kbl 610芯片asemi

KBU808-ASEMI小功率开关电源KBU808

编辑:ll KBU808-ASEMI小功率开关电源KBU808 型号:KBU808 品牌:ASEMI 芯片个数:4 封装:GBU-4 恢复时间:>50ns 工作温度:-55°C~150°C 浪涌电流:200A 正向电流:8A 反向耐压:800V 正向压降:1.10V 引脚数量:4 KBU808特性: ......
开关电源 功率 KBU 808 电源

GBU810-ASEMI高性能整流桥GBU810

编辑:ll GBU810-ASEMI高性能整流桥GBU810 型号:GBU810 品牌:ASEMI 封装:GBU-4 恢复时间:>50ns 正向电流:8A 反向耐压:1000V 芯片个数:4 引脚数量:4 类型:整流桥、功率整流器件 特性:功率整流器件、高性能整流桥 浪涌电流:200A 正向压降:1 ......
整流桥 高性能 GBU 810 ASEMI

446-基于VU440T的多核处理器多输入芯片验证板卡

基于XCVU440-FLGA2892的多核处理器多输入芯片验证板卡为实现网络交换芯片的验证,包括四个FMC接口、DDR、GPIO等,板卡用于完成甲方的芯片验证任务,多任务功能验证 ......
板卡 处理器 芯片 440T 446

【WCH蓝牙系列芯片——知识目录】

WCH蓝牙系列芯片——BLE 1、【WCH蓝牙系列芯片】-CH582固件程序烧录说明 ......
芯片 目录 知识 WCH

【WCH蓝牙系列芯片】-基于CH582开发板—蓝牙OTA空中升级讲解(一)

OTA的全名是OTA DFU,就是通过空中无线方式实现设备固件升级。OTA是实现DUF(设备固件升级)的一种方式。这次将利用CH582开发板结合EVT例程中的OTA例程讲解不带库升级的整个过程。 在不带库升级中,整个用户应用程序存储区 CodeFlash分为四个区域,包括Jump IAP、 APP、 ......
芯片 WCH 582 OTA CH

芯片制造设计、制造、封测系列全流程

芯片制造设计、制造、封测系列全流程 1.1芯片制造全流程概述 1.芯片制造全流程简介 芯片制造分为三大步骤,分别是芯片设计、芯片制造、封装测试。 2.芯片设计 高通、苹果、英伟达、AMD、联发科,这些大名鼎鼎的公司都是芯片设计公司。芯片设计,首先设定芯片的目的,分为三类,逻辑芯片、储存芯片、功率芯片 ......
芯片 流程

GBU808-ASEMI小功率开关电源GBU808

编辑:ll GBU808-ASEMI小功率开关电源GBU808 型号:GBU808 品牌:ASEMI 芯片个数:4 封装:GBU-4 恢复时间:>50ns 工作温度:-55°C~150°C 浪涌电流:200A 正向电流:8A 反向耐压:800V 正向压降:1.10V 引脚数量:4 GBU808特性: ......
开关电源 功率 GBU 808 电源

GBU610-ASEMI新能源专用整流桥GBU610

编辑:ll GBU610-ASEMI新能源专用整流桥GBU610 型号:GBU610 品牌:ASEMI 封装:GBU-4 恢复时间:>50ns 正向电流:6A 反向耐压:1000V 芯片个数:4 引脚数量:4 类型:整流桥、功率整流器件 特性:功率整流器件、高耐压整流桥 浪涌电流:200A 正向压降 ......
整流桥 新能源 GBU 610 ASEMI

ASEMI整流桥GBU610参数,GBU610规格

编辑-Z GBU610参数描述: 型号:GBU610 最大直流反向电压VR:1000V 最大工作峰值反向电压VRWM:700V 最大平均正向电流IF:6A 非重复正向浪涌电流IFSM:175A 操作和储存温度范围TJ ,TSTG:-55 to 150℃ 正向电压VF:1.1V 最大反向泄漏电流IRM ......
整流桥 610 GBU 规格 参数

深入理解ASEMI整流桥GBU808的特性与应用

编辑-Z 当我们谈论电子元器件,你可能首先想到的是电阻、电容和晶体管。然而,有一种元器件,虽然名不见经传,却在电力供应中起着举足轻重的作用。那就是整流桥。今天我们就来深入分析一下GBU808整流桥,这是一款流行度相当高的单相桥式整流器,理解它的工作原理,特性和应用将有助于我们在设计电路时做出更好的决 ......
整流桥 特性 ASEMI 808 GBU

LORA射频开关芯片ATR5179 VS PE4259 单刀双掷开关单芯片

PE4259 UltraCMOS@射频开关是专为涵盖10兆赫-3000兆赫的广泛应用。这款反射式开关集成了具有低电压的板上CMOS控制逻辑CMOS兼容的控制接口,并可将使用单引脚或互补引脚控制控制的输入端。 ATR5179是一款采用pHEMT GaAs工艺制作的单刀双掷开关单芯片,芯片内部电路结构简 ......
单刀 射频 芯片 LORA 5179

