imbf高压170 asemi
IKCM10H60GA-ASEMI代理英飞凌功率模块IKCM10H60GA
编辑：ll IKCM10H60GA-ASEMI代理英飞凌功率模块IKCM10H60GA 型号：IKCM10H60GA 品牌：ASEMI 封装：DIP-24 正向电流：0.8A 反向电压：600V 引脚数量：3 芯片个数：1 芯片尺寸： 漏电流：>10ua 恢复时间： 浪涌电流：30A 包装方式：盘装 ......
IKW25N120T2-ASEMI代理英飞凌IGBT管IKW25N120T2
编辑：ll IKW25N120T2-ASEMI代理英飞凌IGBT管IKW25N120T2 型号：IKW25N120T2 品牌：ASEMI 封装：TO-247 特性：IGBT管 正向电流：25A 反向耐压：1200V 引脚数量：3 芯片个数：1 包装方式：3000pcs/盘 特点：大功率IGBT管 工 ......
ASEMI代理英飞凌MOS管IMBF170R1K0M1中文资料
编辑-Z IMBF170R1K0M1参数： 漏源电压：1700V 直流漏极电流：5.2A 功率耗散：68W 工作结温：-55~175℃ 储存温度：-55~150℃ 漏极源导通状态电阻：1000mΩ 栅极-源极阈值电压：4.5V 输入电容：275pF MOS管IMBF170R1K0M1是一款高性能的N ......
ASEMI代理英飞凌IPA50R190CE，MOS管IPA50R190CE参数
编辑-Z IPA50R190CE参数描述： 型号：IPA50R190CE 持续漏极电流：24.8A 脉冲漏极电流：63A 栅极-源极电压：20V 功耗：32W 操作和储存温度：-40~150℃ 连续二极管正向电流：8.1A 漏源击穿电压：500V 栅极阈值电压：3V 零栅极电压漏极电流：1uA 漏极 ......
SPW47N60C3-ASEMI代理英飞凌MOS管SPW47N60C3
编辑：ll SPW47N60C3-ASEMI代理英飞凌MOS管SPW47N60C3 型号：SPW47N60C3 品牌：Infineon(英飞凌) 封装：TO-247 最大漏源电流：47A 漏源击穿电压：650V RDS（ON）Max：70mΩ 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管 芯片尺寸：MIL ......
SPA17N80C3-ASEMI代理英飞凌MOS管SPA17N80C3
编辑：ll SPA17N80C3-ASEMI代理英飞凌MOS管SPA17N80C3 型号：SPA17N80C3 品牌：Infineon(英飞凌) 封装：TO-220F 最大漏源电流：17A 漏源击穿电压：800V RDS（ON）Max：0.29Ω 引脚数量：3 特点 新的革命性高压技术 全球最佳RD ......
IPA50R190CE-ASEMI代理英飞凌MOS管IPA50R190CE
编辑：ll IPA50R190CE-ASEMI代理英飞凌MOS管IPA50R190CE 型号：IPA50R190CE 品牌：Infineon(英飞凌) 封装：TO-220F 最大漏源电流：24.8A 漏源击穿电压：500V RDS（ON）Max：0.19Ω 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管 芯 ......
IMBF170R1K0M1-ASEMI代理英飞凌高压MOS管IMBF170R1K0M1
编辑：ll IMBF170R1K0M1-ASEMI代理英飞凌MOS管IMBF170R1K0M1 型号：IMBF170R1K0M1 品牌：英飞凌 封装：TO-263 最大漏源电流：31A 漏源击穿电压：600V RDS（ON）Max：99mΩ 引脚数量：3 特点 革命性的半导体材料-碳化硅 针对飞回拓 ......
ASEMI单向可控硅BT169D参数，BT169D规格，BT169D大小
编辑-Z 单向可控硅BT169D参数： 型号：BT169D 断态重复峰值电压VDRM：600V 平均通电电流IT(AV)：0.6A R.M.S通电电流IT(RMS)：0.8A 通态浪涌电流ITSM：10A 平均栅极功耗PG(AV)：0.1W 峰值门功率耗散PGM：0.5W 工作接点温度Tj：-40~ ......
ASEMI代理KY可控硅BT169的工作原理及应用领域
编辑-Z 本文主要介绍了可控硅BT169的工作原理及其在各个领域的用。首先，我们将详细阐述可控硅BT169的工作原理，包括结构特点、工作过程等；其次，我们将探讨可控硅BT169在家用电器、工业控制、电力电子等领域的应用。 1、可控硅BT169的工作原理 可控硅BT169是一种三端双向可控硅，具有结构 ......
