》介绍了CMOS门电路的发展历史和基本构造,本节来看CMOS基本电路的种类和特点,以及实际芯片的介绍和选型。 # CMOS基本电路 这一部分在教材上,不仅讲了各种门电路是怎么样的,还讲了很复杂的静态、动态工作状态分析,还有各个工作点电压电流的计算等,个人觉得没有必 ......
电路 数字 基础 CMOS

CMOS

前言: 导通条件: NMOS的特性:Vgs大于一定的值就会导通,适合用于源极接地时的情况(低端驱动),只要栅极电压达到4V或10V就可以了。 PMOS的特性:Vgs小于一定的值就会导通,适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动)。但是,虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动,但由于导通电阻大,价格贵,替 ......
CMOS

机械硬盘,固态硬盘,CMOS存储器

机械硬盘查找数据时间:硬盘转速7200转/分钟,将其转化为0.008秒/转也就是八毫秒每转,因此在硬盘中找到文件的时间为【0,8】毫秒,平均延迟时间为4毫秒。要找到文件的时间=平均寻道时间(5毫秒)+平均延迟时间(4毫秒),而cpu寄存器是纳秒级别,因此硬盘的速度相较于cpu寄存器相当慢。机械硬盘慢 ......
硬盘 固态 存储器 机械 CMOS

CMOS传输门

CMOS传输门_知乎衣带渐宽终不悔的博客-CSDN博客 ......
CMOS

CMOS、SOI和FinFET技术史

1958年,第一个集成电路触发器是在德州仪器由两个晶体管构建而成。而今天的芯片包含超过10亿个晶体管,这种增长的规模来自于晶体管的不断缩小以及硅制造工艺的改进。 历史 真空管的发明是电子工业发展的重要动力。但是,在第二次世界大战之后,由于需要大量的分立元件,设备的复杂性和功耗显着增加,而设备的性能却 ......
技术史 FinFET 技术 CMOS SOI
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