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gate-all-around
[GAA系列]详解台积电2纳米制程中的全环绕栅极(Gate-All-Around)晶体管技术
Section Ⅰ 半导体技术发展史的本质就是晶体管尺寸的缩小史。从上世纪七十年代的10微米节点开始,遵循着摩尔定律一步一步走到了今天的5纳米。在这一过程中,每当摩尔定律遭遇困境,总会有新的技术及时出现并引领着摩尔定律继续前行。自22纳米节点上被英特尔首次采用,鳍式场效应晶体管(FinFET)在过去 ......
栅极
晶体管
制程
Gate-All-Around
晶体
更新时间 2023-10-22
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