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7N65-ASEMI高压NPN型MOS管7N65
编辑：ll 7N65-ASEMI高压NPN型MOS管7N65 型号：7N65 品牌：ASEMI 连续漏极电流(Id)：4A 漏源电压(Vdss)：650V 栅极阈值电压：±30V 单脉冲雪崩能量：150mJ 集电极电流（脉冲）：8A 导通内阻RDS(on)：1.3Ω 功率(Pd)：50W 芯片个数： ......
4N65-ASEMI小功率N沟道MOS管4N65
编辑：ll 4N65-ASEMI小功率N沟道MOS管4N65 型号：4N65 品牌：ASEMI 封装：TO-220F 连续漏极电流(Id)：4A 漏源电压(Vdss)：650V 功率(Pd)：50W 芯片个数：2 引脚数量：3 类型：插件、高压MOS管 特性：N沟道MOS管、高压MOS管 导通内阻R ......
50N65-ASEMI高压N沟道MOS管50N65
编辑：ll 50N65-ASEMI高压N沟道MOS管50N65 型号：50N65 品牌：ASEMI 封装：TO-247 连续漏极电流(Id)：50A 漏源电压(Vdss)：650V 功率(Pd)：388W 芯片个数：2 引脚数量：3 类型：插件、高压MOS管 特性：N沟道MOS管、高压MOS管 RD ......
ICEE-MOS+BJT: 场效应管和三极管的比较
场效应管是在三极管的基础上而开发出来的。 三极管通过电流的大小控制输出，输入要消耗功率。 场效应管是通过输入电压控制输出，不消耗功率。 场效应管和三极管的区别是电压和电流控制，但这都是比较的。 电压控制的也需要电流，电流控制的也需要电压，只是比较要小而已。 就其性能，场效应管要明显优于普通三极管，不 ......
MOS管工作原理
电荷: 空穴(正电荷)，电子(负电荷)，施加电压可操控电荷的有序(方向与流通量)移动。 电流: 空穴(正电荷) 或/和 电子(负电荷) 有规律的移动将形成电流通路(电荷流通)， 并且电流大小与总电荷流量成正比。 MOS管工作原理 二极管--PN结 PN结二极管是半导体的分析的最小单位。 P型半导体掺 ......
AP5192pwm调光温度保护内置mos管恒流芯片
AP5192是一款PWM工作模式,高效率、外围简单、内置功率MOS管，适用于4.5-100V输入的高精度降压LED恒流驱动芯片。最大电流1.5A。
AP5192可实现线性调光和PWM调光，线性调光脚有效电压范围0.55-2.6V.
AP5192 工作频率可以通过RT 外部电阻编程来设定，同时内置... ......
AO3415-ASEMI低压MOS管AO3415参数、封装、尺寸
编辑：ll AO3415-ASEMI低压MOS管AO3415参数、封装、尺寸 型号：AO3415 品牌：ASEMI 封装：SOT-23 连续漏极电流(Id)：4A 漏源电压(Vdss)：20V 功率(Pd)：1.5W 芯片个数：1 引脚数量：3 类型：MOS管 特性：P沟道MOS管、低压MOS管 R ......
AO3400-ASEMI中低压MOS管AO3400参数、封装、尺寸
编辑：ll AO3400-ASEMI中低压MOS管AO3400参数、封装、尺寸 型号：AO3400 品牌：ASEMI 封装：SOT-23 连续漏极电流(Id)：5.8A 漏源电压(Vdss)：30V 功率(Pd)：1.4W 芯片个数：1 引脚数量：3 类型：MOS管 特性：N沟道MOS管、中低压MO ......
Multisim 12.0-虚拟MOS管简单设置
在软件中NMOS-FET 使用需要设置参数, 否则没作用 简单的方法: 其他用默认值, 只要修改参数: M 多重性 导通关系 M:10000 Vgs: 1V Ids: 100mA Vgs: 2V Ids: 400mA M:1000 Vgs: 1V Ids: 10mA Vgs: 2V Ids: 40m ......