ASEMI单向可控硅BT151参数，BT151封装，BT151体积
编辑-Z 单向可控硅BT151参数： 型号：BT151 存储接点温度范围Tstg：-40~150℃ 工作接点温度范围Tj：-40~125℃ 断态重复峰值电压VDRM：650V 重复峰值反向电压VRRM：650V RMS导通电流IT(RMS)：12A 非重复浪涌峰值导通电流ITSM：120A 峰值栅极 ......
ASEMI双向可控硅BT137性能特点, BT137应用及购买指南
编辑-Z 本文将详细介绍可控硅BT137的性能特点、应用领域以及购买时需要注意的事项，帮助您更好地了解和选择BT137可控硅。 一、BT137可控硅简介 可控硅（Silicon Controlled Rectifier，简称SCR）是一种四层三端半导体器件，具有高功率、高压、高温等优点，广泛应用于各 ......
BT169D-ASEMI单向可控硅BT169D参数、尺寸、规格
编辑：ll BT169D-ASEMI单向可控硅BT169D参数、尺寸、规格 型号：BT169D 品牌：ASEMI 封装：TO-92 正向电流：0.8A 反向电压：600V 引脚数量：3 芯片个数：1 芯片尺寸： 漏电流：>10ua 恢复时间： 浪涌电流：30A 包装方式：盘装 封装尺寸：如图 特性： ......
BT169-ASEMI代理KY控制器单向向可控硅BT169
编辑：ll BT169-ASEMI代理KY控制器单向向可控硅BT169 型号：BT169 品牌：ASEMI 封装：TO-92 特性：可控硅 正向电流：1A 反向耐压：600V 引脚数量：3 芯片个数：1 包装方式：3000pcs/盘 浪涌电流：40A 特点：单向可控硅 工作温度：-40℃~150℃ ......
ASEMI代理长电可控硅BT136参数，BT136规格，BT136说明
编辑-Z 长电可控硅BT136参数： 型号：BT136 RMS通态电流IT(RMS)：6A 非重复浪涌峰值导通电流ITSM：25A 峰值栅极电流IGM：2A 平均栅极功耗PG(AV)：0.5W 存储接点温度范围Tstg：-40 to +150℃ 工作接点温度范围Tj：-40 to +125℃ 额定重 ......
ASEMI代理长电可控硅BT134的工作原理，BT134的应用领域
编辑-Z 本文将对可控硅BT134的工作原理及应用领域进行详细阐述。首先，我们将介绍可控硅BT134的基本概念和工作原理；其次，我们将探讨可控硅BT134在电力电子领域的应用；接着，我们将分析可控硅BT134在家用电器中的应用；最后，我们将讨论可控硅BT134在工业自动化领域的应用。 1、可控硅BT ......
BT151-ASEMI单向可控硅BT151参数、尺寸、规格
编辑：ll BT151-ASEMI单向可控硅BT151参数、尺寸、规格 型号：BT151 品牌：ASEMI 封装：TO-252 正向电流：12A 反向电压：650V 引脚数量：3 芯片个数：1 芯片尺寸： 漏电流：>10ua 恢复时间： 浪涌电流：30A 包装方式：盘装 封装尺寸：如图 特性：单向可 ......
BT137-ASEMI双向可控硅BT134参数、尺寸、规格
编辑：ll BT137-ASEMI双向可控硅BT134参数、尺寸、规格 型号：BT137 品牌：ASEMI 封装：TO-220 特性：可控硅 正向电流：8A 反向耐压：600V 引脚数量：3 芯片个数：1 包装方式：3000pcs/盘 浪涌电流：40A 特点：双向可控硅 工作温度：-40℃~150℃ ......
ASEMI代理韦达可控硅2P4M参数，2P4M图片，2P4M大小
编辑-Z 韦达可控硅2P4M参数： 型号：2P4M 断态重复峰值电压VDRM：600V 重复峰值反向电压VRRM：600V RMS导通电流IT(RMS)：2A 非重复浪涌峰值导通电流ITSM：20A 平均栅极功耗PG(AV)：0.1W 峰值栅极功率PGM：0.5W IGT：50μA VGT：0.6V ......
