MOSFET
模拟集成电路设计系列博客—— 4.3.3 四晶体管MOSFET-C积分器
4.3.3 四晶体管MOSFET-C积分器 一种改进MOSFET-C滤波器线性度的方式是使用四晶体管MOSFET-C积分器，如下图所示[Czarnul,1986]： 对于这个四晶体管积分器的小信号分析，可以将单输入积分器处理成有着\((v_{pi}-v_{ni})\)和反相信号\((v_{ni}-v ......
模拟集成电路设计系列博客——4.3.2 双晶体管MOSFET-C积分器
4.3.2 双晶体管MOSFET-C积分器 MOSFET-C滤波器类似于全差分有源RC滤波器，除了电阻被等效的线性区MOS晶体管所取代。由于有源RC和MOSFET-C滤波器紧密关联，对于设计者来说，一个好处就是可以大量使用在有源RC滤波器上的已有知识。本小节我们讨论双晶体管MOSFET-C积分器。 ......
（器件）STL33N60DM2 600V MOSFET、STLQ020PU28R低压差稳压器、STEC01PUR电源开关、STC3115IJT电池管理
（器件）STL33N60DM2 600V MOSFET、STLQ020PU28R低压差稳压器、STEC01PUR电源开关、STC3115IJT电池管理中文资料 ......
ICEE-将SiC/GaS功率MOSFET与应用电路集成封装的IC系列
BM2SCQ124T-LBZ@ROHM 内置1700V SiC-MOSFET的准谐振AC/DC转换器 BM2SCQ124T-LBZ是一款准谐振AC/DC转换器，为所有带插座的设备提供很好的电源系统。采用准谐振工作方式，实现软开关，有助于降低EMI。内置1700V/4A SiC MOSFET，有助于设 ......
MOSFET杂散电容的数量级和大小关系是什么？造成什么影响？(未完结，起始日期2023年11月20日)
MOSFET结构和特性 MOSFET的结构如下： MOSFET的等效电路图如下： 为什么MOSFET的等效电路图中包括了电容？ MOSFET的栅极和漏极、源极之间通过一层薄氧化物如SiO2隔离，但这层绝缘层非常薄，尤其是栅极和源极之间，通常小于一微米厚，以埃为单位测量。这意味着栅极和源极、漏极之间存 ......
为什么MOSFET的开关速度有限？
MOSFET的开关速度有限，一来受到电容充放电速度的限制，MOSFET的开关速度本身受限；二来因为误导通问题，MOSFET的开关速度不能做太高，否则容易误导通。 MOSFET结构和特性 MOSFET的结构如下： MOSFET的等效电路图如下： 为什么MOSFET的等效电路图中包括了电容？ MOSFE ......
MOSFET的一个有趣的现象（衬底电流）
在利用MOSFET实现自动切换电流档位的仿真时，发现MOSFET如果倒置时，控制VGS电压并不能关断MOSFET的电流，总是有一点漏电。如下图仿真所示。实际器件是否如此，暂时不知道，有机会要实际测试一下。 ......