可控硅 双向bta asemi
D25XB100-ASEMI家用电器整流桥D25XB100
编辑：ll D25XB100-ASEMI家用电器整流桥D25XB100 型号：D25XB100 品牌：ASEMI 封装：GBJ-5（带康铜丝） 平均正向整流电流（Id）：25A 最大反向击穿电压（VRM）：1000V 产品引线数量：5 产品内部芯片个数：4 产品内部芯片尺寸：72MIL 峰值正向漏电 ......
D25XB80-ASEMI开关电源桥堆D25XB80
编辑：ll D25XB80-ASEMI开关电源桥堆D25XB80 型号：D25XB80 品牌：ASEMI 封装：GBJ-5（带康铜丝） 特性：插件、整流桥 平均正向整流电流（Id）：25A 最大反向击穿电压（VRM）：800V 恢复时间：＞2000ns 最大RMS电压： 引脚数量：5 芯片个数：4 ......
D35XB80-ASEMI工业自动化设备整流桥D35XB80
编辑：ll D35XB80-ASEMI工业自动化设备整流桥D35XB80 型号：D35XB80 品牌：ASEMI 封装：GBJ-5（带康铜丝） 平均正向整流电流（Id）：35A 最大反向击穿电压（VRM）：800V 产品引线数量：5 产品内部芯片个数：4 产品内部芯片尺寸：72MIL 峰值正向漏电流 ......
D35XB60-ASEMI开关电源桥堆D35XB60
编辑：ll D35XB60-ASEMI开关电源桥堆D35XB60 型号：D35XB60 品牌：ASEMI 封装：GBJ-5（带康铜丝） 特性：插件、整流桥 平均正向整流电流（Id）：35A 最大反向击穿电压（VRM）：600V 恢复时间：＞2000ns 最大RMS电压： 引脚数量：5 芯片个数：4 ......
MURD1060-ASEMI快恢复TO-252封装二极管MURD1060
编辑：ll MURD1060-ASEMI快恢复TO-252封装二极管MURD1060 型号：MURD1060 品牌：ASEMI 封装：TO-252 平均正向整流电流（Id）：10A 最大反向击穿电压（VRM）：600V 产品引线数量：3 产品内部芯片个数：2 产品内部芯片尺寸：72MIL 峰值正向漏 ......
D35XB100-ASEMI配电箱整流桥D35XB100
编辑：ll D35XB100-ASEMI配电箱整流桥D35XB100 型号：D35XB100 品牌：ASEMI 封装：GBJ-5（带康铜丝） 特性：插件、整流桥 平均正向整流电流（Id）：55A 最大反向击穿电压（VRM）：1000V 恢复时间：＞2000ns 最大RMS电压： 引脚数量：4 芯片个 ......
双向广搜->奶牛集合(洛谷p3067)
题意：给一个n个数字的集合，问集合中有多少个子集满足后面的条件。 其中条件是该集合可以分为两个独立子集，这两个子集的和相等。 分析：第一种思路是枚举所有的集合，然后对每个集合进行暴力枚举，时间复杂度O(1 << 40)得分45。 第二种思路是枚举所有的集合，然后对集合元素求和，转01背包问题，时间复 ......
双向广搜->字符变换(洛谷P1032)
题意：给起始和终止串A和B，以及不超过6个字符串变换规则，求A->B能否在10步以内变换完成。 分析：暴力bfs每次有6条路可以走，时间复杂度是6^10 大概6e8的时间复杂度，会TLE。于是这题是一道经典的双向bfs。 直接开两个队列，两个map，暴力搜1~5步即可。 双向bfs的时间复杂度是2 ......
D55XT100-ASEMI电机专用整流桥D55XT100
编辑：ll D55XT100-ASEMI电机专用整流桥D55XT100 型号：D55XT100 品牌：ASEMI 封装：DXT-4 平均正向整流电流（Id）：55A 最大反向击穿电压（VRM）：1000V 产品引线数量：4 产品内部芯片个数：4 产品内部芯片尺寸：95MIL 峰值正向漏电流：<10u ......
