功率kbu 610器件
解锁电子元器件企业管理新境界：SAP Business One一体化解决方案揭秘
根据电子元器件行业的特点，我们推荐使用SAP Bussiness One电子元器件行业解决方案。 SAP Business One以供应链、生产、财务一体化为核心，协同HR、OA、BI等无缝集成的一体化管理体系；SAP Bussiness One使电子元器件行业企业的经营、管理等各个环节企业内外信息... ......
UM2003A 一款200 ~ 960MHz ASK/OOK +18dBm 发射功率的单发射芯片
UM2003A 是一款工作于 200 ~ 960MHz 频段的单片集成、高性能、可独立运行的 OOK 发射器。内部集成的 OTP 方便用户对各种射频参数以及特色功能进行编程。该芯片以其高集成度和低功耗的设计，特别适用于低成本，低功耗，电池驱动的无线发射应用。UM2003A 的工作载波频率是由一个低噪 ......
4N65-ASEMI小功率N沟道MOS管4N65
编辑：ll 4N65-ASEMI小功率N沟道MOS管4N65 型号：4N65 品牌：ASEMI 封装：TO-220F 连续漏极电流(Id)：4A 漏源电压(Vdss)：650V 功率(Pd)：50W 芯片个数：2 引脚数量：3 类型：插件、高压MOS管 特性：N沟道MOS管、高压MOS管 导通内阻R ......
集成电路工艺与器件
干法刻蚀与湿法刻蚀 干法刻蚀高能离子与材料表面的相互作用 湿法刻蚀主要基于溶液中的化学反应 掺杂方法 热扩散、离子注入 扩散系数 快速退火 晶体缺陷修复：在半导体制造过程中，快速退火可帮助修复由于离子注入、沉积或蚀刻等步骤引入的晶体缺陷。通过高温快速退火，晶体中的缺陷可以重新排列和修复，从而提高晶体 ......
元器件经验分享-晶体与晶振对比分析
对于电子工程师而言，晶体和晶振是电路中不可或缺的关键元件，尤其在涉及到时钟信号和同步操作时。虽然两者在功能上有着相似之处，但在实际应用、电路设计以及布局布线等方面却存在着显著的区别。本文将详细对比晶体和晶振的属性、特点及应用场景，并为大家提供一些实用的布局和布线建议。 一、晶体与晶振的区别 对于许多 ......
（器件）LED照明驱动器MP3385BGR-P、MP86957GMJ-P半桥驱动器、MP2759GQ-0000-P电池充电器IC
1、MP3385BGR-P 带 I2C 接口的 4 串、80V 输出、WLED 控制 20QFN MP3385B 是一款具有4个调节 LED 电流 (ILED) 通道的升压控制器，适用于驱动中大型 LCD 面板背光应用中的白光 LED (WLED) 阵列。MP3385B 采用峰值电流控制模式和脉宽调 ......
610. Triangle Judgement（Case when）
参考：https://blog.csdn.net/wh_07/article/details/103292280 思路就是使用CASE语句，但是我对这个不太熟悉，一起来学习一下吧。 CASE 语句是在 SQL 中用于实现条件逻辑的一种强大工具。它允许在查询中根据不同的条件执行不同的操作。CASE 语 ......
海外的短信代理服务靠谱吗? 亲测成功率为0%
由于某些App的注册需要，因此需要一个海外手机进行短信注册，但是海外手机这事情确实不靠谱，搞不来，因此就考虑使用海外短信代理服务，于是使用了下面的俄罗斯网站： https://sms-activate.org/cn/freePrice#activation 最后的结果就是惨不忍睹呀，搞了一个小时，一 ......
世微AP3266过EMC检测 4-40V 3.6VA 大功率同步降压恒流芯片LED车灯电源驱动线路图
产品描述 AP3266 是一款简单、内置功率管的同步降压恒流芯片，适用于4-40V输入的降压LED恒流驱动芯片。输出功率可达 40W，电流3.6A。AP3266 可通过调节 OVP 端口的分压电阻，设定输出空载电压 保护，避免高压 空载上电瞬间烧坏LED灯。AP3266工作频率固定在 130KHZ， ......
allego 定位元器件的坐标
问题： 我想 在底板上防止连接器，但是 不知道4个连接器的相对位置。 解决： 可以 通过 找到连接器的绝对坐标来进行 计算出相对位置。 我自己 的操作 如下； ......
