独立元件的话衬底一般是短接到源的，没有引出，这样接完全没用。

独立元件虽然有用PN结做varactor的，但是用的是diode，不是用MOS结构（反正只要个PN结，做MOS不是浪费么）。

集成元件的话虽然可以用源漏到衬底之间的PN结做二极管用，但是要考虑到n阱工艺下所有NMOS的衬底都是接地的，同一个阱的PMOS衬底也是接一起的（一般都是VDD）。即使是双阱工艺也不会给每个管子做独立的衬底，而是会把一批管子放在同一个阱里共享衬底电压，所以这么接用途非常有限。

如果做MOS管电容的话有两种接法：一种是是源漏衬底接一起做一极（接地或者VDD），栅做另一极（接信号），MOS CAP接法当负载用，一般很小，大的会用正经的MOS电容。另一种是源漏接一起做一极，栅做另一极，衬底接一个固定电压，电容放在信号通路上，属于varactor接法，VCO里很常见。

用MOSFET做二极管也有两种接法：一种是GD短接做一极，BS短接做另一极（比较常见）；还有一种是D做一极，GBS短接做另一极（比较接近你的思路）。为什么这么用可以自己想一想：）

实际上电路里出现GSD短接的都是dummy管。

MOS管做二极管