双向广搜-> hdu1195
问题描述：密码锁有起始和目标两个状态，状态有4个连续数字，数字范围是1~9。其中特殊情况9 + 1 = 0, 1 - 1 = 9。 每次操作可以交换相邻的两个锁上的数字，或者将该位上数字±1。求最小操作次数 分析：是一道双向广搜的题，但是这个题目的第一个思路就是枚举所有的排列组合状态，然后对每个状态 ......
D55XT80-ASEMI配电箱整流桥D55XT80
编辑：ll D55XT80-ASEMI配电箱整流桥D55XT80 型号：D55XT80 品牌：ASEMI 封装：DXT-4 特性：插件、整流桥 平均正向整流电流（Id）：55A 最大反向击穿电压（VRM）：800V 恢复时间：＞2000ns 最大RMS电压： 引脚数量：4 芯片个数：4 最大正向压降 ......
MSB30M-ASEMI小贴片整流桥MSB30M
编辑：ll MSB30M-ASEMI小贴片整流桥MSB30M 型号：MSB30M 品牌：ASEMI 封装：UMSB-4 最大平均正向电流：3A 最大重复峰值反向电压：1000V 产品引线数量：4 产品内部芯片个数：4 产品内部芯片尺寸：50MIL 峰值正向漏电流：<10ua 恢复时间：＞2000ns ......
MSB20M-ASEMI迷你贴片整流桥MSB20M
编辑：ll MSB20M-ASEMI迷你贴片整流桥MSB20M 型号：MSB20M 品牌：ASEMI 封装：UMSB-4 特性：贴片、整流桥 最大平均正向电流：2A 最大重复峰值反向电压：1000V 恢复时间：＞2000ns 最大RMS电压：700V 引脚数量：4 芯片个数：4 最大正向压降：1.1 ......
7N65-ASEMI高压NPN型MOS管7N65
编辑：ll 7N65-ASEMI高压NPN型MOS管7N65 型号：7N65 品牌：ASEMI 连续漏极电流(Id)：4A 漏源电压(Vdss)：650V 栅极阈值电压：±30V 单脉冲雪崩能量：150mJ 集电极电流（脉冲）：8A 导通内阻RDS(on)：1.3Ω 功率(Pd)：50W 芯片个数： ......
带头节点双向链表实现
#include <stdio.h> #include <stdlib.h> #define Elemtype int #define ERROR -1 /* 带头节点的双向链表循环实现 */ typedef struct Node { Elemtype e; Node* next; Node* f ......
4N65-ASEMI小功率N沟道MOS管4N65
编辑：ll 4N65-ASEMI小功率N沟道MOS管4N65 型号：4N65 品牌：ASEMI 封装：TO-220F 连续漏极电流(Id)：4A 漏源电压(Vdss)：650V 功率(Pd)：50W 芯片个数：2 引脚数量：3 类型：插件、高压MOS管 特性：N沟道MOS管、高压MOS管 导通内阻R ......
[Vue]双向绑定不生效
el-input框修改了内容但页面显示延迟 解决方案：给input绑定一个@input方法，使用 this.$forceUpdate(); <el-input v-model.number="form.order_id" placeholder="编号" @input="orderChange">< ......
D13005M-ASEMI高频电源开关D13005M
编辑：ll D13005M-ASEMI高频电源开关D13005M 型号：D13005M 品牌：ASEMI 集电极电流：4A 集电极电压：700V 集电极-发射极电压：450V 发射极-基极电压：12V 集电极电流（脉冲）：8A 芯片个数：1 封装：TO-220F 工作温度：-50°C~150°C 引 ......
50N65-ASEMI高压N沟道MOS管50N65
编辑：ll 50N65-ASEMI高压N沟道MOS管50N65 型号：50N65 品牌：ASEMI 封装：TO-247 连续漏极电流(Id)：50A 漏源电压(Vdss)：650V 功率(Pd)：388W 芯片个数：2 引脚数量：3 类型：插件、高压MOS管 特性：N沟道MOS管、高压MOS管 RD ......