MOS管防反接电路知识讲解
一：概述 电源的输入接口，为了防止误操作，将电源的正负极接反，对电路造成损坏，一般会进行防护，通常采用的方式如保险丝、二极管、mos管等方式进行防反。 二：方式介绍 1.保险丝保护 描述：很多常见的电子产品，拆开后可以看到电源部分加了保险丝，在电源接反时，电路中短路导致大电流从而熔断保险丝，起到保护 ......
P MOS 和 N MOS
一直没有找到关于 P-MOS 和 N-MOS 的资料, 进来找到了一个资料, 我感觉应该是讲的很详细了. https://www.homofaciens.de/technics-physical-computing-P-channel-MOSFETs_en.htm 我做为一个学习者, 一边翻译, 一 ......
MOS器件参数解释
https://blog.csdn.net/qq_42597971/article/details/101519257?spm=1001.2101.3001.6661.1&utm_medium=distribute.pc_relevant_t0.none-task-blog-2~default~Bl ......
MOS管基础知识
MOS管（三极管）——一些常用的硬件设计电路分析 概述 芯片的集成度虽然越来越高，但是整个电路功能的实现，还是离不开分离器件的搭配，本文就针对笔者在实际工作中的关于 MOS 管（三极管）的应用做一些整理。 本文所介绍的功能，使用三极管也是可以的，但是实际应用中，多使用 MOS 管，故本文多以 MOS ......
LED汽车灯驱动芯片降压恒流IC内置mos管AP5193
AP5193是一款PWM工作模式,高效率、外围简单、内置功率MOS管，适用于4.5-100V输入的高精度降压LED恒流驱动芯片。最大电流2.5A。
AP5193可实现线性调光和PWM调光，线性调光脚有效电压范围0.55-2.6V. AP5193 工作频率可以通过RT 外部电阻编程来设定，同时内置抖频... ......
LED摩托车灯降压恒流IC内置mos管AP5192短路保护
AP5192是一款PWM工作模式,高效率、外围简单、内置功率MOS管，适用于4.5-100V输入的高精度降压LED恒流驱动芯片。最大电流1.5A。
AP5192可实现线性调光和PWM调光，线性调光脚有效电压范围0.55-2.6V. AP5192 工作频率可以通过RT 外部电阻编程来设定，同时内置抖频... ......
三极管与 MOS 管开关特性
### 1、三极管 基极 b（base），发射极 e（emitter），集电极 c（collector） b 端作为控制端： * NPN 型三极管：高电平导通，低电平关断。 * PNP 型三极管：高电平关断，低电平导通。 ### 2、MOS 管 ......
POI2010 MOS-Bridges
其实这题有两种建模方法，因为我都写了，所以两个都讲好了。 一眼二分答案，转为判定性问题： > 给定含有**无向边和有向边**的图 $G$，判断是否存在欧拉回路。 首先先判掉存在 $u$，$2\nmid \text{deg}_u$ 的情况。 不能简单地根据度数判断，考虑网络流建模。 - 方法 $1$： ......
ASEMI代理艾赛斯MOS管IXFH4N100Q的性能与应用
编辑-Z 在电子元件领域，MOS管是一种重要的半导体器件，它在电子设备中起着至关重要的作用。今天，我们将重点介绍一款特别的MOS管——IXFH4N100Q，探讨其性能特点和应用领域。 首先，让我们了解一下什么是MOS管。MOS管，全称为金属氧化物半导体场效应晶体管，是一种广泛应用于电子设备中的半导体 ......
AP5125 外置MOS管平均电流型LED降压恒流驱动器
产品描述 AP5125 是一款外围电路简单的 Buck 型平均电流检测模式的 LED 恒流驱动器，适用于 8-100V 电压范围的非隔离式大功率恒流 LED 驱动领域。芯片采用固定频率 140kHz 的 PWM 工作模式， 利用平均电流检测模式，因此具有优异的负载调整 率特性，高精度的输出电流特性。 ......
ASEMI代理安森美MOS管FQL40N50参数，FQL40N50描述
编辑-Z FQL40N50参数描述： 型号：FQL40N50 漏源电压VDSS：500V 漏极电流ID：40A 漏极电流-脉冲IDM：160A 栅极-源极电压VGSS：±30V 功耗PD：460W 操作和储存温度范围TJ, TSTG：-55 to +150℃ 零栅极电压漏极电流IDSS：1uA 栅极 ......
