电平 三极管 电路

MUR2080CT/MUR2080CTR-ASEMI快恢复二极管对管

编辑:ll MUR2080CT/MUR2080CTR-ASEMI快恢复二极管对管 型号:MUR2080CT/MUR2080CTR 品牌:ASEMI 封装:TO-220 恢复时间:50ns 正向电流:20A 反向耐压:800V 芯片大小:102MIL*2 芯片个数:2 引脚数量:3 类型:快恢复二极管 ......
二极管 2080 MUR CTR-ASEMI ASEMI

MUR20100CT/MUR20100CTR-ASEMI快恢复二极管对管

编辑:ll MUR20100CT/MUR20100CTR-ASEMI快恢复二极管对管 型号:MURF20100CT/MURF2080CTR 品牌:ASEMI 封装:TO-220F 恢复时间:50ns 正向电流:20A 反向耐压:1000V 芯片大小:102MIL*2 芯片个数:2 引脚数量:2 类型 ......
20100 二极管 MUR CTR-ASEMI ASEMI

ASEMI代理海矽美快恢复二极管SFP6002的特性和应用分析

编辑-Z 二极管SFP6002是一种常见的电子元件,也被称为快恢复二极管。它具有快速恢复时间和低反向恢复电流的特点,适用于高频电路和开关电源等应用。 SFP6002的主要特性包括: 1. 快速恢复时间:SFP6002具有快速的恢复时间,可以在电流反向变化时迅速恢复到正常工作状态。这使得它在高频电路中 ......
二极管 特性 ASEMI 6002 SFP

ASEMI快恢复二极管SFP6012A参数, SFP6012A规格

编辑-Z SFP6012A参数描述: 型号:SFP6012A 最大峰值反向电压(VRRM):1200V 平均整流正向电流(IF):60A 非重复峰值浪涌电流(IFSM):500A 工作接点温度和储存温度(TJ, Tstg):-40 to +175℃ 最大热阻(RθJC):0.5℃/W 正向电压(VF ......
6012A 二极管 6012 SFP 规格

推荐一些有关硬件/FPGA/电路方面的好用的在线网站(持续更新~)

1、在线绘制逻辑门电路图的网址Visual Paradigm: 逻辑图软件 (visual-paradigm.com) 2、在线绘制时序图的网址WaveDrom: WaveDrom - Digital timing diagram everywhere 3、在线电路仿真网站(电路模拟器)Circui ......
电路 方面 硬件 网站 FPGA

三极管的电平转换及驱动电路分析

3.3V-5V电平转换电路 如上图,左端接3.3V CMOS电平,可以是STM32、FPGA等的IO口,右端输出为5V电平,实现3.3V到5V电平的转换。 现在来分析下各个电阻的作用(抓住的核心思路是三极管的Vbe导通时为恒定值0.7V左右): 假设没有R87,则当US_CH0的高电平直接加在三极管 ......
电平 三极管 电路

如何给multisim中导入9012/9013/8050/8550三极管

我们在Multisim中找到不到9012/9013/8050/8550三极管,而9012/9013/8050/8550这两对三极管是我们在日常电路中使用比较多的三极管,但在Multisim中总是无法找到他们的身影,实际Multisim使用的是美国人的器件库,所以在里面找不到他们也是很正常的,9012 ......
三极管 multisim 9012 8050 8550

UPC2710T放大电路功率增益测试

01问题提出 在 UPC2710T高频放大器 中对于uPC2710T高频放大电路进行测性能测试。在其第四部分所制作的测试电路中,得到uPC2710T的功率增益大约为20dB左右,这与 UPC2710T数据手册 中对应的增益33dB相差13dB。 ▲ 实测功率增益(左)与数据手册中功率增益曲线(右) ......
功率 电路 2710T 2710 UPC

基于2SK4037的射频功率放大电路实验

N沟道成效应管 2SK4037 是由TOSHIBA公司出品的射频功率双效应管。它的主要参数为: 最大输出功率: P0=36.5dBmW功率增益:Gp=11.5dB(typical)漏极功率效率:D=60.0% 在前期对于射频信号放大,给出了几种集成芯片的测试。但它们的输出功率都小于20dBm,本文给 ......
射频 功率 电路 4037 2SK

射频电路的接地孔与回流问题

前沿 下图是PCB走线排板时常见的微带线(左图)和带状线(右图)的电磁场分布示意图,其电力线从走线层发出,终止于相关平面层,相关平面层不一定是地线层,可以是电源层,甚至是任意的网络层,在终止的相关平面层里会产生镜像电流,这个电流就叫走线层电流的"回流",回流与信号电流构成闭合回路,频率不是太高时满足 ......
射频 电路 问题

