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CT107D竞赛板外部中断的基础应用

外部中断的含义 外部中断是单片机实时地处理外部事件的一种内部机制。 当某种外部事件发生时,单片机的中断系统将迫使CPU暂停正在执行的程序, 转而去进行中断事件的处理;中断处理完毕后.又返回被中断的程序处,继续执行下去。 使用前将J5并到2,3脚,即S5按键接到P32/INT0,S4按键接到P33/I ......
基础 107D 107 CT

CT107D竞赛板矩阵键盘的应用

重点 j5的连接 电路变化 矩阵按键原理 矩阵键盘扫描原理 j5的连接 接1,2端口, 电路变化 原理图中 P3^7 ==P4^4 P3^6 ==P4^2 早期的STC89C52或无定义P4口的 需定义P4口: sfr P4 =0xc0; 0xc0是端口地址 矩阵按键原理 上方为矩阵按键原理图 独立 ......
矩阵 键盘 107D 107 CT

CT107D竞赛板独立按键的基础与应用

COM3(j5) 选择2 3引脚为独立按键 选择 1 2引脚为矩阵按键 在按键中 一方接地 一方接芯片 当按键按下时 芯片的一方会从高低平变成低电平 这时就可知判定按键是否按下 需注意按键按下时具有抖动 会影响实际效果 这时就需要消抖 按后延迟20毫秒 再进行程序操作 再进行按键判定 按键判定:wh ......
按键 基础 107D 107 CT

CT107D竞赛板数码管的基础了解和应用

经LED和蜂鸣器的学习 译码器已经有了一定了解 这板子的数码管是共阳的 共阳:所有二极管阳极接一起形成com口 Y6控制位数 Y7控制段码 数码管是由一段段的LED组成 由这两图知通过寄存器可控制段码 由此实现数码管所显示的内容 列: 已知共阳 所以P0口输入低电平 就可点亮数码管的LED 译码器的 ......
数码管 基础 数码 107D 107

CT图像重建

20世纪70年代中期,在医学领域出现了一种神奇装置,名为“计算机辅助 X 射线断层成像仪”(简称CAT或CT),它能够在不损伤病人的情况下,提供人体从头到脚各部位的断层X射线图像。利用CT,医生可以轻而易举地观察到人体内部哪怕是极其微小的病变和病灶分布,能够及早采取正确的治疗措施,从而拯救无数患者的 ......
图像

CT107D单片机蜂鸣器和继电器的基础了解和应用

在LED的基础上,了解到译码器 或非门 锁存器 而在蜂鸣器和继电器的应用也需使用到他们 Y5是控制蜂鸣器和继电器的端口,与LED不同的是多了个芯片 ULN2003达林顿管:具有非门的功能。从P0口输入到器件的信号会变化 1变0 0变1 P06是蜂鸣器 P04是继电器 由图知蜂鸣器是低电平打开 而因为 ......
蜂鸣器 继电器 单片机 基础 107D

CT107D单片机的LED的基础了解与应用

对于该单片机的LED控制,需要了解74HC5138译码器,M74HC573MIR锁存器,74HC02非或门这三个器件 上图三个引脚可控制模式分别是i/o口扩展 映射 i/o口扩展接2,3 映射:1,2 我们以下所有操作是用i/o口扩展展示 74HC5138译码器是一个通过三个输出控制八路互斥的低有效 ......
单片机 基础 107D 107 LED

E-PVE02-PVE-CT基于Rocky9创建模板环境

E-PVE02-PVE-CT基于Rocky9创建模板环境 已配置基础 pve 环境,更换 ct 源,以便下载模板 下载模板并创建CT 下载模板,当前为 rockylinux-9-default_20221109_amd64.tar.xz 创建 CT CT ID:默认自增,或自定义,因为要作为模板,建 ......
PVE 模板 环境 PVE-CT Rocky9

MBR30100CT-ASEMI肖特基二极管MBR30100CT

编辑:ll MBR30100CT-ASEMI肖特基二极管MBR30100CT 型号:MBR30100CT 品牌:ASEMI 封装:TO-220 特性:插件、肖特基二极管 正向电流:30A 反向耐压:100V 恢复时间:5ns 引脚数量:3 芯片个数:2 正向压降:0.54V~0.92V 芯片尺寸:1 ......
30100 二极管 MBR CT-ASEMI ASEMI

医学顶刊Nature Medicine!达摩院提出:CT首次实现大规模胰腺癌筛查

前言 胰腺癌,素有“癌症之王”的称号,平均五年生存率不到10%,是中国乃至全球生存率最低的恶性肿瘤。80%的胰腺癌一旦发现就是晚期,发病凶猛,极难治愈;目前临床指南缺乏有效筛查手段,因为容易出现漏诊或误诊。体检及医院常用的平扫CT图像对比度低,很难识别早期胰腺病变。11月21日,国际顶级医学期刊《N ......
胰腺癌 胰腺 大规模 Medicine 医学