KBU808-ASEMI适配高端电源KBU808
编辑：ll KBU808-ASEMI适配高端电源KBU808 型号：KBU808 品牌：ASEMI 封装：KBU-4 最大平均正向电流：8A 最大重复峰值反向电压：800V 产品引线数量：4 产品内部芯片个数：4 产品内部芯片尺寸：95MIL 峰值正向漏电流：<10ua 恢复时间：＞2000ns 浪 ......
GBU808-ASEMI功率整流器件GBU808
编辑：ll GBU808-ASEMI功率整流器件GBU808 型号：GBU808 品牌：ASEMI 封装：GBU-4 特性：插件、整流桥 最大平均正向电流：8A 最大重复峰值反向电压：800V 恢复时间：＞2000ns 引脚数量：4 芯片个数：4 最大正向压降：1.10V 芯片尺寸：95MIL 浪涌 ......
KBP307-ASEMI功率整流器件KBP307
编辑：ll KBP307-ASEMI功率整流器件KBP307 型号：KBP307 品牌：ASEMI 封装：KBP-4 特性：插件、整流桥 最大平均正向电流：3A 最大重复峰值反向电压：1000V 恢复时间：＞2000ns 引脚数量：4 芯片个数：4 最大正向压降：1.10V 芯片尺寸：60MIL 浪 ......
KBU610-ASEMI功率整流器件KBU610
编辑：ll KBU610-ASEMI功率整流器件KBU610 型号：KBU610 品牌：ASEMI 封装：KBU-4 特性：插件、整流桥 最大平均正向电流：6A 最大重复峰值反向电压：1000V 恢复时间：＞2000ns 引脚数量：4 芯片个数：4 最大正向压降：1.05V 芯片尺寸：88MIL 浪 ......
（器件）STL33N60DM2 600V MOSFET、STLQ020PU28R低压差稳压器、STEC01PUR电源开关、STC3115IJT电池管理
（器件）STL33N60DM2 600V MOSFET、STLQ020PU28R低压差稳压器、STEC01PUR电源开关、STC3115IJT电池管理中文资料 ......
KBU1010-ASEMI功率整流器件KBU1010
编辑：ll KBU1010-ASEMI功率整流器件KBU1010 型号：KBU1010 品牌：ASEMI 封装：KBU-4 特性：插件、整流桥 最大平均正向电流：10A 最大重复峰值反向电压：1000V 恢复时间：＞2000ns 引脚数量：4 芯片个数：4 最大正向压降：1.05V 芯片尺寸：100 ......
MURF10100AC-ASEMI新能源功率器件MURF10100AC
编辑：ll MURF10100AC-ASEMI新能源功率器件MURF10100AC 型号：MURF10100AC 品牌：ASEMI 封装：TO-220F 最大平均正向电流：10A 最大重复峰值反向电压：1000V 产品引线数量：3 产品内部芯片个数：2 产品内部芯片尺寸：84MIL 峰值正向漏电流： ......
MUR8060PT-ASEMI新能源功率器件MUR8060PT
编辑：ll MUR8060PT-ASEMI新能源功率器件MUR8060PT 型号：MUR8060PT 品牌：ASEMI 封装：TO-247 最大平均正向电流：80A 最大重复峰值反向电压：600V 产品引线数量：3 产品内部芯片个数：2 产品内部芯片尺寸：140MIL 峰值正向漏电流：<10ua 恢 ......
SFP6006-ASEMI新能源功率器件SFP6006
编辑：ll SFP6006-ASEMI新能源功率器件SFP6006 型号：SFP6006 品牌：ASEMI 封装：TO-247 最大平均正向电流：60A 最大重复峰值反向电压：600V 产品引线数量：3 产品内部芯片个数：2 产品内部芯片尺寸：140MIL 峰值正向漏电流：<10ua 恢复时间：35 ......