01、低噪声放大电路设计——ATF-54143

内部包含低噪声放大器电路设计所需的atf54143模型以及ATC公司电容电感S2P文件-嵌入式文档类资源-CSDN文库https://download.csdn.net/download/weixin_42340855/858819100、知识储备 一个低噪声放大器(LNA)的核心指标就是噪声系数和 ......
低噪 电路设计 电路 54143 ATF

ASEMI快恢复二极管MURF20100CT特性及应用解析

编辑-Z 本文主要介绍MURF20100CT二极管的基本特性及其在电路设计中的应用。首先介绍该二极管的基本结构和特性参数,然后重点讲解其应用场景和具体的电路设计方法。最后总结MURF20100CT二极管的优势和使用注意事项。 一、MURF20100CT二极管的基本特性 MURF20100CT二极管是 ......
二极管 特性 ASEMI 20100 MURF

ASEMI二极管MURF20100CTR参数, MURF20100CTR特征

编辑-Z MURF20100CTR参数描述: 型号:MURF20100CTR 最大峰值反向电压(VRRM):1000V 最大RMS电压(VRMS):700V 最大直流阻断电压(VDC):1000V 平均整流正向电流(IF):20A 非重复峰值浪涌电流(IFSM):200A 工作接点温度和储存温度(T ......
20100 二极管 MURF CTR 特征

ASEMI快恢复二极管MUR20100CT尺寸, MUR20100CT体积

编辑-Z MUR20100CT参数描述: 型号:MUR20100CT 最大峰值反向电压(VRRM):1000V 最大RMS电压(VRMS):700V 最大直流阻断电压(VDC):1000V 平均整流正向电流(IF):20A 非重复峰值浪涌电流(IFSM):200A 工作接点温度和储存温度(TJ, T ......
20100 二极管 体积 MUR 尺寸

ASEMI快恢复二极管MUR20100CTR在电子工程中的应用

编辑-Z 随着电子技术的日益发展,各种电子元件的使用场景与需求也在逐步扩大。今天,我们将聚焦于一款广泛应用于各类电路的二极管——MUR20100CTR,来详细解读其性能特征及应用。 一、MUR20100CTR二极管的主要特性 MUR20100CTR是一款极高性能的超快恢复二极管,具有诸多核心优势。该 ......
电子工程 二极管 工程 ASEMI 20100

M7二极管-ASEMI迷你贴片整流二极管M7二极管

编辑:ll M7二极管-ASEMI迷你贴片整流二极管M7二极管 型号:M7二极管 品牌:ASEMI 芯片个数:1 芯片尺寸:46MIL 封装:SMAF 恢复时间:ns 工作温度:-50°C~150°C 浪涌电流:30A 正向电流:1A 反向耐压:1000V 正向压降:1.10V 引脚数量:2 漏电流 ......
二极管 贴片 ASEMI

A7二极管-ASEMI迷你封装整流管A7二极管

编辑:ll A7二极管-ASEMI迷你封装整流管A7二极管 型号:A7二极管 品牌:ASEMI 封装:SOD-123 正向电流:1A 反向耐压:1000V 芯片大小:60MIL 芯片个数:1 引脚数量:2 类型:整流二极管 特性:迷你二极管、整流管 浪涌电流:30A 正向压降:1.10V 封装尺寸: ......
二极管 整流管 ASEMI

RAW算法处理之BLC(Black level Correction黑电平校正)

BL产生的原因 暗电流 暗电流(dark current),也称无照电流,指在没有光照射的状态下,在太阳电池、光敏二极管、光导电元件、光电管等的受光元件中流动的电流,一般由于载流子的扩散或者器件内部缺陷造成。目前常用的CMOS就是光电器件,所以也会有暗电流,导致光照为0的时候也有电压输出。 如图是二 ......
电平 算法 Correction Black level

减法电路

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减法 电路

ASEMI二极管MURF2080CTR封装, MURF2080CTR大小

编辑-Z MURF2080CTR参数描述: 型号:MURF2080CTR 最大峰值反向电压(VRRM):800V 最大RMS电压(VRMS):430V 最大直流阻断电压VR(DC):800V 平均整流正向电流(IF):20A 非重复峰值浪涌电流(IFSM):150A 工作接点温度和储存温度(TJ, ......
二极管 2080 MURF CTR 大小

ASEMI快恢复二极管MURF2080CT怎么看芯片的第一脚

编辑-Z MURF2080CT是一款高压、高速二极管,常用于电源、逆变器、电机驱动器等领域。该二极管具有以下特点: 1. 高压承受能力:MURF2080CT的最大反向电压可达800V,能够承受较高的电压。 2. 快速开关速度:该二极管的开关速度非常快,能够快速响应电路的变化,提高电路的率。 3. 低 ......
二极管 芯片 ASEMI 2080 MURF