集睿致远CS5518 Mipi转lvds点屏方案芯片,pin to pin替代国腾GM8775C方案

GM8775C 型DSI​ 转双通道 LVDS 发送器产品​主要实现将MIPI​ DSI 转单/双通道 LVDS 功能,MIPI 支持 1/2/3/4 通道可选,最大支持 4G​bps 速率。LVDS 时钟​频率最高154MHz,最大支持视频格式为 FULL HD(1920 x 1200)。 产品特 ......
替代国 方案 pin 芯片 8775C

低功耗蓝牙芯片PHY6222/PHY6252 蓝牙锁的应用

蓝牙锁 目前在蓝牙锁领域应用较多的版本应该是蓝牙4.0协议,本标准增加了Bluetooth Smart和Bluetooth SmartReady标准。特别是Bluetooth Smart版本,作为低功耗蓝牙(Bluetooth low Energy,简称BLE),随着历史的演变,版本有质的飞越。主要 ......
功耗 PHY 芯片 6222 6252

【LCD驱动】VK1C21系列是防静电/抗干扰LCD液晶显示段码驱动芯片,可驱动32*4/18*4/14*4点 ,具备高抗干扰,显示效果好,静电耐压高等优良特性

产品型号:VK1C21A/B 产品品牌:永嘉微电/VINKA 封装形式:SSOP48/LQFP48 可定制裸片:DICE(COB邦定片);COG(邦定玻璃用) 产品年份:新年份 原厂 ,工程服务,技术支持! 概述: VK1C21A/B是一个点阵式存储映射的LCD驱动器,可支持最大128点(32SEG ......
抗干扰 液晶显示 静电 LCD 芯片

微软首款AI芯片代号“雅典娜”;马斯克四年内将让“星舰”上火星丨 RTE 开发者日报 Vol.61

开发者朋友们大家好: 这里是「RTE 开发者日报」,每天和大家一起看新闻、聊八卦。我们的社区编辑团队会整理分享 RTE (Real Time Engagement) 领域内「有话题的新闻」、「有态度的观点」、「有意思的数据」、「有思考的文章」、「有看点的会议」,但内容仅代表编辑的个人观点,欢迎大家留 ......
开发者 代号 芯片 日报 RTE

【LCD驱动】VK1C21系列是防静电/抗干扰LCD液晶显示驱动芯片,可驱动32*4/18*4/14*4点

产品型号:VK1C21A/B 产品品牌:永嘉微电/VINKA 封装形式:SSOP48/LQFP48 可定制裸片:DICE(COB邦定片);COG(邦定玻璃用) 产品年份:新年份 原厂 ,工程服务,技术支持! 概述: VK1C21A/B是一个点阵式存储映射的LCD驱动器,可支持最大128点(32SEG ......
抗干扰 液晶显示 LCD 芯片 液晶

芯片的pad 和pin 有啥区别

芯片内部晶圆的标号,而GPIO只是某些PAD拥有的功能,但是PAD和GPIO的序号却不是一一对应的 PIN指芯片封装好后的管脚,即用户看到的管脚;PAD是硅片的管脚,是封装在芯片内部的,用户看不到。PAD到PIN之间还有一段导线连接的。 ......
芯片 pad pin

SI3262—高度集成的低功耗SOC13.56MHz读卡器芯片 自带触摸

Si3262是一款高度集成的低功耗SOC芯片,其集成了基于RISC-V核的低功耗MCU和工作在13.56MHz的非接触式读写器模块。 MCU模块具有低功耗、Low Pin Count、宽电压工作范围,集成了13/14/15/16位精度的ADC、LVD、UART、SPI、I2C、TIMER、WUP、I ......
功耗 读卡器 芯片 高度 13.56

芯片制造与测试技术杂谈

芯片制造与测试技术杂谈 FinFET与芯片制程 芯片制造商已经在基于 10nm 和/或 7nm finFET 准备他们的下一代技术了,但我们仍然还不清楚 finFET 还能坚持多长时间、用于高端设备的 10nm 和 7nm 节点还能延展多久以及接下来会如何。 在 5nm、3nm 以及更小节点,半导体 ......
杂谈 芯片 技术

SD卡、TF卡、MMC卡以及eMMC芯片的介绍「建议收藏」

SD卡、TF卡、MMC卡以及eMMC芯片的介绍「建议收藏」 发布于 2022-07-01 16:39:48 2.4K0 举报 大家好,又见面了,我是你们的朋友全栈君。一、SD卡 1、简介 SD卡为Secure Digital Memory Card, 即安全数码卡,是一种基于半导体快闪记忆器的新一代 ......
芯片 建议 eMMC MMC

