整流桥 电压asemi 808
D25XB100-ASEMI家用电器整流桥D25XB100
编辑：ll D25XB100-ASEMI家用电器整流桥D25XB100 型号：D25XB100 品牌：ASEMI 封装：GBJ-5（带康铜丝） 平均正向整流电流（Id）：25A 最大反向击穿电压（VRM）：1000V 产品引线数量：5 产品内部芯片个数：4 产品内部芯片尺寸：72MIL 峰值正向漏电 ......
D25XB80-ASEMI开关电源桥堆D25XB80
编辑：ll D25XB80-ASEMI开关电源桥堆D25XB80 型号：D25XB80 品牌：ASEMI 封装：GBJ-5（带康铜丝） 特性：插件、整流桥 平均正向整流电流（Id）：25A 最大反向击穿电压（VRM）：800V 恢复时间：＞2000ns 最大RMS电压： 引脚数量：5 芯片个数：4 ......
D35XB80-ASEMI工业自动化设备整流桥D35XB80
编辑：ll D35XB80-ASEMI工业自动化设备整流桥D35XB80 型号：D35XB80 品牌：ASEMI 封装：GBJ-5（带康铜丝） 平均正向整流电流（Id）：35A 最大反向击穿电压（VRM）：800V 产品引线数量：5 产品内部芯片个数：4 产品内部芯片尺寸：72MIL 峰值正向漏电流 ......
D35XB60-ASEMI开关电源桥堆D35XB60
编辑：ll D35XB60-ASEMI开关电源桥堆D35XB60 型号：D35XB60 品牌：ASEMI 封装：GBJ-5（带康铜丝） 特性：插件、整流桥 平均正向整流电流（Id）：35A 最大反向击穿电压（VRM）：600V 恢复时间：＞2000ns 最大RMS电压： 引脚数量：5 芯片个数：4 ......
MURD1060-ASEMI快恢复TO-252封装二极管MURD1060
编辑：ll MURD1060-ASEMI快恢复TO-252封装二极管MURD1060 型号：MURD1060 品牌：ASEMI 封装：TO-252 平均正向整流电流（Id）：10A 最大反向击穿电压（VRM）：600V 产品引线数量：3 产品内部芯片个数：2 产品内部芯片尺寸：72MIL 峰值正向漏 ......
D35XB100-ASEMI配电箱整流桥D35XB100
编辑：ll D35XB100-ASEMI配电箱整流桥D35XB100 型号：D35XB100 品牌：ASEMI 封装：GBJ-5（带康铜丝） 特性：插件、整流桥 平均正向整流电流（Id）：55A 最大反向击穿电压（VRM）：1000V 恢复时间：＞2000ns 最大RMS电压： 引脚数量：4 芯片个 ......
D55XT100-ASEMI电机专用整流桥D55XT100
编辑：ll D55XT100-ASEMI电机专用整流桥D55XT100 型号：D55XT100 品牌：ASEMI 封装：DXT-4 平均正向整流电流（Id）：55A 最大反向击穿电压（VRM）：1000V 产品引线数量：4 产品内部芯片个数：4 产品内部芯片尺寸：95MIL 峰值正向漏电流：<10u ......
D55XT80-ASEMI配电箱整流桥D55XT80
编辑：ll D55XT80-ASEMI配电箱整流桥D55XT80 型号：D55XT80 品牌：ASEMI 封装：DXT-4 特性：插件、整流桥 平均正向整流电流（Id）：55A 最大反向击穿电压（VRM）：800V 恢复时间：＞2000ns 最大RMS电压： 引脚数量：4 芯片个数：4 最大正向压降 ......
MSB30M-ASEMI小贴片整流桥MSB30M
编辑：ll MSB30M-ASEMI小贴片整流桥MSB30M 型号：MSB30M 品牌：ASEMI 封装：UMSB-4 最大平均正向电流：3A 最大重复峰值反向电压：1000V 产品引线数量：4 产品内部芯片个数：4 产品内部芯片尺寸：50MIL 峰值正向漏电流：<10ua 恢复时间：＞2000ns ......
MSB20M-ASEMI迷你贴片整流桥MSB20M
编辑：ll MSB20M-ASEMI迷你贴片整流桥MSB20M 型号：MSB20M 品牌：ASEMI 封装：UMSB-4 特性：贴片、整流桥 最大平均正向电流：2A 最大重复峰值反向电压：1000V 恢复时间：＞2000ns 最大RMS电压：700V 引脚数量：4 芯片个数：4 最大正向压降：1.1 ......