ASEMI代理韩景元可控硅C106M参数，C106M封装，C106M尺寸
编辑-Z 韩景元可控硅C106M参数： 型号：C106M 断态重复峰值电压VDRM：600V 通态电流IT(RMS)：4A 通态浪涌电流ITSM：30A 平均栅极功耗PG(AV)：0.2W 峰值门功率耗散PGM：1W 工作接点温度Tj：-40~125℃ 储存温度TSTG：-40~150℃ 断态重复峰 ......
BT136-ASEMI代理长电原装双向可控硅BT136
编辑：ll BT136-ASEMI代理长电原装双向可控硅BT136 型号：2P4M 品牌：长电\CJ 封装：TO-220 正向电流：6A 反向电压：800V 引脚数量：3 芯片个数：1 芯片尺寸： 漏电流：>10ua 恢复时间： 浪涌电流：30A 包装方式：盘装 封装尺寸：如图 特性：单向可控硅 工 ......
BT134-ASEMI代理长电原装双向可控硅BT134
编辑：ll BT134-ASEMI代理长电原装双向可控硅BT134 型号：BT134 品牌：长电\CJ 封装：TO-126 特性：可控硅 正向电流：4A 反向耐压：600V 引脚数量：3 芯片个数：1 包装方式：3000pcs/盘 浪涌电流：40A 特点：单向可控硅 工作温度：-40℃~150℃ B ......
ASEMI代理长电MCR100-6可控硅的性能与应用分析
编辑-Z 本文主要介绍了新型MCR100-6晶闸管的性能与应用。首先，从晶闸管的基本原理和结构出发，分析了MCR100-6晶闸管的性能特点；其次，探讨了MCR100-6晶闸管在各种电子电路中的应用；最后，对MCR100-6晶闸管的发展前景进行了展望。 1、MCR100-6晶闸管的基本原理和结构 MC ......
ASEMI代理韩景元可控硅BT131规格，BT131大小，BT131体积
编辑-Z 韩景元可控硅BT131参数： 型号：BT131 断态重复峰值电压VDRM：600-800V 通态电流IT(RMS)：1A 通态浪涌电流ITSM：12A 平均栅极功耗PG(AV)：0.3W 峰值栅极电流IGM：1.2A 工作接点温度Tj：-40~125℃ 储存温度TSTG：-40~150℃ ......
2P4M-ASEMI代理伟达原装单向可控硅2P4M
编辑：ll 2P4M-ASEMI代理伟达原装单向可控硅2P4M 型号：2P4M 品牌：韦达\WEIDA 封装：TO-252 正向电流：2A 反向电压：600V 引脚数量：3 芯片个数：1 芯片尺寸： 漏电流：>10ua 恢复时间： 浪涌电流：30A 包装方式：盘装 封装尺寸：如图 特性：单向可控硅 ......
BT131-ASEMI代理KY原装双向可控硅BT131
编辑：ll BT131-ASEMI代理KY原装双向可控硅BT131 型号：BT131 品牌：韩景元\KY 封装：TO-92 特性：可控硅 正向电流：1A 反向耐压：600V 触发电压： 0.62～0.8 V 引脚数量：3 芯片个数：1 包装方式：3000pcs/盘 浪涌电流：40A 特点：单向可控硅 ......
ASEMI代理长电可控硅MCR100-8特征，MCR100-8应用
编辑-Z 长电可控硅MCR100-8参数： 型号：MCR100-8 VDRM/VRRM：600V IT(RMS)：0.8A 结点温度Tj：-40~125℃ 储存温度Tstg：-55 ~ 150℃ 通态电压VTM：1.7V 栅极触发电压VGT：0.8V 正向或反向阻断电流峰值：10µA 保持电流IH： ......
ASEMI代理长电MAC97A6三端双向可控硅晶闸管综合指南
编辑-Z MAC97A6是一种流行的三端双向可控硅开关管，因其在各种应用中的多功能性和可靠性而获得广泛认可。这种半导体器件被设计用于控制交流（AC）负载，并且通常用于各种电子设备，例如电动工具、照明系统和电机控制。在本文中，我们将探讨MAC97A6三端双向可控硅的规格和应用，并讨论其在电子领域的重要 ......
MCR100-8-ASEMI代理长电原厂单向可控硅MCR100-8
编辑：ll MCR100-8-ASEMI代理长电原厂单向可控硅MCR100-8 型号：MCR100-8 品牌：长电\CJ 封装：TO-92 正向电流：0.8A 反向电压：600V 引脚数量：3 芯片个数：1 芯片尺寸： 漏电流：>10ua 恢复时间： 浪涌电流：30A 包装方式：盘装 封装尺寸：如图 ......