MBR30150FCT-ASEMI大功率肖特基MBR30150FCT
编辑：ll MBR30150FCT-ASEMI大功率肖特基MBR30150FCT 型号：MBR30150FCT 品牌：ASEMI 封装：TO-220F 特性：插件、肖特基二极管 最大平均正向电流：30A 最大重复峰值反向电压：150V 恢复时间：5ns 引脚数量：3 芯片个数：2 最大正向压降：0. ......
MBR30100FCT-ASEMI大功率肖特基MBR30100FCT
编辑：ll MBR30100FCT-ASEMI大功率肖特基MBR30100FCT 型号：MBR30100FCT 品牌：ASEMI 封装：TO-220F 特性：插件、肖特基二极管 最大平均正向电流：30A 最大重复峰值反向电压：100V 恢复时间：5ns 引脚数量：3 芯片个数：2 最大正向压降：0. ......
MBR60150PT-ASEMI大功率肖特基二极管MBR60150PT
编辑：ll MBR60150PT-ASEMI大功率肖特基二极管MBR60150PT 型号：MBR60150PT 品牌：ASEMI 封装：TO-247 特性：插件、肖特基二极管 正向电流：60A 反向耐压：150V 恢复时间：5ns 引脚数量：3 芯片个数：2 正向压降：0.70V~0.90V 芯片尺 ......
IIC读写器件时应该关注器件哪些信息
其他注意事项：EEPROM在主机发送停止位后开始内部的擦写，期间EEPROM不应答主机任何请求，如果想要写入数据后马上读数据需要注意这个问题 ......
ICEE-Power-功率半导体: IGBT和SiC 栅极驱动器
https://view.inews.qq.com/k/20220217A01CMH00 IGBT 和 SiC 电源开关基础知识 IGBT 和 SiC 电源开关有哪些市场和应用？ 高效的电源转换在很大程度上由系统使用的功率半导体器件确定。 由于功率器件技术不断改进，大功率应用的效率越来越高并且尺寸越 ......
ICEE-IGBT(绝缘栅双极型晶体管)的功率转换实例: 电磁加热
IGBT是什么？对电磁加热器意味着什么？ 2021-03-04 15:17:34 浏览： 581 “ IGBT是什么？对电磁加热器意味着什么？ ” 相信对电磁加热器稍有了解的朋友对IGBT模块都不会感觉陌生，在关于电磁加热器的优势介绍中，经常会说到电磁加热器的IGBT模块是进口自某国家的某个品牌，以 ......
orcad通过表达式批量改变器件属性
Group->Creat by expression(可通过自定义快捷键操作), 输入匹配参数，比如 $location=R* 选中所有电阻 Group->Txet change(可通过自定义快捷键操作) Ctrl+E调用notepad++列编辑参数列表（这一步需要检查Option->Text里面的 ......
【经验贴】做好这三点，有效提升项目的成功率
近期，大家都在做年度工作总结的准备了，在互相交流的时候，提到了一个值得思考的话题——“如何能提高项目的成功率？”。对于项目经理来说，都希望能找到一些通用的经验直接复制粘贴在自己的项目上，促进项目的成功，大家都纷纷发表了自己的见解。 虽然每个项目都具有一定的独特性，但大家都有自己的一些心得体验，经过整 ......
世微 大功率降压恒流IC LED车灯过EMC电源驱动 AP3266
产品描述 AP3266 是高效率、外围简单、内置功率管的同步降压恒流芯片，适用于4-40V输入的降压LED恒流驱动芯片。输出最大功率可达 40W，最大电流3.6A。AP3266 可通过调节 OVP 端口的分压电阻，设定输出空载电压 保护，避免高压 空载上电瞬间烧坏LED灯。AP3266工作频率固定在 ......
ICEE-将SiC/GaS功率MOSFET与应用电路集成封装的IC系列
BM2SCQ124T-LBZ@ROHM 内置1700V SiC-MOSFET的准谐振AC/DC转换器 BM2SCQ124T-LBZ是一款准谐振AC/DC转换器，为所有带插座的设备提供很好的电源系统。采用准谐振工作方式，实现软开关，有助于降低EMI。内置1700V/4A SiC MOSFET，有助于设 ......