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Gate-All-Around

[GAA系列]详解台积电2纳米制程中的全环绕栅极（Gate-All-Around）晶体管技术

Section Ⅰ 半导体技术发展史的本质就是晶体管尺寸的缩小史。从上世纪七十年代的10微米节点开始，遵循着摩尔定律一步一步走到了今天的5纳米。在这一过程中，每当摩尔定律遭遇困境，总会有新的技术及时出现并引领着摩尔定律继续前行。自22纳米节点上被英特尔首次采用，鳍式场效应晶体管（FinFET）在过去 ......
栅极 晶体管 制程 Gate-All-Around 晶体
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