ASEMI快恢复二极管MUR2080CT参数, MUR2080CT规格

编辑-Z MUR2080CT参数描述: 型号:MUR2080CT 最大峰值反向电压(VRRM):800V 最大RMS电压(VRMS):430V 最大直流阻断电压VR(DC):800V 平均整流正向电流(IF):20A 非重复峰值浪涌电流(IFSM):150A 工作接点温度和储存温度(TJ, Tstg ......
二极管 2080 MUR 规格 参数

ASEMI快恢复二极管MUR2080CTR资料,MUR2080CTR参数

编辑-Z MUR2080CTR是一种高压、超快恢复整流二极管。它通常用于各种电子应用,如电源、逆变器和电机控制电路。该二极管设计用于处理高压和高频开关,适用于需要快速高效整流的应用。 MUR2080CTR二极管的一个关键特性是其超快的恢复时间。这意味着它可以非常快地从导通状态切换到非导通状态,最大限 ......
二极管 2080 MUR CTR 参数

时序电路中阻塞赋值和非阻塞赋值

FPGA 非阻塞赋值与阻塞赋值 1.0简介 2.0阻塞赋值&非阻塞赋值 2.1阻塞赋值 2.2非阻塞赋值 2.3区别 3.0编码准则 4.0 举例 准则1)时序电路建模时,用非阻塞赋值; 准则2)锁存器电路建模时,用非阻塞赋值; 准则3)用always块建立组合逻辑模型时,用阻塞赋值; 准则4)在同 ......
时序 电路

在时序电路中使用阻塞赋值会怎样

阻塞赋值的使用 如之前介绍所述,建议使用阻塞赋值来描述组合逻辑设计。但是,如果在编码时序逻辑行为时使用阻塞赋值,会发生什么?这是需要解决的最重要的问题之一,对后续讨论很重要。 如果阻塞赋值用于编码时序逻辑的行为,则可以观察到综合结果不是正确的功能设计意图。 接下来介绍使用阻塞赋值对时序电路设计进行编 ......
时序 电路

助教工作总结(数字电路与逻辑设计实验)

一、助教工作的具体职责和任务 1.提前与老师沟通并了解实验内容 2.实验课上核对签到名单,确保所有同学在场,并帮助同学们正确使用实验仪器,和老师一起解决同学们在实验中所遇到的问题,保证实验的顺利完成 3.整理并批改实验报告并与老师反馈完成情况 二、助教工作的每周时长和具体安排 1.每一次实验3-4小 ......

2019-05-06 三极管

三极管一共有 3 个极,从图 3-6 来看,横向左侧的引脚叫做基极(base),中间有一个箭头,一头连接基极,另外一头连接的是发射极 e(emitter),那剩下的一个引脚就是集电极 c(collector)了。这是必须要记住的内容,死记硬背即可,后边慢慢用的多了,每次死记硬背一次,多次以后就会深入 ......
三极管 2019 05 06

MURF2080CTR-ASEMI快恢复二极管对管20A 800V

编辑:ll MURF2080CTR-ASEMI快恢复二极管对管20A 800V 型号:MURF2080CTR 品牌:ASEMI 芯片个数:2 封装:TO-220F 恢复时间:75ns 工作温度:-55°C~150°C 浪涌电流:150A 正向电流:20A 反向耐压:800V 正向压降:1.5V 引脚 ......
二极管 CTR-ASEMI ASEMI MURF 2080

MURF2080CT-ASEMI快恢复二极管对管MURF2080CT

编辑:ll MURF2080CT-ASEMI快恢复二极管对管MURF2080CT 型号:MURF2080CT 品牌:ASEMI 封装:TO-220F 恢复时间:75ns 正向电流:20A 反向耐压:800V 芯片个数:2 引脚数量:3 类型:快恢复二极管、快恢复对管 特性:对管、插件快恢复二极管 浪 ......
二极管 MURF 2080 CT-ASEMI ASEMI

高效模拟前端集成电路 Chapter 1 绪论

## 高效模拟前端集成电路 Chapter 1 绪论 计划近期阅读完朱樟明《高效模拟前端集成电路》一书增加自己模拟电路领域的理论知识。 模拟前端集成电路在部分电子系统中的位置: 1. 无线通信 2. 有线通信 3. 信息感知 4. 高速数据接口(Serdes,JESD204B,LVDS) ![](h ......
绪论 前端 集成电路 电路 Chapter