芯片化学机械抛光技术分析

芯片化学机械抛光技术分析 1)多层金属互连 2)电介质层的平面化 3)聚焦深度要求平面 4)实现高分辨率 5)粗糙的电介质表面也可能导致 6)金属化中的问题 平面化的定义 1)平面化是一个去除表面拓扑结构、使表面平滑和变平的过程 2)平整度表示表面的平整度和光滑度 平面化 1)可以通过热流或回蚀来实 ......
芯片 化学 机械 技术

为了复活摩尔定律 英特尔决定用玻璃来连接芯片

这两年,摩尔定律已死的说法是传得沸沸扬扬。 但别着急钉棺材板,因为照最近的消息来看,它可能又要活过来了。。。 让摩尔定律复活的,不是什么稀奇玩意儿,而是我们日常都能用到的玻璃。 最近,英特尔在官网上放出消息,说下一代先进封装的基板,它们打算用玻璃替代有机材料。 理由呢,不是玻璃更便宜,也不是更好看, ......
定律 芯片 玻璃

芯片制造金属化分析

芯片制造金属化分析 CMOS:标准金属化 铜金属化 连接尖峰 钛的应用 接触过程的演变 金属CVD舱室 钨籽层和大块层 CVD PVD和CVD TiN层 预清洁Ti/TiN PVD PVD固体材料 CVD气体或蒸汽 热蒸发 电子束蒸发器 溅射 动量转移将使表面原子脱离直流二极管溅射 磁控溅射示意图 ......
芯片 金属

一个高精度24位ADC芯片ADS1222的使用方法及参考电路程序成都控制器定制

前一段时间,在做单片机、PLC、电路板、控制器/箱、仪器仪表、机电设备或系统、自动化、工控、传感、数据采集、自控系统、控制系统,物联网,电子产品,软件、APP开发设计定制定做开发项目时,有要求用到24位的高精度ADC,用于对外部信号采集。 经查阅,初步获得一款满足要求的芯片:ADS1222,本文就介 ......

ARM架构芯片上电启动,自动干了啥

armv7-M 上电后芯片自动完成一些配置,伪代码TaskReset()如下: 主要功能: 设置芯片处于 Thread 模式 访问等级是特权级,SP用的是MSP 关闭所有中断(exception) 从flash读出第一个word,设置到MSP 从flash读出第二个word,并读出最低位设置到EPS ......
上电 架构 芯片 ARM

SOC芯片架构技术分析(三)

SOC芯片架构技术分析(三) 3.1 汽车:汽车平台未来需要高算力 1)汽车半导体涵盖了汽车芯片、功率器件、传感器等重要电子零部件。汽车的计算芯片包括传统的MCU芯片和SoC芯片。 MCU芯片一般包含CPU一个处理器单元;而汽车SoC一般包含多个处理单元。 2)ECU(Electronic Cont ......
架构 芯片 技术 SOC

SOC芯片架构技术分析(二)

SOC芯片架构技术分析(二) 2.1 SoC产业链概况 2.2 产业链上游概况:设计工具寡头竞争 2.2 产业链上游概况:IP核行业行业集中度高 1)行业集中度高,国内厂商市占率较低。 2)全球IP核供应商以国外厂商为主,行业集中度相对 较高:国内集成电路设计企业所需的IP核大多来自 境外供应商,每 ......
架构 芯片 技术 SOC

集睿致远/ASL国产DP/eDP转LVDS点屏方案芯片,CS5211设计资料

集睿致远/ASL推出的CS5211是一款可将eDP输入转换为LVDS信号的桥接芯片,CS5211内置LVDS发射机配备灵活的OpenLDI/SPWG位映射,能够驱动单端口或双端口(18/24位)LVDS面板。CS5211的LVDS输出可以配置为支持高达1920x1200分辨率,刷新率为60赫兹。此外 ......
芯片 国产 方案 资料 5211

【WCH蓝牙系列芯片】-基于CH582开发板—BLE从机开启HAL Sleep模式

在WCH沁恒官方提供的CH583的EVT资源包中,找到BLE文件中找到【Peripheral:外设从机角色例程】这个工程文件,在这个工程文件中,添加HAL Sleep模式,开启低功耗模式,通过观察功耗情况。 未开功耗,可以通过运行程序看出,此时的电流大小,图中电流尖峰是无线收发的电流,两个尖峰间隔时 ......
芯片 模式 Sleep WCH 582

SOC芯片架构技术分析(一)

SOC芯片架构技术分析(一) 框架总览 SOC芯片研究框架 1. SoC概况 1.1 SoC简介 1.2 SoC发展历程及未来发展趋势 1.3 SoC市场概况 2. SoC产业链 2.1 SoC产业链概况 2.2 产业链上游情况 2.3 产业链中游情况 2.4 产业链下游及终端应用 3. 成长驱动力 ......
架构 芯片 技术 SOC
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