端电压，相电压，线电压的区别
图一：三相逆变桥与三相永磁同步电机连接示意图 端电压 端电压：在三相逆变桥与三相永磁同步电机连接示意图中，三相线(U,V,W)相对于参考点o所测量得到的电压称为端电压。 下图二中，Uao，Ubo，Uco就表示三相端电压。 相电压 相电压：在三相逆变桥与三相永磁同步电机连接示意图中，三相线(U,V,W ......
7N65-ASEMI高压NPN型MOS管7N65
编辑：ll 7N65-ASEMI高压NPN型MOS管7N65 型号：7N65 品牌：ASEMI 连续漏极电流(Id)：4A 漏源电压(Vdss)：650V 栅极阈值电压：±30V 单脉冲雪崩能量：150mJ 集电极电流（脉冲）：8A 导通内阻RDS(on)：1.3Ω 功率(Pd)：50W 芯片个数： ......
4N65-ASEMI小功率N沟道MOS管4N65
编辑：ll 4N65-ASEMI小功率N沟道MOS管4N65 型号：4N65 品牌：ASEMI 封装：TO-220F 连续漏极电流(Id)：4A 漏源电压(Vdss)：650V 功率(Pd)：50W 芯片个数：2 引脚数量：3 类型：插件、高压MOS管 特性：N沟道MOS管、高压MOS管 导通内阻R ......
D13005M-ASEMI高频电源开关D13005M
编辑：ll D13005M-ASEMI高频电源开关D13005M 型号：D13005M 品牌：ASEMI 集电极电流：4A 集电极电压：700V 集电极-发射极电压：450V 发射极-基极电压：12V 集电极电流（脉冲）：8A 芯片个数：1 封装：TO-220F 工作温度：-50°C~150°C 引 ......
50N65-ASEMI高压N沟道MOS管50N65
编辑：ll 50N65-ASEMI高压N沟道MOS管50N65 型号：50N65 品牌：ASEMI 封装：TO-247 连续漏极电流(Id)：50A 漏源电压(Vdss)：650V 功率(Pd)：388W 芯片个数：2 引脚数量：3 类型：插件、高压MOS管 特性：N沟道MOS管、高压MOS管 RD ......
MMBT3906-ASEMI低压PNP型贴片三极管MMBT3906
编辑：ll MMBT3906-ASEMI低压PNP型贴片三极管MMBT3906 型号：MMBT3906 品牌：ASEMI 电流(Id)：200mA 电压(Vdss)：40V 功率(Pd)： 芯片个数：1 封装：SOT-23 安装方式：表面安装 工作温度：-55°C~150°C 引脚数量：3 类型：低 ......
MMBT3904-ASEMI智能灯具三极管MMBT3904
编辑：ll MMBT3904-ASEMI智能灯具三极管MMBT3904 型号：MMBT3904 品牌：ASEMI 封装：SOT-23 集电极电流(Id)：200mA 发射极击穿电压(Vdss)：40V 芯片个数：1 引脚数量：3 类型：MOS管 特性：NPN低电流晶体三极管 封装尺寸：如图 集电极- ......
（6）多阈值电压设计
在第0节我们知道，静态功耗与阈值电压相关，随着阈值电压的增加而减小，如下图所示： 根据上图，我们可以整理出阈值电压和静态功耗、时间延时之间的关系： 阈值电压越高的单元，静态功耗越低，但是时间延时越长，也就越慢； 阈值电压越低的单元，静态功耗越高，但是时间延时越短，也就越快； 综合和布局布线工具可以根 ......
（3）多电压域技术
一、多电压域技术概括 在第0节我们知道，功耗与电压是有着密切关系的，因此降低电压是可以降低功耗的，当然代价是电路的延时变大，这种低功耗技术就是本节所要介绍的多电压域技术。 多电压域的实现有以下三种方式： （a）：各个电压域有固定的电压，这种设计是最简单的； （b）：软件分配各个区域采用哪种电压，分配 ......