MOS管基础知识：轻松理解MOS管工作原理
MOS管基础知识：轻松理解MOS管工作原理。MOS管是一种利用电场效应来控制其电流大小的半导体三端器件，很多特性和应用方向都与三极管类似。这种器件不仅体积小、质量轻、耗电省、寿命长、而且还具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强等优点，应用广泛，特别是在大规模的集成电路中。 ......
ASEMI代理艾赛斯MOS管IXFH4N100Q，IXFH4N100Q参数
编辑-Z IXFH4N100Q参数描述： 型号：IXFH4N100Q VDSS：1000V VDGR：1000V VGS：±20 ID25：4A IDM：16A PD：150W TJ，Tstg：-55 to +150℃ Weight：6g VGS(th)：5V IGSS：±100 nA IDSS：5 ......
FQL40N50-ASEMI代理安森美原装MOS管FQL40N50
编辑：ll FQL40N50-ASEMI代理安森美原装MOS管FQL40N50 型号：FQL40N50 品牌：ON/安森美 封装：TO-264 最大漏源电流：40A 漏源击穿电压：500V RDS（ON）Max：110mΩ 引脚数量：3 工作温度：-55℃~150℃ 沟道类型：N沟道MOS管、高压M ......
IXFH4N100Q-ASEMI代理艾赛斯MOS管IXFH4N100Q
编辑：ll IXFH4N100Q-ASEMI代理艾赛斯MOS管IXFH4N100Q 型号：IXFH4N100Q 品牌：IXYS/艾赛斯 封装：TO-247 最大漏源电流：4A 漏源击穿电压：1000V RDS（ON）Max：3Ω 引脚数量：3 工作温度：-55℃~150℃ 沟道类型：N沟道MOS管、 ......
IXFA14N85XHV-ASEMI代理艾赛斯MOS管IXFA14N85XHV
编辑：ll IXFA14N85XHV-ASEMI代理艾赛斯MOS管IXFA14N85XHV 型号：IXFA14N85XHV 品牌：IXYS/艾赛斯 封装：TO-263 最大漏源电流：14A 漏源击穿电压：850V RDS（ON）Max：550mΩ 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管 特性：高功率 ......
ASEMI代理英飞凌SPW47N60C3功率MOS管的性能与应用
编辑-Z 本文将对SPW47N60C3功率MOSFET的性能与应用进行分析。我们将介绍SPW47N60C3的基本性能参数，然后从四个方面对其性能进行详细阐述，包括电气性能、热性能、封装与可靠性以及应用领域。 1、SPW47N60C3的基本性能参数 SPW47N60C3是一款高性能的功率MOSFET， ......
ASEMI代理英飞凌SPA17N80C3，MOS管SPA17N80C3资料
编辑-Z SPA17N80C3参数描述： 型号：SPA17N80C3 持续漏极电流ID：17A 脉冲漏极电流：51A 栅极-源极电压VGS：±20V 功率耗散Ptot：42W 操作和储存温度Tj,Tstg：-55~+150℃ 漏源击穿电压：800V 栅极阈值电压VGS(th)：3V 零栅极电压漏极电 ......
ASEMI代理英飞凌MOS管IMBF170R1K0M1中文资料
编辑-Z IMBF170R1K0M1参数： 漏源电压：1700V 直流漏极电流：5.2A 功率耗散：68W 工作结温：-55~175℃ 储存温度：-55~150℃ 漏极源导通状态电阻：1000mΩ 栅极-源极阈值电压：4.5V 输入电容：275pF MOS管IMBF170R1K0M1是一款高性能的N ......
ASEMI代理英飞凌IPA50R190CE，MOS管IPA50R190CE参数
编辑-Z IPA50R190CE参数描述： 型号：IPA50R190CE 持续漏极电流：24.8A 脉冲漏极电流：63A 栅极-源极电压：20V 功耗：32W 操作和储存温度：-40~150℃ 连续二极管正向电流：8.1A 漏源击穿电压：500V 栅极阈值电压：3V 零栅极电压漏极电流：1uA 漏极 ......