MBR20200CT-ASEMI肖特基MBR20200CT参数、规格、尺寸

编辑:ll MBR20200CT-ASEMI肖特基MBR20200CT参数、规格、尺寸 型号:MBR20200CT 品牌:ASEMI 封装:TO-220 恢复时间:>50ns 正向电流:20A 反向耐压:200V 芯片个数:2 引脚数量:3 类型:肖特基、插件肖特基二极管 特性:低耐压、高效率 浪涌 ......
20200 MBR CT-ASEMI 尺寸 规格

MBR20100CT-ASEMI肖特基MBR20100CT参数、规格、尺寸

编辑:ll MBR20100CT-ASEMI肖特基MBR20100CT参数、规格、尺寸 型号:MBR20100CT 品牌:ASEMI 芯片个数:2 封装:TO-220 恢复时间:>50ns 工作温度:-65°C~175°C 浪涌电流:150A 正向电流:10A 反向耐压:100V 正向压降:0.8V ......
20100 MBR CT-ASEMI 尺寸 规格

MBR10200CT-ASEMI肖特基MBR10200CT参数、规格、尺寸

编辑:ll MBR10200CT-ASEMI肖特基MBR10200CT参数、规格、尺寸 型号:MBR10200CT 品牌:ASEMI 封装:TO-220 恢复时间:>50ns 正向电流:10A 反向耐压:200V 芯片个数:2 引脚数量:3 类型:肖特基、插件肖特基二极管 特性:低耐压、高效率 浪涌 ......
10200 MBR CT-ASEMI 尺寸 规格

MBR10100CT-ASEMI肖特基二极管MBR10100CT

编辑:ll MBR10100CT-ASEMI肖特基二极管MBR10100CT 型号:MBR10100CT 品牌:ASEMI 芯片个数:2 封装:TO-220 恢复时间:>50ns 工作温度:-65°C~175°C 浪涌电流:150A 正向电流:10A 反向耐压:100V 正向压降:0.8V 引脚数量 ......
10100 二极管 MBR CT-ASEMI ASEMI

Sante DICOM Editor CT图像

Sante DICOM Editor官方版是业界领先的DICOM文件编辑和操作应用程序,这款软件可以对拍摄的病人影像数据进行调整,可以标注影像的图像区域,可以立即将诊断的结果显示在报告上,方便您通过Sante DICOM Editor管理自己的DICOM影像数据。 3D Slicer对输入数据进行三 ......
图像 Editor Sante DICOM

服务器nf_conntrack(CT)表满导致虚拟机丢包

现象 虚拟机各种奇怪丢包(TCP的连接) 然后看到虚拟机所在CVK的dmesg里,有如下: dmesg kern -l err,warn -T (/var/log/messages里也有) 提示: nf_conntrack: nf_conntrack: table full, dropping pa ......
nf_conntrack conntrack 服务器 nf CT

ASEMI肖特基模块MBR400100CT功能应用介绍

编辑-Z 肖特基模块MBR400100CT是一款高性能半导体器件,常用于电源和开关电路中。该模块采用肖特基二极管技术,具有低导通压降和高速开关特性,适合在高频率和高温环境下使用。 肖特基二极管是基于金属-半导体接触的特殊结构的二极管。与传统PN结二极管相比,肖特基二极管具有更低的正向压降和较快的开关 ......
模块 功能 400100 ASEMI MBR

MBR400100CT-ASEMI肖特基模块400A 100V

编辑:ll MBR400100CT-ASEMI肖特基模块400A 100V 型号:MBR400100CT 品牌:ASEMI 封装:M2 恢复时间:>50ns 正向电流:400A 反向耐压:100V 芯片个数:2 引脚数量:2 类型:肖特基模块 特性:肖特基模块、大功率肖特基 浪涌电流:3300A 正 ......
模块 CT-ASEMI 400100 ASEMI 100V

ASEMI肖特基模块MBR400100CT参数规格

编辑-Z MBR400100CT参数描述: 型号:MBR400100CT 反向重复峰值电压(VRRM):100V 正向直流电流(I0):400A 正向(不重复)浪涌电流(IFSM):3300A 结温 (TJ):-40 to +175℃ 储存温度(Tstg):-40 to +150℃ 结壳热阻Rth( ......
模块 规格 参数 400100 ASEMI

MBR400100CT-ASEMI肖特基模块MBR400100CT

编辑:ll MBR400100CT-ASEMI肖特基模块MBR400100CT 型号:MBR400100CT 品牌:ASEMI 封装:M2 正向电流:400A 反向电压:100V 引线数量:2 芯片个数:2 芯片尺寸:102MIL 漏电流:10ua 恢复时间: 浪涌电流:3300A 芯片材质: 正向 ......
400100 MBR 模块 CT-ASEMI ASEMI