视频监控存储平台EasyCVR车载监控JT/T 808协议接入及场景应用
JT/T 808协议的全称是《道路运输车辆卫星定位系统终端通讯协议及数据格式》，也称为部标808协议，适用于GPS定位车载终端和监控平台之间的通信。本标准规定了道路运输车辆卫星定位系统车载终端与监管/监控平台之间的通信协议与数据格式，包括协议基础、通信连接、消息处理、协议分类与要求及数据格式。 1、 ......
【电压和电流基础知识学习理解】
电压: 表示电路中某两个节点的电势差（电场中两点之间电势的差值）。 电流: 表示单位时间内通过导体的电荷的量，电荷定向移动形成电流（从高电势流向低电势）。 电压电流关系: 有了电压，才有可能产生电流，但是有电压，未必就会产生电流。 电压必须加在导体的两端，这样导体中才会产生电流，如果加在不导电的东西 ......
《安富莱嵌入式周报》第329期：圣诞前夕，各种软件井喷式更新，开源600Wh的UPS低压电源，各种插件类型介绍，ADI推出的六位半电压测量模块，手势音频调节
周报汇总地址：http://www.armbbs.cn/forum.php?mod=forumdisplay&fid=12&filter=typeid&typeid=104 圣诞前夕，各种软件井喷式发布新版本 视频版： https://www.bilibili.com/video/BV19Q4y1u ......
DB207S-ASEMI迷你贴片整流桥DB207S
编辑：ll DB207S-ASEMI迷你贴片整流桥DB207S 型号：DB207S 品牌：ASEMI 封装：DBS-4 最大平均正向电流：2A 最大重复峰值反向电压：1000V 产品引线数量：4 产品内部芯片个数：4 产品内部芯片尺寸：55MIL 峰值正向漏电流：<10ua 恢复时间：＞2000ns ......
ABS210-ASEMI手机适配器整流桥ABS210
编辑：ll ABS210-ASEMI手机适配器整流桥ABS210 型号：ABS210 品牌：ASEMI 封装：ABS-4 特性：贴片、整流桥 最大平均正向电流：2A 最大重复峰值反向电压：1000V 恢复时间：＞2000ns 引脚数量：4 芯片个数：4 最大正向压降：1.10V 芯片尺寸：60MIL ......
KBU808-ASEMI适配高端电源KBU808
编辑：ll KBU808-ASEMI适配高端电源KBU808 型号：KBU808 品牌：ASEMI 封装：KBU-4 最大平均正向电流：8A 最大重复峰值反向电压：800V 产品引线数量：4 产品内部芯片个数：4 产品内部芯片尺寸：95MIL 峰值正向漏电流：<10ua 恢复时间：＞2000ns 浪 ......
GBU808-ASEMI功率整流器件GBU808
编辑：ll GBU808-ASEMI功率整流器件GBU808 型号：GBU808 品牌：ASEMI 封装：GBU-4 特性：插件、整流桥 最大平均正向电流：8A 最大重复峰值反向电压：800V 恢复时间：＞2000ns 引脚数量：4 芯片个数：4 最大正向压降：1.10V 芯片尺寸：95MIL 浪涌 ......
KBP310-ASEMI适配高端电源KBP310
编辑：ll KBP310-ASEMI适配高端电源KBP310 型号：KBP310 品牌：ASEMI 封装：KBP-4 最大平均正向电流：3A 最大重复峰值反向电压：1000V 产品引线数量：4 产品内部芯片个数：4 产品内部芯片尺寸：60MIL 峰值正向漏电流：<10ua 恢复时间：＞2000ns ......
KBP307-ASEMI功率整流器件KBP307
编辑：ll KBP307-ASEMI功率整流器件KBP307 型号：KBP307 品牌：ASEMI 封装：KBP-4 特性：插件、整流桥 最大平均正向电流：3A 最大重复峰值反向电压：1000V 恢复时间：＞2000ns 引脚数量：4 芯片个数：4 最大正向压降：1.10V 芯片尺寸：60MIL 浪 ......
KBU610-ASEMI功率整流器件KBU610
编辑：ll KBU610-ASEMI功率整流器件KBU610 型号：KBU610 品牌：ASEMI 封装：KBU-4 特性：插件、整流桥 最大平均正向电流：6A 最大重复峰值反向电压：1000V 恢复时间：＞2000ns 引脚数量：4 芯片个数：4 最大正向压降：1.05V 芯片尺寸：88MIL 浪 ......