MMBT3906-ASEMI低压PNP型贴片三极管MMBT3906
编辑：ll MMBT3906-ASEMI低压PNP型贴片三极管MMBT3906 型号：MMBT3906 品牌：ASEMI 电流(Id)：200mA 电压(Vdss)：40V 功率(Pd)： 芯片个数：1 封装：SOT-23 安装方式：表面安装 工作温度：-55°C~150°C 引脚数量：3 类型：低 ......
MMBT3904-ASEMI智能灯具三极管MMBT3904
编辑：ll MMBT3904-ASEMI智能灯具三极管MMBT3904 型号：MMBT3904 品牌：ASEMI 封装：SOT-23 集电极电流(Id)：200mA 发射极击穿电压(Vdss)：40V 芯片个数：1 引脚数量：3 类型：MOS管 特性：NPN低电流晶体三极管 封装尺寸：如图 集电极- ......
Ef Core花里胡哨系列(8) 如何可控管理Ef Core的迁移？
Ef Core花里胡哨系列(8) 如何可控管理Ef Core的迁移？ 通常使用Ef Core迁移时，可能就是简单的使用命令dotnet-ef migrations add或者dotnet ef database update等等，基本都需要靠命令维护，非常的繁琐。特别是现在很多项目都是迭代型项目，很 ......
Golang标准库 container/list(双向链表) 的图文解说
Golang标准库 container/list(双向链表) 的图文解说 提到单向链表，大家应该是比较熟悉的了。今天介绍的是 golang 官方库提供的 双向链表。 1、基础介绍 单向链表中的每个节点包含数据和指向下一个节点的指针。其特点是每个节点只知道下一个节点的位置，使得数据只能单向遍历。 示意 ......
第八节：高阶链表详解(循环链表、双向链表)
一. 二. 三. ! 作 者 : Yaopengfei(姚鹏飞) 博客地址 : http://www.cnblogs.com/yaopengfei/ 声 明1 : 如有错误，欢迎讨论，请勿谩骂^_^。 声 明2 : 原创博客请在转载时保留原文链接或在文章开头加上本人博客地址，否则保留追究法律责任的权 ......
基于CNN和双向gru的心跳分类系统
CNN and Bidirectional GRU-Based Heartbeat Sound Classification Architecture for Elderly People是发布在2023 MDPI Mathematics上的论文，提出了基于卷积神经网络和双向门控循环单元(CNN + ......
HDU 1404 ”Solitaire“ (双向广搜)
HDU 1404 ”Solitaire" OJ：https://acm.hdu.edu.cn/showproblem.php?pid=1401 题目大意：8 * 8 的棋盘，上面有四个棋子，棋子可以上下左右移动，如果在上下左右移动的时候该位置有一个棋子已经放置，可以跳过这个棋子放在后面，不可以连续跳 ......
DB207S-ASEMI迷你贴片整流桥DB207S
编辑：ll DB207S-ASEMI迷你贴片整流桥DB207S 型号：DB207S 品牌：ASEMI 封装：DBS-4 最大平均正向电流：2A 最大重复峰值反向电压：1000V 产品引线数量：4 产品内部芯片个数：4 产品内部芯片尺寸：55MIL 峰值正向漏电流：<10ua 恢复时间：＞2000ns ......
ABS210-ASEMI手机适配器整流桥ABS210
编辑：ll ABS210-ASEMI手机适配器整流桥ABS210 型号：ABS210 品牌：ASEMI 封装：ABS-4 特性：贴片、整流桥 最大平均正向电流：2A 最大重复峰值反向电压：1000V 恢复时间：＞2000ns 引脚数量：4 芯片个数：4 最大正向压降：1.10V 芯片尺寸：60MIL ......
KBU808-ASEMI适配高端电源KBU808
编辑：ll KBU808-ASEMI适配高端电源KBU808 型号：KBU808 品牌：ASEMI 封装：KBU-4 最大平均正向电流：8A 最大重复峰值反向电压：800V 产品引线数量：4 产品内部芯片个数：4 产品内部芯片尺寸：95MIL 峰值正向漏电流：<10ua 恢复时间：＞2000ns 浪 ......