首先是量血压、抽血化验、尿检,接着是CT、心电图、彩超、磁共振、多普勒

进医院首先是量血压、抽血化验、尿检,接着是CT、心电图、彩超、磁共振、多普勒,因为在这之前根本就没有住过院,也没有输过液,不知道都有哪些手续,再加上摸东不知西,搞得人晕头转向,好在自己有一张暂时还能说话的嘴,不清楚就多问,总算过了一关又一关! 自从学了计算机,做了鼻炎手术,我妈把我送到了精神病院,我 ......
磁共振 彩超 心电图 血压

用于3D MRI和CT扫描的深度学习模型总结

医学成像数据与其他我们日常图像的最大区别之一是它们很多都是3D的,比如在处理DICOM系列数据时尤其如此。DICOM图像由很多的2D切片组成了一个扫描或身体的特定部分。 那么如何为这类数据构建深度学习解决方案呢?本文中将介绍6种神经网络架构,可以使用它们来训练3D医疗数据上的深度学习模型。 3 d ......
深度 模型 MRI

CT485modbus协议RS485接口开启合口式电流互感器传感器变送器

www.daq-iot.com 19936624857 —————————————————————————— SC-GP-CT485开口式电流互感器是上海数采物联网科技有限公司推出的一款可以把交流电模拟信号转换成485数字信号的一种电流传感器(互感器),产品内置32位ARM系列 MCU和高精度计量芯 ......

基于radon变换和CT算法的二维切片图像序列三维建模matlab仿真

1.算法理论概述 随着计算机技术的发展,三维建模技术在医学、工业设计、游戏等领域得到了广泛的应用。然而,三维建模的关键是如何从二维图像序列中提取三维信息。本文提出了一种基于radon变换和CT算法的二维切片图像序列三维建模方法,该方法能够快速、准确地提取出三维信息,并生成高质量的三维模型。 1.1、 ......
序列 算法 图像 matlab radon

MUR2080CT- ASEMI二极管的特性和应用

编辑-Z 本文将详细介绍MUR2080CT二极管的特性和应用。首先,将介绍MUR2080CT二极管的基本结构和工作原理。然后,将探讨MUR2080CT二极管的特性,包括正向电压降、反向漏电流和反向恢复时间等。接下来,将介绍MUR2080CT二极管在电源、开关电路和逆变器等领域的应用。最后,将总结MU ......
二极管 特性 ASEMI 2080 MUR

MUR2080CT/MUR2080CTR-ASEMI快恢复二极管对管

编辑:ll MUR2080CT/MUR2080CTR-ASEMI快恢复二极管对管 型号:MUR2080CT/MUR2080CTR 品牌:ASEMI 封装:TO-220 恢复时间:50ns 正向电流:20A 反向耐压:800V 芯片大小:102MIL*2 芯片个数:2 引脚数量:3 类型:快恢复二极管 ......
二极管 2080 MUR CTR-ASEMI ASEMI

MURF2080CT/MURF2080CTR-ASEMI快恢复对管

编辑:ll MURF2080CT/MURF2080CTR-ASEMI快恢复对管 型号:MURF2080CT/MURF2080CTR 品牌:ASEMI 芯片个数:2 芯片尺寸:102MIL*2 封装:TO-220F 恢复时间:50ns 工作温度:-50°C~150°C 浪涌电流:200A 正向电流:2 ......
MURF 2080 CTR-ASEMI ASEMI CTR

MUR20100CT/MUR20100CTR-ASEMI快恢复二极管对管

编辑:ll MUR20100CT/MUR20100CTR-ASEMI快恢复二极管对管 型号:MURF20100CT/MURF2080CTR 品牌:ASEMI 封装:TO-220F 恢复时间:50ns 正向电流:20A 反向耐压:1000V 芯片大小:102MIL*2 芯片个数:2 引脚数量:2 类型 ......
20100 二极管 MUR CTR-ASEMI ASEMI

MURF20100CT-ASEMI快恢复对管20A 1000V

编辑:ll MURF20100CT-ASEMI快恢复对管20A 1000V 型号:MURF20100CT 品牌:ASEMI 封装:TO-220F 恢复时间:50ns 正向电流:20A 反向耐压:1000V 芯片大小:102MIL*2 芯片个数:2 引脚数量:2 类型:快恢复二极管 特性:快恢复、对管 ......
CT-ASEMI 20100 1000V ASEMI MURF

ASEMI快恢复二极管MURF20100CT特性及应用解析

编辑-Z 本文主要介绍MURF20100CT二极管的基本特性及其在电路设计中的应用。首先介绍该二极管的基本结构和特性参数,然后重点讲解其应用场景和具体的电路设计方法。最后总结MURF20100CT二极管的优势和使用注意事项。 一、MURF20100CT二极管的基本特性 MURF20100CT二极管是 ......
二极管 特性 ASEMI 20100 MURF
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